Blog dell'azienda Scheda di valutazione del modulo di alimentazione per il riciclo: Modulo IGBT, Modulo MOSFET, IPM, Modulo SiC

Riciclare il pannello di valutazione del modulo di alimentazione:modulo IGBT,modulo MOSFET,IPM,modulo SiC

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.è un riciclatore di componenti elettronici di fama mondiale, attraverso servizi di riciclaggio professionali per aiutare i clienti a valorizzare i componenti elettronici inattivi,con una forte forza economica e un sistema di servizio perfetto, ha vinto la fiducia e la cooperazione a lungo termine di molti clienti e commercianti di fabbrica.

I prodotti di riciclo includono:5G, nuovi circuiti integrati energetici, IoT, Bluetooth, telematica, automotive, comunicazione, intelligenza artificiale, memoria, sensori, microcontrollori,circuiti integrati trasmettitori-ricevitori, IC Ethernet, chip WiFi, moduli di comunicazione wireless, connettori e altri componenti elettronici.

Processo di riciclaggio:

1、Classificazione dell'inventario e presentazione dell'elenco

I clienti classificano in primo luogo l'inventario in sospeso per determinare il modello, il marchio, la data di produzione, la quantità, la forma e lo stato dell'imballaggio.I clienti possono inviare la lista dettagliata dell'inventario al nostro team di valutazione via email o fax.

2、Valutazione e quotazione professionale

Dopo aver ricevuto l'elenco dell'inventario, la società completerà la valutazione iniziale e fornirà un feedback sulla proposta di quotazione entro 24 ore.

3、Firmazione di accordi e organizzazione della logistica

Dopo che entrambe le parti hanno concordato il prezzo, viene firmato un contratto formale di riciclaggio per chiarire i dettagli della transazione.

4、 ispezione delle merci e pagamento rapido

Dopo l'arrivo delle merci in magazzino, viene effettuata la verifica finale della qualità dei prodotti.la società promette di completare il pagamento entro 3 giorni lavorativi per garantire che il cliente torni rapidamente alla capitaleI metodi di pagamento sono flessibili e possono essere organizzati in base alla domanda del cliente sotto forma di bonifico bancario, contanti e altre forme.

I. Consigli di valutazione dei moduli IGBT: concentrandosi sull'unità isolata e sull'integrazione del sistema

Gli IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistors) costituiscono la spina dorsale delle applicazioni ad alta potenza a media frequenza.La valutazione degli IGBT non riguarda solo il dispositivo in sé, ma criticamente il suo azionamento del cancello e l'alimentazione isolata.

Esempio del comitato di valutazione di base: SECO-LVDCDC3064-IGBT-GEVB

Questa scheda di valutazione affronta con precisione il requisito fondamentale per la guida IGBT: fornire un alimentatore stabile e isolato.

Design Core: Incorpora un controller NCV3064 di livello automotive ON Semiconductor integrato (equivalente di livello industriale: NCP3064) per costruire un convertitore DC-DC isolato dall'ingresso.

Le uscite chiave: fornisce rotaie stabili a tensione -7.5V/15V, con la rotaia negativa che garantisce un affidabile spegnimento IGBT e previene la conduzione indesiderata.5V power rail ausiliario è anche fornito.

Specifiche ad alte prestazioni: supporta un'ampia gamma di ingressi da 6V a 18V, funziona a una frequenza di commutazione fino a 150 kHz e ottiene un isolamento dielettrico fino a 4000 VAC,garantire un isolamento sicuro e affidabile tra i lati ad alta e bassa tensione.

Valore applicativo: funziona come una soluzione "plug-and-play", il suo pin-out è compatibile con alimentatori commerciali IGBT DC/DC,che consentono agli ingegneri di integrarlo rapidamente nelle schede di trasmissione degli inverter o dei motoriQuesto consente di concentrarsi sul debugging a livello di sistema piuttosto che progettare un alimentatore del driver da zero.Il suo elevato isolamento e la conformità AEC-Q lo rendono particolarmente adatto per applicazioni impegnative come gruppi motori automobilistici e inverter industriali.

Inoltre, l'innovativa tecnologia ibrida di ON Semiconductor IGBT (come l'AFGHL50T65SQDC,(che integra un IGBT a fermo campo con un diodo SiC Schottky in un unico pacchetto) richiedono una valutazione specializzata dell'unità per ottenere un equilibrio ottimale tra prestazioni di commutazione e perdite.

II. Tabelle di valutazione dei moduli MOSFET: layout ottimizzato e comodità di prova

I moduli MOSFET di potenza sono fondamentali per applicazioni ad alta frequenza e ad alta efficienza.e il supporto di metodologie avanzate di verifica delle prestazioni.

Esempio del comitato di valutazione di base: EVBUM2878G-EVB

Questa scheda è specificamente progettata per valutare i moduli MOSFET full-bridge (4-PACK) 1200V M3S in imballaggi F2.

Design Core: utilizza un PCB FR4 a quattro strati con spessore di rame di 70 μm,combinato con un layout a bassa induttanza per ridurre al minimo l'induttanza e la resistenza parassitaria nel circuito di alimentazione.

Caratteristiche chiave: incorpora quattro driver di cancello singolo isolato (2,5 kV resistente alla tensione) per garantire una guida indipendente e affidabile di ciascun braccio del ponte.La scheda supporta il Dual Pulse Test (DPT) e il test di potenza in circuito aperto, metodologie standard per valutare le caratteristiche di commutazione dinamica dei dispositivi di alimentazione quali le perdite di commutazione e la tensione di sovraccarico.

Progettazione user-friendly: le prese del connettore del segnale di ingresso/uscita facilitano la connessione ai controller esterni (fornendo segnali PWM) e la gestione dei segnali di guasto.Sono integrati più punti di prova per le comode misurazioni con oscilloscopio delle forme d'onda critiche.

Applicazione: rivolto principalmente a settori che richiedono un'elevata densità di potenza ed efficienza, come le sorgenti di alimentazione ininterrotte, i sistemi di accumulo di energia, le stazioni di ricarica dei veicoli elettrici,e inverter solari.

III. Consiglio di valutazione dei moduli di potenza intelligenti: semplificazione della progettazione, miglioramento dell'affidabilità

L'IPM (Intelligent Power Module) integra altamente IGBT o MOSFET, circuiti di guida e circuiti di protezione (ad esempio, sovra corrente, sotto tensione, sovra temperatura) all'interno di un unico pacchetto.La scheda di valutazione consente agli utenti di convalidare rapidamente tutte le funzioni dei moduli intelligenti e di costruire sistemi applicativi completi.

Componenti e tecnologia di valutazione di base: FOD848x IPM ottoisolato

Sebbene le informazioni dettagliate sulle schede di valutazione IPM di ON Semiconductor siano limitate nei risultati di ricerca, i componenti IPM opto-isolati della serie FOD848x rivelano il nucleo della valutazione IPM.

Core funzionale: questo dispositivo funge da ponte che collega il controller digitale al modulo di alimentazione, garantendo la trasmissione sicura e affidabile dei segnali di controllo.

Funzionamento chiave: caratterizzato da un'eccezionale immunità transitoria a modalità comune (CMTI) con un valore minimo di 20 kV/μs,sopprime efficacemente le interferenze acustiche ad alta frequenza generate dalle operazioni di commutazione del lato della potenza, impedendo i malfunzionamenti del lato logico. fornisce isolamento elettrico fino a 5000VAC, garantendo la sicurezza del sistema.

Valore del pannello di valutazione: un pannello di valutazione IPM completo (ad esempio, simile al progetto EVAL-M1-IM818-A di altri produttori) si basa su tali isolatori, integrando circuiti per il modulo IPM,rilevamento della corrente, campionamento della tensione del bus e filtraggio EMI. Fornisce agli utenti un front-end di inverter di potenza monofase o trifase quasi completo.Gli sviluppatori hanno solo bisogno di collegare una scheda di controllo MCU e un motore per avviare rapidamente la verifica di algoritmi avanzati come il controllo orientato a campo senza sensori.

IV. Tavole di valutazione dei moduli SiC: piattaforme all'avanguardia per le sfide dell'alta tensione e dell'alta velocità

I dispositivi a carburo di silicio (SiC) stanno rivoluzionando il fotovoltaico, i veicoli elettrici e le sorgenti elettriche di fascia alta grazie alle loro capacità ad alta tensione, alta temperatura e alta frequenza.Le loro commissioni di valutazione presentano le sfide di progettazione e la complessità più esigenti, che richiede la gestione di dV/dt più elevati, requisiti più severi di azionamento del cancello e robuste caratteristiche di protezione.

Esempio del comitato di valutazione di base: EVBUM2880G-EVB

Questa piattaforma avanzata valuta i moduli MOSFET a mezzo ponte (2-PACK) M3S EliteSiC da 1200V di ON Semiconductor.

Obiettivo di progettazione: fornire una piattaforma di prova robusta e flessibile per valutare le prestazioni estreme e la funzionalità dei moduli SiC.

Capacità di base: supporto completo per i test a doppio impulso e i test di alimentazione a circuito aperto.Il conducente del gate di bordo deve fornire le tensioni positive e negative del gate richieste per i SiC MOSFET (e.g., +15V/-3V a -5V), con ritardo di propagazione ultra basso e prestazioni CMTI eccezionali per sfruttare i vantaggi dell'SiC ad alta velocità.

Interfaccia del sistema: si connette a controller esterni per la ricezione di input PWM e l'elaborazione dei segnali di guasto restituiti dal modulo, facilitando l'integrazione in sistemi di controllo digitali più complessi.

Compatibilità e applicazioni: compatibile con molteplici varianti di moduli a corrente nominale (ad esempio, NXH010P120M3F1PTG), che coprono quasi tutti i moduli ad alta efficienza di nuova generazione,applicazioni ad alta densità di potenza, compresi i gruppi motori dei veicoli elettrici, inverter di trazione, inverter solari e alimentatori industriali di fascia alta.

Concorso di valutazione dedicato dei conducenti: NCP51705 Mini SMD Evaluation Board

Oltre alla valutazione a livello di modulo, ON Semiconductor offre soluzioni a livello di driver, come il Mini SMD Evaluation Board NCP51705.ottimizzato per l'azionamento dei MOSFET SiC, insieme a tutti i circuiti periferici e un isolatore digitale, con pad riservati per il packaging TO-247.che funge da modulo universale di valutazione del driver a basso o alto livello per aiutare gli ingegneri a convalidare rapidamente le prestazioni del circuito del driver su stadi di potenza personalizzati.