AttivoUT3C120080K3STransistor MOSFET di potenza a carburo di silicio a canale N 1200V
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,come distributore indipendente di fama mondiale di componenti elettronici, offre la disponibilità immediata di ON SemiconductorUT3C120080K3STransistor MOSFET a carica di carburo di silicio a canale N da 1200 V, dotato di una configurazione di porta comune di fonte comune unica e prestazioni di commutazione eccezionali,fornisce una soluzione ideale per i moderni sistemi di conversione di potenza.
L'obiettivo è quello di promuovere l'innovazione nel settore dell'informazione.UT3C120080K3S️
L'UJ3C120080K3S è un MOSFET ad alte prestazioni che utilizza una tecnologia avanzata di carburo di silicio, con diverse caratteristiche tecniche degne di nota.questo dispositivo dimostra prestazioni eccezionali in alta tensione, applicazioni ad alta potenza.
Il vantaggio più importante delUT3C120080K3Ssi basa sulla sua capacità di resistere ad alta tensione 1200V, combinata con una resistenza di accensione eccezionalmente bassa di soli 80mΩ. Ciò riduce significativamente le perdite di conduzione nelle applicazioni ad alta tensione,miglioramento dell'efficienza complessiva del sistema.
Per quanto riguarda le prestazioni di commutazione, l'UJ3C120080K3S supporta il funzionamento ad alta frequenza con una corrente di scarico continua fino a 33A,che lo rende particolarmente adatto per applicazioni che richiedono una elevata densità di potenza.
IlUT3C120080K3Sutilizza un'innovativa configurazione a sorgente comune, con porta comune, che integra un JFET SiC avanzato con un MOSFET al silicio appositamente ottimizzato all'interno di un unico pacchetto.Questo progetto combina in modo ingegnoso i punti di forza di entrambe le tecnologie: consentendo un funzionamento normale e caratteristiche di azionamento delle porte semplici mantenendo l'elevata efficienza, la velocità e la capacità ad alte temperature intrinseche del materiale SiC.
Rispetto ai MOSFET convenzionali a base di silicio o IGBT, questo MOSFET SiC dimostra molti vantaggi significativi.riduce efficacemente le perdite di conduzione.
IlUT3C120080K3Ssupporta frequenze di commutazione più elevate, consentendo ai progettisti di ridurre le dimensioni dei componenti magnetici e dei dispositivi passivi all'interno del sistema, raggiungendo così una maggiore densità di potenza.
L'UJ3C120080K3S integra ulteriormente le funzioni di protezione ESD e gate, offrendo un'affidabilità migliorata.La sua ampia gamma di temperature di funzionamento da -55°C a +175°C lo rende adatto ad ambienti ad alta temperaturaInoltre, presenta prestazioni eccezionali del diodo del corpo (cadute di tensione in avanti < 2V) e eccellenti caratteristiche di recupero inverso.
Un altro vantaggio significativo della tecnologia del carburo di silicio è la sua carica di recupero inverso (Qrr) eccezionalmente bassa di soli 10 nC,che aiuta a ridurre le perdite di commutazione e migliora la risposta di frequenza del sistema.
¢Parametri di prestazione chiave dettagliatiUT3C120080K3S️
Capacità ad alta tensione: tensione nominale di scarico (Vdss) di 1200V, adatta per applicazioni ad alta tensione come sistemi industriali trifasici e inverter fotovoltaici
Capacità di corrente elevata: corrente di scarico continua (Id) fino a 33A a 25°C
Basse perdite in stato di funzionamento: resistenza massima alla fonte di scarico da soli 80 mΩ a 100 mΩ (testata a 20A, 12V)
Caratteristiche di commutazione rapida: tempo di salita e di caduta sia 14ns, ritardo tipico di accensione 22ns, ritardo di spegnimento 61ns
Carica ottimizzata del cancello: la carica del cancello (Qg) di soli 51nC@15V riduce al minimo le perdite di azionamento
Questi parametri costituiscono insieme la base delle prestazioni eccezionali dell'UJ3C120080K3S, consentendo un funzionamento eccezionale in applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza.Rispetto ai MOSFET a super giunzione a base di silicio di specifiche equivalenti, riduce le perdite di commutazione fino all'80%, migliorando significativamente l'efficienza del sistema.
️UT3C120080K3SL'ampia copertura delle applicazioni
Nel settore dei veicoli a nuova energia, questo dispositivo può essere utilizzato nei caricabatterie di bordo, nei motori e nei convertitori DC-DC, contribuendo a migliorare l'autonomia dei veicoli elettrici e l'efficienza della ricarica.
La generazione di energia fotovoltaica e le applicazioni di reti intelligenti beneficiano allo stesso modo delle elevate prestazioni di questo MOSFET a carburo di silicio.UT3C120080K3Smigliora l'efficienza di conversione dell'energia, garantendo nel contempo un funzionamento stabile e affidabile delle apparecchiature di trasmissione e distribuzione dell'energia.
per applicazioni di alimentazione industriale, l'UJ3C120080K3S è adatto alla conversione di potenza ad alta efficienza e al controllo del motore,soddisfare le rigide esigenze dell'automazione industriale per la densità di potenza e l'efficienza energeticaAnche nel settore dei trasporti ferroviari, questo dispositivo può essere utilizzato in inverter di trazione e sistemi di alimentazione ausiliari per soddisfare elevate esigenze di affidabilità.
Rispetto ai dispositivi di alimentazione tradizionali a base di silicio, laUT3C120080K3Sriduce significativamente le dimensioni e il peso del sistema in tutte queste applicazioni, migliorando al contempo l'efficienza energetica complessiva, offrendo vantaggi competitivi ai prodotti finali.
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