Blog dell'azienda Moduli di alimentazione Onsemi, Mingjiada fornisce moduli IGBT, moduli MOSFET, moduli di alimentazione intelligenti

Moduli di potenza Onsemi, Mingjiada fornisce moduli IGBT, moduli MOSFET, moduli di potenza intelligenti

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.——Fornitura a lungo termine di moduli di potenza [Onsemi], che coprono moduli IGBT, moduli MOSFET, moduli ibridi Si/SiC, moduli di potenza intelligenti (IPM) e altri prodotti, che coprono un'ampia gamma di requisiti applicativi, l'elettronica Mingjiada si affida a un efficiente sistema logistico per garantire che i prodotti siano rapidamente Mingjiada Electronics si affida a un efficiente sistema logistico per garantire una rapida consegna dei prodotti ai clienti.

Mingjiada Electronics fornisce una gamma completa di moduli di potenza Onsemi (ON Semiconductor), che comprendono principalmente le seguenti categorie principali:

I. Moduli IGBT: Il cuore della commutazione ad alta efficienza e alta potenza
Caratteristiche: Combinato con l'alta impedenza di ingresso del MOSFET e il basso vantaggio di caduta di tensione nello stato di conduzione del BJT, molto adatto per gestire potenze da medie ad alte (da centinaia di watt a diversi megawatt), applicazioni a frequenza da media ad alta (di solito decine di kHz). Con alta densità di corrente, alta affidabilità e tecnologia di packaging comprovata.
Esempi di modelli tipici forniti da Mingjiada:
Serie NX (ad es. NXH40T120L4Q0SG): L'avanzata tecnologia a gate a trincea a taglio di campo offre un'eccellente combinazione di basse perdite di conduzione (Vce(sat)) e basse perdite di commutazione (Eon/Eoff).
Serie STK (ad es. STK551U362A-E): Primi rappresentanti dei moduli di potenza intelligenti compatti (IPM) con IGBT, driver e protezione integrati, ma anche riferiti ad alcuni moduli IGBT standard comunemente utilizzati negli elettrodomestici, ecc.

II. Moduli MOSFET: Strumento di commutazione ad alta velocità e bassa-media potenza
Caratteristiche: Conosciuti per il controllo della tensione, la velocità di commutazione elevata (fino al livello MHz), la bassa resistenza nello stato di conduzione (Rds(on)). Vantaggiosi in applicazioni a bassa-media potenza, ad alta frequenza di commutazione. Il collegamento in parallelo è relativamente semplice.
Esempi di modelli tipici forniti da Mingjiada:
Serie NTBG/NTBL (ad es. NTBG040N120SC1): Utilizzando la tecnologia SuperFET MOSFET, offrono Rds(on) estremamente basso ed eccellenti prestazioni di commutazione per la conversione di potenza ad alta efficienza.
Serie MGM (ad es. MGM100S030P1Z): L'avanzata tecnologia di packaging ottimizza la densità di potenza e le prestazioni termiche per applicazioni con spazio limitato e alte prestazioni.

III. Moduli ibridi Si/SiC: L'arte di bilanciare prestazioni e costi
Caratteristiche: Integra abilmente un IGBT tradizionale a base di silicio (o MOSFET) con un diodo Schottky in carburo di silicio (SiC) (SBD) nello stesso modulo. Sfruttando la mancanza di carica di recupero inverso (Qrr) del diodo SiC, le perdite di commutazione (in particolare le perdite di spegnimento) e le EMI sono drasticamente ridotte, pur mantenendo il vantaggio di costo relativamente basso dei tubi di commutazione a base di silicio.
Esempi di modelli tipici forniti da Mingjiada:
Serie NXH (come NXH40T120L4Q0SG, NXH80T120L4Q0): Come accennato in precedenza, alcuni moduli IGBT NXH che utilizzano la tecnologia ibrida a diodi SiC, migliorando significativamente l'efficienza del sistema.

IV. Moduli di potenza intelligenti: Un modello di integrazione e affidabilità
Caratteristiche: Non solo un accumulo di dispositivi di potenza, ma l'IGBT ad alta tensione (o MOSFET), l'IC di controllo a bassa tensione (circuito di pilotaggio), il circuito di protezione (sovracorrente, cortocircuito, blocco di sottotensione, surriscaldamento), così come i componenti passivi necessari sono altamente integrati in un unico package. Sono disponibili configurazioni a ponte monofase o trifase. Semplifica notevolmente la progettazione, migliora l'affidabilità e riduce i cicli di sviluppo.
Esempi di modelli tipici forniti da Mingjiada:
Serie NFAM / NFAL (ad es. NFAM5065L4B, NFAM2020L4BT): L'avanzata tecnologia IGBT a taglio di campo a gate a trincea e il driver/protezione integrati ottimizzati offrono alta efficienza energetica, alta affidabilità ed eccellente reiezione del rumore. Package compatto (ad es. DIP-26, LIP-26).
Serie STK (ad es. STK551U362A-E): La classica serie IPM di ON Semiconductor con un'ampia gamma di applicazioni, tecnologia matura e stabile.

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