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Blog dell'azienda Transistor LDMOS di potenza Mingjiada Electronics NXP/ST/Ampleon Transistor di potenza RF in stock

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La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Transistor LDMOS di potenza Mingjiada Electronics NXP/ST/Ampleon Transistor di potenza RF in stock
ultime notizie sull'azienda Transistor LDMOS di potenza   Mingjiada Electronics   NXP/ST/Ampleon Transistor di potenza RF in stock

Mingjiada's Power LDMOS Transistor Product Range: Copertura completa della serie e analisi delle applicazioni tipiche

 

Profilo aziendale

Fondata nel 1996, Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. è un distributore indipendente autorizzato di componenti elettronici di fama mondiale.Con sede centrale nel centro commerciale elettronico del distretto di Futian, Shenzhen, la società ha filiali a Hong Kong, Giappone, Russia e Taiwan e ha ottenuto la certificazione ISO 9001:2014 del sistema internazionale di gestione della qualità e ISO 14001:Certificazione del sistema di gestione ambientale 2014Mingjiada Electronics ha stabilito partnership con oltre 500 rinomati marchi globali e da tempo si è specializzata nei settori delle comunicazioni wireless e dei semiconduttori di potenza.Il suo portafoglio di attività comprende i SoC wireless, transistor a nitruro di gallio (GaN), transistor a potenza RF LDMOS e varie schede di valutazione dei microcontrollori (MCU).

 

Per quanto riguarda l'alimentazione dei transistor LDMOS, Mingjiada Electronics fornisce un servizio a lungo termine,fornitura stabile di transistor LDMOS di potenza RF di importanti marchi internazionali come NXP (NXP Semiconductors/Freescale)Questi prodotti sono ampiamente utilizzati nelle stazioni base di comunicazione mobile, trasmettitori di trasmissione, applicazioni industriali, scientifiche e mediche (ISM),sistemi radar e settore aerospaziale.

 

I. Transistor di potenza RF LDMOS della serie NXP/Freescale Airfast®

La serie Airfast® di NXP® è una linea di prodotti LDMOS chiave fornita da Mingjiada Electronics, che copre i requisiti delle applicazioni RF a banda larga che vanno dalle basse alle alte frequenze.

 

1. AFT23H160-25SR3

L'AFT23H160-25SR3 è un transistor di potenza RF LDMOS asimetrico Doherty da 32 W, specificamente progettato per applicazioni di stazioni base di comunicazione mobile nella gamma di frequenze da 2300 a 2400 MHz.Alloggiato in una confezione NI-880X-4L4S-8, questo dispositivo dispone di un'architettura Doherty avanzata e ad alte prestazioni.Il suo più ampio intervallo di tensione negativa tra porta e sorgente migliora le prestazioni operative di classe C ed è specificamente ottimizzato per i sistemi di correzione degli errori di pre-distorsione digitali.

 

2. A2T27S020GNR1

L'A2T27S020GNR1 è un transistor LDMOS a potenza RF da 2,5 W che copre un ampio intervallo di frequenza da 400 a 2700 MHz, con un guadagno tipico fino a 21 dB, ospitato in un pacchetto TO-270G-2.Le eccellenti prestazioni lineari e la stabilità termica del dispositivo lo rendono una scelta ideale per gli amplificatori di potenza delle stazioni base 4G/5G, punti di accesso wireless, apparecchiature di collegamento a microonde e sistemi di comunicazione satellitare.

 

3. AFT26H200W03SR6

AFT26H200W03SR6 è un transistor LDMOS a potenza RF asimmetrico Doherty da 45 W progettato per applicazioni di stazioni base cellulari nella gamma di frequenza da 2496 a 2690 MHz,offrendo una capacità di banda molto ampia e istantanea.

 

II. ST (STMicroelettronica) Transistor di potenza RF LDMOS

STMicroelectronics offre un portafoglio completo di transistor LDMOS RF con tensioni di funzionamento comprese tra 7 V e 50 V, destinate a applicazioni nell'intervallo di frequenza da 1 MHz a 4 GHz,caratterizzato da elevata potenza di picco (> 1 kW) e elevata stabilitàMingjiada Electronics distribuisce la gamma completa di prodotti per transistor RF DMOS e LDMOS di ST.

 

1. RF5L051K5CB4

Il RF5L051K5CB4 è un transistor LDMOS ad alta potenza a RF lanciato da STMicroelectronics, che fornisce una potenza di uscita fino a 1.500 W, funzionante a 50 V,con una lunghezza di banda non superiore a 50 mm,A 108 MHz, raggiunge un guadagno tipico di 22 dB e un'efficienza fino all'80%, ed è ospitato in un pacchetto D4E.Il dispositivo è dotato di protezione ESD (conforme alle norme ANSI/ESDA/JEDEC), offre un'eccellente stabilità termica e resistenza agli urti, e ha una resistenza termica tipica da giunzione a cassa di soli 0,09 °C/W.

 

Questo dispositivo è ampiamente utilizzato nei trasmettitori radio FM, nelle trasmissioni televisive VHF, nelle apparecchiature di comunicazione terrestri (bande 30 88 MHz e 136 174 MHz), nei ricevitori HF a onde corte, nei generatori di plasma,acceleratori di particelle, di riscaldamento industriale e applicazioni ISM, nonché moduli amplificatori RF aerospaziali ad alta affidabilità.

 

III. Transistor di potenza RF Ampleon LDMOS

Ampleon, precedentemente la divisione RF Power di NXP, è leader nel settore dell'energia RF da oltre 50 anni.Mingjiada Electronics mantiene uno stock a lungo termine di vari transistor di potenza RF Ampleon LDMOS progettati per stazioni base e applicazioni industriali, tutti garantiti come prodotti originali.

 

1. BLC10G22XS-301AVT

Il BLC10G22XS-301AVT è un transistor di potenza asimmetrico Doherty confezionato LDMOS da 300W, specificamente progettato per applicazioni di stazioni base nella banda di frequenza da 2110 MHz a 2170 MHz.Questo dispositivo offre una robustezza eccezionale., ad alta efficienza e bassa resistenza termica, con una minore capacità di uscita per una migliore prestazione nelle applicazioni Doherty, e dispone di protezione ESD integrata.

 

2. BLF8G22LS-270GV

Il BLF8G22LS-270GV è un transistor di potenza LDMOS da 270 W con caratteristiche di larghezza di banda video migliorate (in genere 80 MHz),adatta per amplificatori di potenza RF di stazioni base e applicazioni multi-portatori nella banda di frequenza da 2110 MHz a 2170 MHzQuesto dispositivo offre anche un'elevata efficienza, una bassa resistenza termica e un'eccellente capacità di pre-distorsione.

 

IV. Principali settori d'applicazione

I transistor LDMOS di potenza forniti da Mingjiada Electronics coprono le seguenti aree di applicazione principali:

stazioni base di comunicazione mobile: adatte per amplificatori di potenza RF nelle stazioni base 4G LTE e 5G NR, comprese le stazioni base macro, le stazioni base micro e le applicazioni multi-carrier;soddisfacendo i requisiti delle moderne comunicazioni mobili a banda larga per l'alta potenza, elevata efficienza ed eccellente linearità.

Sistemi di trasmissione radiotelevisiva: coprono trasmettitori radio FM e trasmettitori televisivi VHF, che forniscono soluzioni di amplificazione di potenza RF altamente affidabili per l'industria della radiodiffusione.

Industria, scienza e medicina (ISM): compresi i generatori di plasma, gli acceleratori di particelle, i laser a CO2, i sistemi di risonanza magnetica, le apparecchiature di riscaldamento e scongelazione a RF e i sistemi di saldatura e asciugatura industriali.

Radar e aerospaziale: la tecnologia LDMOS è ampiamente utilizzata in avionica, sistemi radar civili e militari, ripetitori e ricevitori per reti informatiche wireless ad alta velocità (standards Wi-Fi e WiMAX).

Comunicazioni satellitari e terrestri: compresi i ricevitori ad onde corte (HF), le apparecchiature di comunicazione terrestri (bande 30 ‰ 88 MHz e 136 ‰ 174 MHz),trasmissione e amplificazione dei segnali nei sistemi di comunicazione satellitare.

 

V. Mingjiada's Supply Advantage

Mingjiada Electronics possiede i seguenti vantaggi fondamentali nella fornitura di transistor LDMOS:fornire l'intera gamma di prodotti dei principali produttori mondiali di LDMOS come NXP, ST e Ampleon; in secondo luogo, una garanzia di prodotti genuini e nuovi di zecca, in quanto l'azienda ha ottenuto la certificazione ISO 9001:2014 standard internazionale di qualità,garantire che tutti i prodotti siano nuovi e genuiniIn terzo luogo, disponibilità di scorte abbondanti: manteniamo scorte a lungo termine di tutti i modelli tradizionali per supportare una consegna rapida.

 

Per ulteriori informazioni sui modelli di transistor LDMOS o per richiedere un preventivo, contattare Mingjiada Electronics:

Telefono cellulare: +86 13410018555 (signore Chen)

Email: sales@hkmjd.com

Sito web:www.integrated-ic.com

Indirizzo: stanze 12391241, New Asia Guoli Building, Zhenzhong Road, distretto di Futian, Shenzhen

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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