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Blog dell'azienda ON NVMFS5C430NWFAFT1G 40V 35A Transistor di potenza MOSFET a canale N singolo

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La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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ON NVMFS5C430NWFAFT1G 40V 35A Transistor di potenza MOSFET a canale N singolo
ultime notizie sull'azienda ON NVMFS5C430NWFAFT1G 40V 35A Transistor di potenza MOSFET a canale N singolo

SU 40V 35A Transistor di potenza MOSFET a canale N singolo

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., in qualità di distributore indipendente leader a livello mondiale, fornisce il transistor di potenza MOSFET a canale singolo NVMFS5C430NWFAFT1G di ON. Il è un dispositivo di potenza di grado automobilistico che offre prestazioni e affidabilità eccezionali, rendendolo ideale per applicazioni elettroniche automobilistiche e industriali esigenti.

 

L'NVMFS5C430NWFAFT1G utilizza un package 8-PowerTDFN (noto anche come 5-DFNW5 o DFN-5), che misura solo 4,9x5,9 mm. Questo design compatto del package è idealmente adatto per applicazioni con spazio limitato.Automazione e controllo industriale:

 

L'NVMFS5C430NWFAFT1G utilizza un package 8-PowerTDFN (noto anche come 5-DFNW5 o DFN-5), che misura solo 4,9x5,9 mm. Questo design compatto del package è idealmente adatto per applicazioni con spazio limitato.Capacità di gestione della corrente elevata: l'NVMFS5C430NWFAFT1G può sopportare una corrente di drain continua di 35A a una temperatura ambiente di 25°C, salendo a 185A in condizioni di temperatura del case, consentendogli di soddisfare le esigenze di applicazioni ad alta potenza.

Resistenza di accensione estremamente bassa: con una resistenza di accensione eccezionalmente bassa di soli 1,7 mΩ (a una tensione di pilotaggio di 10 V e una corrente di 50 A), questo MOSFET riduce efficacemente al minimo le perdite di conduzione, migliora l'efficienza complessiva del sistema e riduce l'uscita termica.

 

Packaging compatto e prestazioni termiche: l'

 

NVMFS5C430NWFAFT1G

 

utilizza un package a piombo piatto DFN-5 (5.9x4.9). Questo ingombro compatto è particolarmente adatto per progetti con spazio limitato. Contemporaneamente, il suo design del package offre prestazioni termiche superiori, aiutando la gestione termica.Certificazione di affidabilità di grado automobilistico: l'

 

NVMFS5C430NWFAFT1G

 

è certificato AEC-Q101 e incorpora la funzionalità Production Part Approval Process (PPAP), soddisfacendo pienamente le rigorose esigenze di affidabilità e qualità delle applicazioni elettroniche automobilistiche.

 

Punti salienti del prodotto NVMFS5C430NWFAFT1G

 

ultime notizie sull'azienda ON NVMFS5C430NWFAFT1G 40V 35A Transistor di potenza MOSFET a canale N singolo  0

 

L'NVMFS5C430NWFAFT1G utilizza un package 8-PowerTDFN (noto anche come 5-DFNW5 o DFN-5), che misura solo 4,9x5,9 mm. Questo design compatto del package è idealmente adatto per applicazioni con spazio limitato.Prestazioni elettriche eccezionali: l'

NVMFS5C430NWFAFT1G

 

vanta una tensione drain-source (Vdss) di 40 V e una capacità di corrente di drain continua di 35 A (Ta)/185 A (Tc). La sua resistenza di accensione massima è di soli 1,7 mΩ@50A, 10V, riducendo significativamente le perdite di conduzione e migliorando l'efficienza del sistema.Design robusto e affidabile: una tolleranza di tensione gate-source (Vgs) di ±20 V offre un maggiore margine di progettazione e immunità alle interferenze, migliorando la stabilità del sistema.

 

Prestazioni termiche superiori: l'

 

NVMFS5C430NWFAFT1G

 

può sopportare una dissipazione di potenza massima di 106 W (Tc), garantendo un funzionamento affidabile in applicazioni ad alta potenza.Imballaggio e montaggio NVMFS5C430NWFAFT1G】

 

L'NVMFS5C430NWFAFT1G utilizza un package 8-PowerTDFN (noto anche come 5-DFNW5 o DFN-5), che misura solo 4,9x5,9 mm. Questo design compatto del package è idealmente adatto per applicazioni con spazio limitato.Il package stesso presenta eccellenti proprietà termiche, conducendo in modo efficiente il calore generato dal chip al PCB. Con un'adeguata progettazione della gestione termica, il potenziale di prestazioni del MOSFET può essere pienamente realizzato.

【Aree di applicazione per

 

NVMFS5C430NWFAFT1G

 

 

Con le sue prestazioni eccezionali, il MOSFET NVMFS5C430NWFAFT1G offre ampie prospettive di applicazione in più domini:Automazione e controllo industriale:

NVMFS5C430NWFAFT1G

 

serve scenari industriali esigenti tra cui sistemi PLC, azionamenti per motori industriali, controller per robot e alimentatori a commutazione ad alta potenza.

 

Sistemi di gestione dell'alimentazione: NVMFS5C430NWFAFT1G è adatto per la gestione dell'alimentazione in server, apparecchiature di telecomunicazione e macchinari industriali. Le sue eccellenti caratteristiche di commutazione consentono progetti di alimentazione a commutazione ad alta frequenza, facilitando la riduzione delle dimensioni dei componenti passivi e una maggiore densità di potenza.Azionamento e controllo del motore: l'

 

NVMFS5C430NWFAFT1G

 

aziona in modo efficiente vari motori CC, rendendolo adatto per l'automazione industriale, la robotica e gli utensili elettrici. La sua elevata capacità di gestione della corrente e le eccellenti prestazioni termiche garantiscono un funzionamento robusto durante le correnti di spunto all'avvio del motore.

 

Tempo del pub : 2025-09-20 15:12:53 >> lista di notizie
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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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