Blog dell'azienda SK hynix Memoria IC HMAA8GR7CJR4N-XN:DIMM DDR4 SDRAM registrati a bassa potenza ad alta velocità

¢SK hynix Memoria IC ¢HMAA8GR7CJR4N-XN:DIMM registrati DDR4 SDRAM a bassa potenza ad alta velocità

HMAA8GR7CJR4N-XNI DIMM registrati DDR4 SDRAM (Registered Double Data Rate Synchronous DRAM Dual In-Line Memory Modules) sono moduli di memoria a bassa potenza e ad alta velocità che utilizzano dispositivi DDR4 SDRAM.Questi DIMM SDRAM registrati sono destinati all'uso come memoria principale quando sono installati in sistemi quali server e postazioni di lavoro.

Specificità diHMAA8GR7CJR4N-XN
Capacità di memoria: 64 GB
Tecnologia della memoria: SDRAM DDR4
Tensione del prodotto:1,2V
Velocità della RAM:3200 MHz
RAM Standard:DDR4-3200/PC4-25600
Identificazione dell'errore:ECC
Tipo di segnale:Registrato
Strobe di accesso a colonna (CAS):CL22
Rango:Rango doppio x4
Quantità di pin:288-pin
RAM Genere:RDIMM

Caratteristica delHMAA8GR7CJR4N-XN
Fornitura di alimentazione: VDD=1.2V (1,14V a 1,26V)
VDDQ = 1,2 V (1,14 V a 1,26 V)
VPP- 2,5V (2,375V a 2,75V)
VDDSPD=2,25V a 2,75V
16 banche interne
Tassi di trasferimento dati: PC4-3200, PC4-2933, 2666, PC4-2400, PC4-2133, PC4-1866, PC4- 1600
Strobe di dati differenziali bidirezionali
8 bit pre-fetch
Distanza di scatto (BL) interruttore on-the-fly BL8 o BC4 (Burst Chop)
Supporta la correzione e il rilevamento degli errori ECC
Termination on-die (ODT) (terminazione immediata)
Sensore di temperatura con SPD integrato
Adressabilità per DRAM supportata
È disponibile la generazione interna del livello di Vref DQ
Scrivere CRC è supportato a tutti i gradi di velocità
DBI (Data Bus Inversion) è supportato (x8)
È supportata la modalità di parità CA (Command/Address Parity)