Blog dell'azienda ST Low Side Switch VND3NV04TR OMNIFET II™ Series MOSFET di potenza completamente autoprottetivo

Interruttore lato basso STVND3NV04TRMOSFET di potenza completamente autoprotetto serie OMNIFET II™

STVND3NV04TRfornito daElettronica Mingjiadaè un dispositivo MOSFET di potenza che integra funzionalità di protezione avanzate. Appartenente alla serie OMNIFET II™ di STMicroelectronics, è prodotto utilizzando la tecnologia di processo VIPower™ M0-3. Questo VND3NV04TR è progettato specificamente per applicazioni che sostituiscono i MOSFET di potenza standard, adatti per scenari operativi che abbracciano la gamma di frequenze da CC a 50kHz.

Descrizione del prodotto Dettagli
Architettura di base: ilVND3NV04TRè un driver low-side a canale singolo alloggiato in un package TO-252-3 (DPAK) con una configurazione a 2 conduttori più linguetta. Questo interruttore di alimentazione completamente autoprotetto integra molteplici funzionalità di protezione, consentendo la sostituzione diretta dei MOSFET di potenza convenzionali.
Caratteristiche di ingresso/uscita: VND3NV04TR presenta un rapporto ingresso-uscita 1:1 con una configurazione di ingresso non invertente, utilizzando una semplice interfaccia di controllo on/off. Questo design garantisce la compatibilità con l'utilizzo dei MOSFET di potenza standard, facilitando aggiornamenti e sostituzioni senza soluzione di continuità nei progetti esistenti.
Processo tecnologico: in quanto prodotto di punta della serie OMNIFET II, ​​VND3NV04TR utilizza la tecnologia avanzata VIPower M0-3 di STMicroelectronics per fornire una soluzione di interruttore di alimentazione intelligente integrata monolitica.

Specifiche
Caratteristiche Elettriche: IlVND3NV04TRsupporta una tensione di carico massima di 36 V, una tensione di rottura drain-source nominale di 40 V, una corrente di drain continua di 3,5 A e un limite di corrente di uscita di picco di 5 A. Con una resistenza tipica di 120 mΩ, offre una bassa dissipazione di potenza.
Caratteristiche di commutazione: il VND3NV04TR presenta un tempo di accensione di 1,35 μs e un tempo di spegnimento di 10 μs, con tempi di salita e discesa a 250 ns. Questi parametri indicano l'idoneità per applicazioni di commutazione a media frequenza.
Prestazioni termiche: il VND3NV04TR offre una dissipazione di potenza massima di 35 W e funziona in modo affidabile entro un intervallo di temperature di giunzione compreso tra -40 °C e 150 °C. Ciò consente l'implementazione in ambienti operativi impegnativi.

Caratteristiche del prodotto
Protezione Integrata: IlVND3NV04TRoffre una protezione integrata completa, tra cui limitazione di corrente lineare, arresto termico, protezione da cortocircuito e bloccaggio integrato. Queste caratteristiche consentono al VND3NV04TR di resistere a condizioni operative impegnative, migliorando l'affidabilità del sistema.
Feedback diagnostico: il VND3NV04TR possiede la capacità di rilevare stati di guasto tramite pin di ingresso, fornendo funzionalità di feedback diagnostico. Questa funzionalità consente il monitoraggio dello stato, migliorando la manutenibilità del sistema.
Basso consumo energetico in standby: il VND3NV04TR presenta un consumo minimo di corrente sui pin di ingresso incorporando al contempo la protezione ESD, in conformità con i requisiti della Direttiva europea 2002/95/CE. Queste caratteristiche pongono particolare enfasi sull'efficienza energetica e sull'affidabilità.

Aree di applicazione
Sistemi di controllo industriale: ilVND3NV04TRè adatto per il pilotaggio di carichi industriali resistivi, induttivi e capacitivi, applicabile in scenari quali la gestione dell'alimentazione e il controllo motori. In queste applicazioni, le funzionalità di protezione del VND3NV04TR prevengono danni al dispositivo causati da sovracorrente o surriscaldamento.
Elettronica automobilistica: con il suo ampio intervallo di temperature operative da -40°C a 150°C, il VND3NV04TR è adatto per diverse applicazioni di guida di carichi negli ambienti automobilistici. La sua robustezza gli consente di resistere alle difficili condizioni dell'elettronica automobilistica.
Sostituzione dei MOSFET tradizionali: il VND3NV04TR è progettato specificamente per sostituire i MOSFET di potenza standard, offrendo maggiore affidabilità e integrazione in particolare nelle applicazioni da CC a 50kHz. L'utilizzo del VND3NV04TR semplifica la progettazione del circuito e riduce il numero di componenti esterni richiesti.

Riepilogo
Essendo un MOSFET di potenza completamente protetto all'interno della famiglia OMNIFET II™, l'STVND3NV04TRintegra funzionalità di protezione complete con eccellenti caratteristiche elettriche, offrendo una soluzione altamente affidabile per il controllo industriale e le applicazioni elettroniche automobilistiche.

Elettronica Mingjiadamantiene la fornitura a lungo termine delVND3NV04TRdispositivo. Per ulteriori informazioni sul prodotto o richieste di campioni, visitare il sito web di Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) per visualizzare il dettaglio della fornitura.