Blog dell'azienda Ricicla i MOSFET Nexperia: MOSFET per auto, MOSFET di potenza, MOSFET a segnale piccolo

Riciclare i MOSFET Nexperia:MOSFET per autoveicoli, MOSFET per potenza, MOSFET per piccoli segnali

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.è una società di riciclaggio di componenti elettronici di fama mondiale. Attraverso i nostri servizi di riciclaggio professionale, aiutiamo i clienti a realizzare il valore dei loro componenti elettronici inattivi.Con la nostra solida posizione finanziaria e il nostro sistema di servizi completo, ci siamo guadagnati la fiducia e la cooperazione a lungo termine di numerosi clienti e commercianti.

Processo di riciclaggio:

1Classificazione dell'inventario e presentazione dell'elenco

I clienti dovrebbero prima classificare il loro inventario inattivo, specificando il modello, il marchio, la data di produzione, la quantità, il tipo di imballaggio e la condizione.Un elenco dettagliato dell'inventario può essere inviato al nostro team di valutazione via e-mail o fax.

2- Valutazione professionale e quotazione

Dopo aver ricevuto l'elenco, completeremo una valutazione preliminare e forniremo un preventivo entro 24 ore.

3- Firma dei contratti e accordi logistici

Una volta che entrambe le parti hanno concordato il prezzo, verrà firmato un contratto formale di riciclaggio per chiarire i dettagli della transazione.

4Ispezione delle merci e pagamento rapido

Una volta arrivati al nostro magazzino, le merci saranno sottoposte a un controllo di qualità finale. Dopo aver superato l'ispezione, garantiamo il pagamento entro tre giorni lavorativi per garantire un rapido recupero del capitale.I metodi di pagamento flessibili includono il bonifico bancario, in contanti, o altre disposizioni su misura per le esigenze del cliente.

I. MOSFET per l'automotive

Posizionamento centrale

Progettata appositamente per gli ambienti più esigenti dell'elettronica automobilistica, l'intera gamma è certificata AEC-Q101, soddisfacendo i requisiti per un ampio intervallo di temperature da -55°C a +175°C,vibrazioni elevateIl sistema di controllo della carrozzeria, i sistemi di propulsione, la ricarica di bordo, l'illuminazione e i sistemi di sicurezza.

Serie di prodotti di base

Serie MLPAK (MLPAK33-WF/MLPAK56-WF)

Pacchetto: Micro-pin, pads sul lato bagnato (-WF), supporta AOI (Automated Optical Inspection), elevata affidabilità delle giunture di saldatura.

Specificità: 40V100V, canale N/P, RDS ((on) fino a 1,3mΩ.

Applicazioni: controllo del corpo, infotainment, illuminazione a LED, protezione inversa della batteria.

Serie LFPAK (LFPAK33/56/88)

Tecnologia: imballaggio a clip di rame, bassa induttanza, elevata dissipazione termica, elevata capacità di corrente.

Specificità: 20V100V, corrente massima di 425A, RDS ((on) fino a 0,7mΩ.

Applicazioni: sistemi ibridi a 48 V, caricabatterie di bordo (OBC), inverter di trazione, BMS.

Serie CCPAK1212

Confezione: 12×12 mm, raffreddamento superiore/inferiore, adatto a moduli di potenza ad alta densità.

Specificità: 80V/100V, RDS ((on)) fino a 0,99mΩ, corrente massima 460A.

Applicazioni: sistemi di propulsione per automobili a 48 V, convertitori DC-DC, moduli industriali ad alta corrente.

SiC MOSFET (di grado automobilistico)

Specificità: 1200V, RDS (on) 30/40/60mΩ, pacchetto D2PAK-7.

Applicazioni: veicoli elettrici OBC, inverter di trazione, alta tensione DC-DC.

Principali vantaggi

Completamente certificato AEC-Q101, funzionamento continuo a 175°C, durata superiore a 10 anni.

Basso RDS ((on), basse perdite di conduzione, elevata efficienza energetica.

Opzioni di imballaggio diverse: MLPAK/LFPAK/CCPAK/SiC, adatte a potenze diverse.

Alta affidabilità: tecnologia di pinze in rame, cuscinetti per il lato bagnato, elevata resistenza alle valanghe.

II. MOSFET di potenza

Posizionamento centrale

Progettato per applicazioni a media e alta tensione, ad alta corrente e ad alta efficienza nei settori industriale, dell'alimentazione elettrica, dell'azionamento motore, dei server e delle energie rinnovabili, che coprono tensioni da 12V a 200V.gamma completa di dispositivi a canale N e a canale P, bilanciando basse resistenze con velocità di commutazione elevate.

Serie di prodotti di base

Serie NextPowerS3

Tecnologia: processo di trench avanzato, RDS ultra-basso ((on), alta velocità di commutazione.

Specificità: 25V/30V, RDS ((on)) fino a 0,72mΩ, corrente massima 300A.

Pacchetti: LFPAK56, SOT1023A.

Applicazioni: alimentatori per server, convertitori industriali DC-DC, gestione delle batterie, motori.

Serie 9 di fossa

Tecnologia: superconnessione a bassa tensione + confezionamento avanzato.

Specificità: 40V100V, RDS ((on)) fino a 1,18mΩ.

Pacchi: LFPAK, MLPAK, CCPAK.

Applicazioni: alimentatori industriali, inverter fotovoltaici, veicoli a nuova energia, apparecchiature di telecomunicazione.

ASFET (MOSFET specifico per l'applicazione)

Specificità: 12V100V, SOA (Safe Operating Area) potenziata, bassa tensione di picco, alta tensione di rottura.

Pacchi: LFPAK, CCPAK.

Applicazioni: scambio a caldo, protezione della batteria, commutazione del carico, alimentatori di alta affidabilità.

Principali vantaggi

Basso RDS ((on): fino a 0,7 mΩ, riducendo le perdite di conduzione e migliorando l'efficienza.

Alta densità di potenza: confezione in clip di rame / CCPAK, offrendo una dissipazione termica superiore e dimensioni compatte.

Ampia gamma di tensione: 12V 200V, con opzioni sia N-channel che P-channel disponibili.

Alta velocità di commutazione: basso Qg e basso recupero inverso, adatto alle applicazioni ad alta frequenza.

III. MOSFET a piccolo segnale

Posizionamento centrale

Targeting applicazioni di dispositivi portatili a bassa potenza, compatti, che coprono 20V100V e correnti ≤6A. Concentrandosi su pacchetti ultrapiccoli, basso RDS ((on), alta protezione ESD e certificazione di livello automobilistico,sono adatti per l'elettronica di consumo, IoT, wearables e elettronica automobilistica.

Serie di prodotti di base

Serie DFN (DFN0603/1006/1110/2020)

Imballaggio: ultracompatto, DFN0603 (0,63 × 0,33 × 0,25 mm).

Specificità: 20V 80V, RDS ((on) fino a 15 mΩ, corrente massima 6A.

Caratteristiche: >2kV protezione ESD, resistenza termica < 10K/W.

Applicazioni: dispositivi indossabili, telefoni cellulari, tablet, sigarette elettroniche, apparecchi acustici, interruttori a batteria.

Serie SOT (SOT23/323/363/457)

Pacchetto: SMD standard, dimensioni compatte, facile da saldare.

Specificità: 20V100V, RDS (on) fino a 15mΩ.

Applicazioni: elettronica automobilistica (controllo dei sedili, finestre, illuminazione LED), elettronica di consumo, commutazione del segnale.

MOSFET per segnali di piccole dimensioni per l'industria automobilistica (portfolio Q)

Certificazione: AEC-Q101, da -55°C a +175°C.

Pacchetto: DFN1110D-3, DFN1412-6, SOT23.

Applicazioni: controllo del corpo automobilistico, infotainment, sistemi di sicurezza, illuminazione a LED.

Principali vantaggi

Imballaggio ultracompatto: DFN0603/1006, risparmio di spazio sui PCB.

Basso RDS ((on): fino a 15 mΩ, riducendo le perdite di potenza e prolungando la durata della batteria.

Alta protezione ESD: > 2 kV, forte resistenza alla scarica elettrostatica.

Certificazione per il settore automobilistico: gamma completa certificata AEC-Q101, adatta per l'elettronica automobilistica.

IV. Riassunto

Le tre serie principali di MOSFET di Nexperia coprono tutti gli scenari di applicazione, che vanno dai microwatt ai kilowatt e dall'elettronica di consumo all'industria automobilistica:

MOSFET per l'automotive: di qualità automobilistica, di alta affidabilità, di alta corrente, adatti ai veicoli a nuova energia e all'elettronica automobilistica tradizionale.

MOSFET di potenza: basse perdite, elevata densità di potenza, adatti a sorgenti di alimentazione industriali, motori e nuove applicazioni energetiche.

MOSFET per piccoli segnali: ultracompatti, basso consumo energetico, elevata protezione ESD, adatti a dispositivi portatili e applicazioni automobilistiche per piccoli segnali.