Blog dell'azienda Riciclare i transistor di potenza ST:IGBT, Power Bipolar, Power MOSFET, PowerGaN, SiC MOSFET

Riciclare i transistor di potenza ST:IGBT, Power Bipolar, Power MOSFET, PowerGaN, SiC MOSFET

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.è specializzata nel settore del riciclaggio di componenti elettronici da molti anni ed è un fornitore professionale di servizi di gestione delle scorte e di riciclaggio nel settore.prodotti originali del fabbricante, scorte obsolete, prodotti ritirati e chip in uso a prezzi altamente competitivi, aiutando le imprese a eliminare rapidamente le loro scorte, recuperare il capitale e ridurre i costi di magazzinaggio e gestione.

I principali vantaggi dei nostri servizi di riciclo

Acquisti completi: non è richiesta alcuna quantità minima di acquisto; possiamo fornire preventivi per tutto, dai piccoli lotti di campioni ai vassoi pieni di scorte;

Settlement in contanti efficiente: valutazione preliminare online basata su fotografie; per le spedizioni sfuse, possiamo organizzare l'ispezione in loco; il pagamento viene effettuato immediatamente dopo la conferma;

Adatto a una vasta gamma di fonti: accettiamo scorte di fabbrica non vendute, scorte di progetto sospese, scorte di smistamento e componenti nuovi di zecca;

Manipolazione standardizzata dei materiali: la manipolazione dei materiali riciclati è conforme alle normative pertinenti;Abbiamo stabilito partnership complete con i canali di riciclo dei componenti per aiutare le imprese a capitalizzare sulle attività inutilizzate e liberare spazio in magazzino.

Processo di transazione

Invio dell'elenco di inventario: compilare informazioni dettagliate sui componenti (numero di parte, quantità, lotto, tipo di imballaggio, condizione, imballaggio) e inviarle tramite WeChat, e-mail o telefono;

Precisa quotazione: il nostro team di valutazione verificherà rapidamente le specifiche in base alle condizioni di mercato ed emetterà una quotazione formale;

Conferma della transazione: una volta raggiunto un accordo tra le due parti, viene firmato un accordo di riciclaggio e vengono prese le disposizioni per la consegna (collezione presso i locali o tramite corriere);

Consegna e pagamento: il regolamento viene eseguito immediatamente dopo l'ispezione in loco o il ricevimento della merce, garantendo un pagamento rapido.

I. Transistor a giunzione bipolare di potenza (BJT)

I transistor a giunzione bipolare di potenza (BJT) sono classici dispositivi di potenza a corrente controllata e sono stati tra i primi transistor di potenza ad essere industrializzati.ST ha sviluppato una gamma di prodotti a transistor a giunzione bipolare altamente affidabili ed economici, progettati principalmente per condizioni di funzionamento a media e bassa tensione, a bassa frequenza e ad alta corrente in stato stazionario.

1Principio di funzionamento fondamentale

I transistor a giunzione bipolare di potenza sono dispositivi conducenti bipolari che si basano su un ingresso di base per controllare continuamente la corrente,azionamento della conduzione e del taglio della corrente tra l'emittente e il collettoreCome dispositivi a corrente, completamente controllati, i portatori di elettroni e di fori partecipano al processo di conduzione.richiedono una corrente continua di azionamento di base per mantenere lo stato di attivazione durante il funzionamento e non dispongono di una struttura di controllo della tensione del cancello.

2Caratteristiche tecniche principali

I transistor bipolari di potenza ST ′ coprono un ampio intervallo di tensione, da 15 V a 1.700 V e comprendono prodotti con configurazioni Darlington convenzionali e ad alto guadagno,con potenza nominale di corrente compresa tra diversi ampere e diverse centinaia di ampereI loro principali vantaggi comprendono basse tensioni di saturazione, basse perdite di conduzione allo stato stazionario a correnti elevate, forte resistenza agli urti, processi di produzione maturi, basso costo,e affidabilità dimostrata nel corso di decenni sul mercato.

Tuttavia, questi dispositivi presentano notevoli carenze: velocità di commutazione lente, con frequenze di funzionamento generalmente inferiori a 50 kHz, che li rendono inadatti per applicazioni di conversione ad alta frequenza;perdite di azionamento elevate, che richiede una corrente di base continua e comporta un elevato consumo di potenza nel circuito di trasmissione; e perdite di commutazione relativamente elevate,con velocità di risposta dinamica molto inferiori a quelle dei MOSFET e degli IGBTDi conseguenza, essi vengono gradualmente sostituiti da dispositivi di potenza più recenti e sono ora mantenuti solo nelle applicazioni tradizionali in cui rimangono essenziali.

3. Scenari di applicazione fondamentali

Sono utilizzati principalmente in applicazioni di controllo industriali tradizionali caratterizzate da bassa frequenza, bassa velocità e alta corrente stazionaria, compresi i motori a bassa frequenza,alimentatori a commutazione di linea a frequenza, driver di relè, circuiti di regolazione della tensione industriale, apparecchiature inverter su piccola scala e circuiti amplificatori di potenza audio.Essi sono utilizzati prevalentemente nelle apparecchiature industriali di consumo e di fascia bassa, dove la frequenza di commutazione non è un requisito e il controllo dei costi è una priorità..

II. MOSFET ST Power (a base di silicio)

I MOSFET di potenza a base di silicio sono gli ST ′ più utilizzati e diversificati di dispositivi di potenza a media e bassa tensione.Come dispositivi unipolari a tensione controllata che si basano esclusivamente su vettori di maggioranza per la conduzione, hanno completamente superato le limitazioni di alta frequenza dei transistor bipolari e sono i dispositivi tradizionali per i sistemi elettronici ad alta frequenza ad alta potenza di piccole e medie potenze.ST offre una gamma completa di prodotti MOSFET di potenza, compresi i tipi a bassa tensione, media e alta tensione, e i tipi a super giunzione, per applicazioni industriali di uso generale e di fascia alta.

1Principi operativi fondamentali

I MOSFET di potenza sono dispositivi a tensione, completamente controllati, che regolano la conduzione del canale e l'interruzione tramite una tensione di soglia tra il cancello e la fonte.La conduttività si basa esclusivamente sugli elettroni come unico vettore di carica, senza processo di ricombinazione dei portatori di minoranza, con conseguente tempi di risposta di commutazione estremamente rapidi.I dispositivi presentano un'impedenza di ingresso estremamente elevata e non richiedono praticamente alcuna corrente di azionamento durante il funzionamento a stato stazionario, con conseguente semplificazione dei circuiti di azionamento e un consumo energetico minimo.

2Caratteristiche tecniche principali

I MOSFET di potenza a base di silicio ST ′ coprono una gamma di tensione da 20 V a 900 V, una gamma di corrente da milliamperi a diverse centinaia di ampere e frequenze operative da 100 kHz a diversi MHz,rendendoli ideali per applicazioni di conversione ad alta frequenzaI loro principali vantaggi comprendono velocità di commutazione rapida, perdite di commutazione estremamente basse, esigenze di azionamento semplici, buona stabilità termica, forte immunità alle interferenze,e nessun rischio di ripartizione secondaria.

Le tecnologie proprietarie di ST includono le serie SuperJunction CoolMOS e SupremMOS, che riducono significativamente la resistenza di accensione (Rds ((on)) attraverso un'architettura di chip ottimizzata,ottenendo così perdite di conduzione inferiori e una maggiore densità di potenzaUn limite risiede nel notevole svantaggio della caduta di tensione in avanti in condizioni di alta tensione; nelle applicazioni ad alta tensione e ad alta potenza superiori a 600 V,le perdite di conduzione sono superiori a quelle dei dispositivi IGBT.

3. Scenari di applicazione fondamentali

Ampiamente utilizzati nelle apparecchiature elettroniche ad alta frequenza di piccole e medie potenze, sono componenti fondamentali dell'elettronica di consumo e delle apparecchiature di telecomunicazione.Le applicazioni tipiche includono gli adattatori per telefoni cellulari, alimentatori di commutazione per PC, alimentatori per server e telecomunicazioni, convertitori DC-DC, motori a bassa tensione, sistemi di controllo domestici intelligenti e sistemi di alimentazione a bassa tensione per automobili.

III. ST IGBT (transistor bipolare a porta isolata)

L'IGBT è un dispositivo di alimentazione composito che combina i vantaggi dei MOSFET e dei transistor bipolari, bilanciando perfettamente i requisiti di alta tensione,funzionamento ad alta corrente e a frequenza media-altaLa gamma di prodotti IGBT di ST® copre più livelli di applicazione, inclusi i consumatori, i distributori e i distributori.industriali, il trasporto automobilistico e ferroviario e si adatta a una vasta gamma di condizioni di potenza e di frequenza.

1Principi operativi fondamentali

L'IGBT integra la struttura di azionamento a gate-voltage di un MOSFET con la struttura di conduzione ad alta corrente di un transistor bipolare.Il lato di ingresso utilizza una struttura MOSFET per consentire un funzionamento a tensione e un basso consumo di potenza dell'azionamentoIl lato di uscita utilizza una struttura di conduzione bipolare, che riduce la caduta di tensione della conduzione ad alta tensione attraverso l'iniezione di portatori di minoranza.Combina così le caratteristiche ad alta frequenza dei dispositivi unipolari con i vantaggi della bassa perdita di conduzione dei dispositivi bipolari.

2Caratteristiche tecniche principali

Gli IGBT ST coprono una gamma di tensione da 600 V a 6,5 kV e correnti nominali fino a diverse migliaia di amperes, che li rendono adatti per applicazioni ad altissima potenza.Le loro frequenze di funzionamento variano tipicamente da diversi kHz a 50 kHzI loro principali vantaggi comprendono perdite di conduzione estremamente basse a elevate tensioni e correnti,elevata densità di corrente, resistenza ad elevate tensioni, esigenze di azionamento semplici ed eccellente stabilità.

Le limitazioni del dispositivo includono la corrente di scarico durante il processo di spegnimento, velocità di commutazione inferiori a quelle dei MOSFET di potenza e dispositivi a banda larga,e un aumento significativo delle perdite di commutazione in condizioni di alta frequenzaST ha lanciato serie specializzate su misura per diversi scenari, come gli IGBT ad alta velocità,IGBT a basse perdite e IGBT per l'automotive, bilanciando le caratteristiche di perdita e di frequenza.

3. Scenari di applicazione fondamentali

Concentrandosi sulle applicazioni di elettronica di potenza ad alta potenza a media e alta tensione, compresi i motori motori industriali a frequenza variabile, i sistemi UPS (alimentazione ininterrotta),macchine di saldatura industriali, apparecchiature di riscaldamento ad induzione, inverter fotovoltaici ed eolici, sistemi di controllo dei veicoli elettrici, convertitori di trazione per il trasporto ferroviario e stabilizzatori di tensione industriali ad alta tensione.

IV. ST Dispositivi di potenza GaN (nitrito di gallio)

I dispositivi GaN (nitruro di gallio) sono dispositivi semiconduttori a banda larga di terza generazione.applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza e miniaturizzateQuesti dispositivi hanno superato i limiti di frequenza ed efficienza dei dispositivi a base di silicio e sono i componenti fondamentali per l'aggiornamento di alimentatori di alta frequenza, da media a bassa potenza.

1Principi operativi fondamentali

I dispositivi di alimentazione GaN ST ̇ sono dispositivi a tensione controllata in modalità di potenziamento, che sfruttano le elevate caratteristiche di mobilità elettronica del materiale GaN a banda larga.non richiedono la struttura di conduzione a giunzione PN presente nei dispositivi a base di silicioInvece, si basano su un gas elettronico bidimensionale (2DEG) per ottenere una conduzione ad alta velocità.con una capacità di accensione superiore a 20 W.

2Caratteristiche tecniche principali

I dispositivi GaN ST ′ sono principalmente disponibili in tensioni nominali di 100 V e 650 V, offrendo vantaggi fondamentali eccezionali: velocità di commutazione molto superiori a quelle dei MOSFET a base di silicio,con frequenze di funzionamento fino a decine di MHz, con conseguente riduzione significativa delle perdite di commutazione; la resistenza di accensione è estremamente bassa, producendo perdite in stato di accensione superiori a quelle dei dispositivi a base di silicio della stessa specifica;i dispositivi sono di dimensioni minori e offrono una densità di potenza significativamente superiore, consentendo la miniaturizzazione e la riduzione del peso delle apparecchiature di alimentazione.

Rispetto ai dispositivi a base di silicio, i dispositivi GaN offrono una maggiore resistenza alle alte temperature e alla rottura ad alta tensione, con perdite di recupero inverso vicine a zero,Risoluzione completa del problema delle perdite inverse in condizioni di funzionamento ad alta frequenzaI loro svantaggi includono costi più elevati rispetto ai dispositivi a base di silicio, requisiti più severi per la precisione del circuito di azionamento e vincoli più esigenti sul layout e sulla progettazione del processo dei PCB.

3. Scenari di applicazione fondamentali

Questi dispositivi sono principalmente destinati a applicazioni di conversione di potenza ad alta frequenza, ad alta efficienza e miniaturizzate di fascia alta, comprese le sorgenti di alimentazione a ricarica rapida di fascia alta,alimentatori per server ad alta frequenza, alimentatori per stazioni base di telecomunicazioni, caricabatterie di bordo (OBC) per veicoli, convertitori DC-DC ad alta frequenza, alimentatori leggeri per nuove energie,e attrezzature elettriche su piccola scala per il settore aerospaziale.

V. ST SiC MOSFET (carburo di silicio)

I MOSFET SiC (carburo di silicio) sono attualmente i principali dispositivi a banda larga nel settore dell'alta tensione e dell'alta potenza.ST ha sviluppato una gamma completa di MOSFET SiC commerciali che coprono tutte le potenze di media e alta tensioneGrazie alla loro capacità di sopportare tensioni ultra elevate, perdite ultra basse e resistenza alle alte temperature,Sono gradualmente sostituendo i tradizionali IGBT a base di silicio per diventare i componenti chiave in alta gamma, apparecchiature ad alta potenza per nuove applicazioni energetiche.

1Principio di funzionamento fondamentale

I MOSFET ST SiC sono fabbricati da carburo di silicio monocristallino 4H-SiC e sono dispositivi unipolari a tensione controllata.Essi si basano esclusivamente sui portatori di elettroni per la conduzione e sono liberi dall'effetto di coda del portatore di minoranza, risolvendo così completamente il collo di bottiglia delle perdite di commutazione associato agli IGBT a base di silicio.La resistenza al campo di degradazione e la conduttività termica sono molto superiori a quelle del silicio, offrendo un'idoneità eccezionale per applicazioni ad alta tensione e ad alta frequenza.

2Caratteristiche tecniche principali

I MOSFET SiC commerciali di ST® coprono un intervallo di tensione da 650 V a 3.300 V, con dispositivi prototipo che raggiungono fino a 6.500 V, rendendoli adatti per applicazioni ad altissima tensione e alta potenza.Le loro caratteristiche principali includono un'elevata resistenza al campo di rottura, resistenza alle alte temperature e eccellente conduttività termica, che consentono un funzionamento stabile in condizioni di elevata temperatura e difficili; sono caratterizzati da velocità di commutazione estremamente elevate,con una capacità di accumulo di calore superiore a 50 W,Essi presentano perdite di conduzione estremamente basse in condizioni di alta tensione e corrente, con un'efficienza energetica complessiva molto superiore a quella dei dispositivi a base di silicio.

Rispetto ai dispositivi GaN, i dispositivi SiC offrono tensioni nominali più elevate, una resistenza superiore alle alte temperature e una maggiore capacità di potenza, il che li rende ideali per applicazioni ad alta tensione e alta potenza;i loro svantaggi includono il costo più elevato del dispositivo, requisiti rigorosi per i processi di imballaggio e di trasmissione e un ostacolo relativamente elevato alla progettazione del sistema.

3. Scenari di applicazione fondamentali

Concentrandosi su applicazioni di fascia alta, ad alta tensione, ad alta potenza, ad alta efficienza e ad alta affidabilità, si tratta di componenti fondamentali del nuovo settore energetico.Le applicazioni comprendono gli inverter di trazione principale per veicoli a nuova energia, convertitori di alta tensione DC-DC di bordo, stazioni di ricarica, inverter fotovoltaici e eolici su larga scala, sistemi di accumulo di energia PCS, apparecchiature industriali ad alta tensione a frequenza variabile,sistemi di trazione per il trasporto ferroviario, e attrezzature militari di alta tecnologia.