Blog dell'azienda Sulla semiconduttore modulo di carburo di silicio NXH007F120M3F2PTHG EliteSiC, 7 Ohm SiC M3S MOSFET, 1200 V

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. riciclaggio a lungo termine sul modulo di carburo di silicio semiconduttore NXH007F120M3F2PTHG EliteSiC, 7 Ohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, topologia a ponte completo a 4 pacchetti,pacchetto F2

Introduzione

L'NXH007P120M3F2PTHG è un modulo di alimentazione in un pacchetto F2 contenente un ponte completo MOSFET SiC da 7 mohm / 1200 V e un termistor con HPS DBC.Gli interruttori MOSFET SiC sono azionati da gate 18V-20V utilizzando la tecnologia M3S.

Caratteristiche

FOM eccezionale [ = Rdson * Eoss ]

Azionamento a porta da 15 a 18 V

7 Ohm / 1200 V M3S SiC MOSFET Full Bridge

Applicazioni

Conversione di corrente continua in corrente alternata

Conversione CC-CC

Conversione CA-CC

NXH007F120M3F2PTHG Schema

immagine.png

L'azienda ricicla solo fonti di canale regolari, come agenti, commercianti, fabbriche di terminali, ecc. Non accettiamo fonti che non sono canali regolari.

Se avete un'inventaria in eccesso da smaltire, non esitate a inviare la vostra lista di inventario a chen13410018555@163.com o chiamateci per discutere.

Persona di contatto: il sig.

Numero di telefono: +86 13410018555

Email: sales@hkmjd.com

Sito web della società:www.hkmjd.com