Blog dell'azienda Riciclare i MOSFET TI:MOSFET a canale N, MOSFET a canale P, blocchi di alimentazione

Ricicla TI MOSFET: MOSFET a canale N, MOSFET a canale P, Power Block

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.è un fornitore leader di servizi di riciclaggio di componenti elettronici in Cina, specializzato nel riciclaggio di componenti elettronici, tra cui: circuiti integrati, chip 5G, circuiti integrati per nuove energie, circuiti integrati IoT, IC Bluetooth, IC vehicle-to-everything (V2X), IC di grado automobilistico, IC di comunicazione, IC di intelligenza artificiale, IC di memoria, IC di sensori, IC di microcontroller, IC di transceiver, IC Ethernet, chip WiFi, moduli di comunicazione wireless, connettori e altro ancora. Con una profonda conoscenza del mercato e un'ampia rete di vendita, offriamo ai clienti i prezzi di riciclaggio più competitivi e ci impegniamo a diventare il loro partner più fidato nel settore del riciclaggio di componenti elettronici.

Processo di riciclaggio:

1. Ordina il tuo inventario di IC/moduli in eccesso, identificando modello, marca, data di produzione e quantità.

2. Invia l'elenco dell'inventario via fax o e-mail al nostro team di valutazione.

3. Attendi il preventivo di acquisto professionale dell'azienda. Dopo aver raggiunto un accordo, entrambe le parti negozieranno il metodo di transazione specifico per la consegna.

4. L'azienda ricicla solo componenti provenienti da canali ufficiali, come distributori, commercianti e fabbriche di utenti finali, e non accetta componenti da canali non ufficiali.

NexFET™ MOSFET offre un'ampia gamma di moduli di alimentazione a canale N e a canale P, nonché soluzioni di alimentazione discrete. I nostri MOSFET altamente integrati supportano una maggiore efficienza, una maggiore durata della batteria, una maggiore densità di potenza e frequenze più elevate per una commutazione rapida. Questi vantaggi offrono flessibilità per progetti miniaturizzati e consentono agli ingegneri progettisti di ridurre il time-to-market.

MOSFET a canale N

I MOSFET a canale N sono un componente chiave della linea di prodotti T Power Semiconductor, che offre vantaggi come la bassa resistenza in conduzione e la velocità di commutazione rapida.

I MOSFET a canale N di TI includono principalmente i seguenti tipi:

MOSFET a canale N a bassa tensione (<100V): come CSD17313Q2, CSD18532Q5B, ecc., adatti per la gestione dell'alimentazione, i driver LED e altre applicazioni di elettronica di consumo.

MOSFET a canale N a media-alta tensione (100V–600V): inclusi modelli come CSD19536Q5A e CSD19535KCS, comunemente utilizzati in azionamenti per motori industriali, alimentatori switching e altre applicazioni.

MOSFET a canale N ad altissima tensione (>600V): utilizzati principalmente in applicazioni ad alta potenza come la generazione di energia rinnovabile e le stazioni di ricarica per veicoli elettrici.

Questi MOSFET a canale N utilizzano tecnologie di processo avanzate, come la tecnologia NexFET™ power MOSFET di TI, con carica di gate (Qg) ottimizzata e bassa resistenza in conduzione (RDS(on)), migliorando significativamente l'efficienza del sistema.

MOSFET a canale P

I MOSFET a canale P sono comunemente utilizzati nella progettazione di circuiti per semplificare le architetture di gestione dell'alimentazione. I prodotti a canale P di TI sono rinomati per le loro alte prestazioni e affidabilità.

I MOSFET a canale P di TI includono:

MOSFET a canale P standard: come i modelli CSD25404Q3 e CSD25402Q3, adatti per la commutazione del carico, la gestione del percorso di alimentazione e altre applicazioni.

MOSFET a canale P di grado automobilistico: prodotti conformi alla certificazione AEC-Q101, come il CSD25401Q3A, adatti per sistemi elettronici automobilistici.

MOSFET a canale P a segnale piccolo: Utilizzando package compatti come SOT-23, questi sono progettati per dispositivi portatili e applicazioni con spazio limitato.

I MOSFET a canale P di TI presentano una bassa carica di gate e caratteristiche del diodo corpo ottimizzate, riducendo le perdite di commutazione e migliorando l'efficienza complessiva del sistema.

Power Block

I Power Block integrano MOSFET, circuiti driver e funzioni di protezione, adatti per applicazioni che richiedono un'elevata densità di potenza ed efficienza.

I modelli chiave includono:

LMG3410R050: Integra un FET GaN da 600 V con circuiti driver, supportando una conversione di potenza efficiente, adatto per alimentatori per server, data center e sistemi di alimentazione industriali.

LMG3522R030: modulo di alimentazione GaN da 650 V con protezione da sovracorrente e funzioni di monitoraggio della temperatura, ampiamente utilizzato nelle stazioni di ricarica per veicoli elettrici, negli inverter solari e in altre applicazioni ad alta potenza.

Moduli di alimentazione tradizionali basati su silicio: inclusi vari convertitori DC-DC, moduli POL (Point-of-Load), ecc.

I Power Block di TI utilizzano una tecnologia di packaging avanzata e un design di gestione termica per migliorare significativamente la densità di potenza e l'affidabilità del sistema.