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Blog dell'azienda Ricicla il prodotto Qorvo GaN: Transistor RF GaN, Interruttore GaN, Amplificatore di potenza GaN, Modulo front-end GaN

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La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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—— Nishikawa dal Giappone

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Ricicla il prodotto Qorvo GaN: Transistor RF GaN, Interruttore GaN, Amplificatore di potenza GaN, Modulo front-end GaN
ultime notizie sull'azienda Ricicla il prodotto Qorvo GaN: Transistor RF GaN, Interruttore GaN, Amplificatore di potenza GaN, Modulo front-end GaN

Riciclare Qorvo GaN Prodotto:GaN RF Transistor,GaN Switch,GaN Power Amplifier,GaN Front End Module

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.è il principale fornitore cinese di servizi di riciclaggio di componenti elettronici, specializzato in servizi di riciclaggio professionale per vari tipi di componenti elettronici, offrendo ai clienti servizi efficienti, sicuri,e soluzioni di gestione delle scorte conformi.

 

Categorie di prodotti riciclati:i chip per circuiti integrati, i chip 5G, i circuiti integrati per nuove energie, i circuiti integrati IoT, i circuiti integrati Bluetooth, i circuiti integrati per veicoli (V2X), i circuiti integrati per l'automotive, i circuiti integrati per la comunicazione, i circuiti integrati per intelligenza artificiale (IA), ecc.;In aggiunta, forniamo circuiti integrati di memoria, circuiti integrati di sensori, circuiti integrati di microcontrollori, circuiti integrati di ricevitori, circuiti integrati di Ethernet, chip Wi-Fi, moduli di comunicazione wireless, connettori e altri componenti elettronici.

 

Dettagli per il riciclaggio:

1- riciclaggio di materiali elettronici, materiali inutilizzati, inventario di fabbrica, inventario elettronico, inventario personale, ecc.

2Forte forza finanziaria e fondi sufficienti, con una vasta esperienza nel riciclo, che consente un riciclo rapido in loco.

3. Fornendo diverse soluzioni di gestione delle scorte per i clienti da scegliere. Possiamo acquistare scorte di grandi dimensioni in una sola volta o offrire vendite in consegna.

4Onesto, affidabile e affidabile, con servizi professionali e convenienti e prezzi di riciclaggio ragionevoli.

 

Transistor RF a nitruro di gallio

I transistor RF al nitruro di gallio di Qorvo utilizzano la tecnologia avanzata GaN-on-SiC, un substrato di carburo di silicio.combinando l'elevata mobilità elettronica del materiale GaN con l'eccellente conduttività termica del substrato SiC, offrendo prestazioni eccezionali in applicazioni ad alta frequenza e alta potenza.con potenza di uscita pari a centinaia di watt e efficienza di potenza aggiunta (PAE) superiore al 60%, superando significativamente i dispositivi LDMOS tradizionali a base di silicio.

 

I transistor GaN RF di Qorvo includono:

Interruttori GaN ad alta potenza: utilizzati nei sistemi radar a serie di fasi e nelle apparecchiature di guerra elettronica, con velocità di commutazione a livello di nanosecondi e capacità di gestione di potenza estremamente elevata.Gli interruttori GaN della serie QPD1000 di Qorvo utilizzano un'innovativa tecnologia di imballaggio senza saldatura, in grado di gestire una potenza di picco superiore a 100 W nella banda X, con perdita di inserimento inferiore a 0,5 dB e isolamento superiore a 35 dB.

 

Transistor di potenza RF: progettati per le stazioni base 5G Massive MIMO e le stazioni di terra di comunicazione satellitare, offrendo un'elevata linearità e una eccezionale stabilità termica.Un esempio tipico è il transistor QPA2211 GaN di Qorvo, che fornisce 20W di potenza di uscita continua a 2,6 GHz, con un guadagno di potenza di 16 dB, rendendolo adatto per applicazioni su larga scala.

 

Amplificatori di potenza a nitruro di gallio

Gli amplificatori di potenza a nitruro di gallio sono una categoria di prodotto centrale nella linea di prodotti RF di Qorvo, ampiamente utilizzati nelle stazioni base 5G, nel backhaul a microonde, nei radar e nei sistemi elettronici di contromisura.Rispetto alle soluzioni tradizionali, GaN PA offrono una larghezza di banda più ampia, una maggiore efficienza e dimensioni più compatte, riducendo significativamente il consumo di energia del sistema e i costi operativi.

 

I tipi di amplificatori di potenza Qorvo GaN includono:

Amplificatori di potenza a banda larga: coprono più ottave, adatti alla guerra elettronica e ai sistemi radar multifunzionali.il Qorvo QPA1022 GaN PA fornisce una potenza di uscita satura di 10W nella gamma 2-18GHz, con un'efficienza di potenza aggiunta superiore al 30% e utilizza un pacchetto di montaggio superficiale da 7x7 mm per una facile integrazione del sistema.

 

QPA4501 GaN PA di Qorvo è specificamente progettato per la banda di 3,5 GHz,di potenza massima di 50 W a una larghezza di banda istantanea di 100 MHz con una magnitudine del vettore di errore (EVM) inferiore a 10,5%, che lo rende ideale per antenne MIMO su larga scala.

 

Moduli front-end a onde millimetriche: GaN PA integrato, amplificatore a basso rumore (LNA) e interruttore, frequenze operative estese alla banda Q (30-50GHz).il modulo front-end Qorvo QPF7250 per terminali 5G FWA (Fixed Wireless Access) comprende un PA GaN ad alta efficienza e un LNA a banda larga, che supporta la banda di frequenza 24-30 GHz con potenza di uscita fino a 27 dBm e rumore inferiore a 3 dB.

 

Moduli Front-End GaN

I moduli front-end GaN rappresentano una svolta tecnologica nell'integrazione a livello di sistema da parte di Qorvo, integrando amplificatori di potenza GaN, amplificatori a basso rumore, interruttori, filtri,e circuiti di controllo in un unico pacchettoTali soluzioni altamente integrate stanno accelerando l'adozione negli smartphone 5G, nelle piccole celle e nei dispositivi IoT.

 

I moduli front-end di Qorvo GaN includono:

5G FEM a onde millimetriche: supporta bande di onde millimetriche 5G come n257/n258/n260, in genere utilizzando la tecnologia AiP (Antenna in Package) per un design compatto.il modulo front-end Qorvo QPM2630 a onde millimetriche integra due canali di trasmissione e un canale di ricezione, operante a frequenze da 24 a 30 GHz, con ciascun canale TX che fornisce una potenza di uscita fino a 18 dBm, che lo rende adatto per smartphone e dispositivi CPE.

 

Moduli Wi-Fi 6/6E Front-End: combinazione di tecnologia GaN e filtraggio avanzato per soddisfare i requisiti di elevato throughput.integrazione di un PA, LNA e switch, con una potenza di uscita fino a 22 dBm e un EVM migliore di -35 dB a velocità MCS11, rendendolo una scelta ideale per router di fascia alta e punti di accesso di livello enterprise.

 

FEM per la difesa e l'aerospazio: soddisfa i requisiti estremi di affidabilità ambientale, comunemente utilizzati nelle comunicazioni satellitari e nelle radio militari.Questi prodotti utilizzano in genere speciali processi di imballaggio e screening., come il GaN FEM di Qorvo per l'industria aerospaziale, che opera in una gamma di temperature da -55°C a +125°C e offre una resistenza alle radiazioni superiore.

 

Dispositivi di commutazione del nitruro di gallio

I dispositivi di commutazione del nitruro di gallio svolgono un ruolo fondamentale nel routing del segnale RF e nella sintonizzazione dell'antenna.Qorvo ha sviluppato una serie di soluzioni di commutazione ad alte prestazioni combinando l'innovativo SOI (Silicon-on-Insulator) con la tecnologia GaN.

 

I prodotti di commutazione GaN di Qorvo includono principalmente:

Moduli di commutazione di antenna (ASM): integrati con più commutatori RF, filtri e logica di controllo, fornendo una soluzione RF front-end completa per dispositivi mobili.I prodotti GaN ASM di Qorvo presentano una bassa perdita di inserimento (< 1 dB tipico), un elevato isolamento (> 30 dB) e un'eccellente linearità (IP3 > 60 dBm), che li rende ideali per smartphone 5G e dispositivi IoT con spazio limitato.

 

Interruttori GaN discreti: disponibili in varie configurazioni, tra cui SPDT (singolo polo doppio lancio), SP4T (singolo polo quattro lancio) e MPMT (multi-polo multi-lancio),offrendo una maggiore flessibilità di progettazioneGli interruttori discreti GaN di Qorvo operano da DC a 6 GHz, fabbricati utilizzando la tecnologia pHEMT avanzata, con velocità di commutazione rapida (< 50 ns), basso consumo di energia (< 1 μA di corrente in standby),e eccellente protezione ESD (> 1 kV HBM).

 

Interruttori di diversità: caratterizzati da perdite di inserimento estremamente basse e prestazioni di isolamento eccellenti, questi interruttori migliorano significativamente la sensibilità di ricezione e il throughput dei sistemi wireless.Gli switch di diversità GaN di Qorvo sono ampiamente utilizzati nelle piccole celle 5G, router Wi-Fi 6/7 e sistemi di comunicazione automobilistica, che supportano l'aggregazione dei vettori e la tecnologia MIMO.

Tempo del pub : 2025-07-10 13:36:53 >> lista di notizie
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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

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