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Blog dell'azienda Memoria DRAM SAMSUNG K3KL3L30DM-BGCU CI di memoria ad accesso casuale dinamico a basso consumo da 128 Gb

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La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

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Memoria DRAM SAMSUNG K3KL3L30DM-BGCU CI di memoria ad accesso casuale dinamico a basso consumo da 128 Gb
ultime notizie sull'azienda Memoria DRAM SAMSUNG K3KL3L30DM-BGCU CI di memoria ad accesso casuale dinamico a basso consumo da 128 Gb

SAMSUNG DRAM Memory K3KL3L30DM-BGCU 128Gb Low-Power Dynamic Random Access Memory IC

 

ultime notizie sull'azienda Memoria DRAM SAMSUNG K3KL3L30DM-BGCU CI di memoria ad accesso casuale dinamico a basso consumo da 128 Gb 0

 

Descrizione

K3KL3L30DM-BGCU è una memoria di accesso casuale dinamica a bassa potenza da 128 Gb per dispositivi mobili e di bordo.

 

Con velocità 1,3 volte superiori alla generazione precedente e un'efficienza energetica del 20% superiore,La DRAM a bassa potenza LPDDR5X va oltre il mobile, guidando il mercato della DRAM a bassa potenza più che mai per potenziare i PC ad alte prestazioni, server e veicoli in tutti i modi nuovi.

 

Specificità
Densità: 128 Gb
Organizzazione: x64
Velocità: 8533 Mbps
Voltaggio:10,8 / 1,05 / 0,9 / 0,5 V
Temperatura: -25 ~ 85 °C
Confezione:496-FBGA

Tempo del pub : 2024-06-20 10:53:11 >> lista di notizie
Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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