Blog dell'azienda Riciclare i discretori di potenza del microchip:IGBT, MOSFET di potenza, MOSFET RF, semiconduttori SiC

Riciclare i discretori di potenza del microchip:IGBT, MOSFET di potenza, MOSFET RF, semiconduttori SiC

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.è uno dei principali fornitori di servizi di riciclaggio di componenti elettronici in Cina, specializzato nel riciclaggio ad alto prezzo di vari prodotti di componenti elettronici.trasparente, e servizi di riciclaggio delle scorte sicuri per aiutare i clienti ad ottimizzare il loro flusso di cassa, ridurre i costi di stoccaggio e rivitalizzare i loro beni.

Tipi di prodotti riciclati:Chip IC, sensori, Ethernet, moduli IGBT, intelligenza artificiale IA, microcontrollori, IoT e tutti gli altri componenti elettronici.

Processo specifico di riciclaggio:

1. Sortire l'inventario di IC/moduli in eccedenza in categorie, identificando numeri di modello, marchi, date di produzione, quantità, ecc.

2Invia la lista di inventario al nostro team di valutazione via fax o e-mail.

3Una volta raggiunto un accordo, entrambe le parti negozieranno i dettagli specifici della transazione per la consegna.

4L'azienda ricicla solo componenti provenienti da canali ufficiali, come distributori, commercianti e fabbriche di utenti finali.

Soluzioni complete di potenza discreta per applicazioni ad alta tensione e ad alta potenza

I nostri prodotti discreti di potenza sono soluzioni di alta qualità per una vasta gamma di applicazioni ad alta tensione e alta potenza. They include a variety of high-voltage Switch Mode Power Supply (SMPS) transistors—Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Silicon Carbide (SiC) MOSFETs and Silicon MOSFETs—Diodes and Radio Frequency (RF) MOSFETsMolti dei nostri prodotti sono offerti in opzioni singole e combinate in una varietà di livelli di tensione, correnti e stili di pacchetti.

Categorie di prodotti:

Transistori bipolari a cancello isolato (IGBT)

Il portafoglio IGBT è composto da sei serie di prodotti che utilizzano tre diverse tecnologie IGBT: Non-Punch-Through (NPT), Punch-Through (PT) e field stop.

MOSFET di potenza

Progettati per massimizzare le prestazioni e l'affidabilità, la nostra vasta gamma di MOSFET al silicio include MOSFET a potenza standard, MOSFET a radiazione indurita, FREDFET, MOSFET ultra veloci,MOSFET a super giunzione e MOSFET lineari.

MOSFET RF

L'offerta di prodotti di potenza RF copre da 2 MHz a 150 MHz, da 50V a 300V di tensione di alimentazione e da 50W a 3 kW di potenza di uscita.,Laser di CO2 e comunicazione.

Semiconduttori a carburo di silicio (SiC)

I semiconduttori a carburo di silicio (SiC) sono opzioni innovative e nuove per migliorare l'efficienza del sistema, supportare temperature di funzionamento più elevate e ridurre i costi nei progetti di elettronica di potenza.