Blog dell'azienda IN NXH020P120MNF1PG MOSFET a carburo di silicio a mezzo ponte

AttivoNXH020P120MNF1PGMOSFET a carburo di silicio

Descrizione del prodottoNXH020P120MNF1PG

NXH020P120MNF1PGè un modulo SiC MOSFET contenente un mezzo ponte SiC MOSFET da 20 mohm 1200V e un termistore NTC in un modulo F1.

Specificità diNXH020P120MNF1PG

Tecnologia: SiC

Modello di montaggio: Premere Fit

Confezione/cassa: Modulo

Polarità del transistor: Canale N

Vds - tensione di rottura della fonte di scarico: 1.2 kV

Id - Corrente di scarico continua: 51 A

Rds On - Resistenza alla fonte di scarico: 30 mOhms

Vgs - tensione della sorgente di porta: - 15 V, + 25 V

Vgs th - tensione di soglia della porta-sorgente: 1.8 V

Temperatura minima di funzionamento: - 40 C.

Temperatura massima di funzionamento: + 150 C

Pd - Dissipazione di potenza: 211 W

Tempo di caduta: 8.4 ns

Tempo di partenza: 8.8 ns

Tempo di ritardo tipico: 8.4 ns

Tempo di ritardo tipico di spegnimento: 105 ns

Tempo di ritardo tipico di accensione: 44 ns

Caratteristica delNXH020P120MNF1PG

20 m/1200 V SiC MOSFET Mezzo ponte

Termistore

Opzioni con materiale di interfaccia termica (TIM) preapplicato e senza TIM preapplicato

Pini di press-fit

Prodotto finale diNXH020P120MNF1PG

Caricabatterie per veicoli elettrici

Sistema di accumulo di energia

Invertitore solare a 3 fasi

Fornitura di energia ininterrotta

Applicazioni diNXH020P120MNF1PG

Invertitore solare

Fornitori di corrente ininterrotti

Stazioni di ricarica per veicoli elettrici

Potenza industriale

Schema diNXH020P120MNF1PG