ST STL26N60DM6 Transistor MOSFET di potenza N-Channel 600V 15A MDmesh DM6 ad alta tensione
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. è un distributore di componenti elettronici di fama mondiale, che fornisce il STL26N60DM6 transistor MOSFET a canale N ad alta tensione. Utilizzando l'avanzata tecnologia MDmesh DM6, offre prestazioni di commutazione eccezionali ed efficienza energetica in applicazioni ad alta tensione a 600V.
L'STL26N60DM6 MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione da 600V, 15A è particolarmente adatto per applicazioni che richiedono alta efficienza e commutazione rapida, come stazioni di ricarica per veicoli elettrici, convertitori di potenza per apparecchiature di telecomunicazione e inverter solari.
【Punti salienti della tecnologia MDmesh DM6】
La serie MDmesh DM6 rappresenta l'avanguardia della moderna tecnologia MOSFET di potenza ad alta tensione, profondamente ottimizzata per convertitori ad alta efficienza e topologie a ponte.
Rispetto alle generazioni precedenti, la tecnologia DM6 offre miglioramenti significativi nella resistenza on per unità di area, insieme a una carica di gate ridotta e caratteristiche di commutazione superiori.
Il vantaggio principale di questa tecnologia risiede nella sua configurazione di capacità ottimizzata e nel processo di soppressione della durata specializzato.
Ciò consente ai MOSFET della serie DM6 di combinare molteplici vantaggi: bassa carica di gate (Qg), bassa carica di recupero (Qrr) e breve tempo di recupero (trr), rendendoli particolarmente adatti per circuiti di commutazione ad alta frequenza.
I dispositivi MDmesh DM6 sono sottoposti a test di valanga al 100% per garantire l'affidabilità in condizioni operative estreme e incorporano la protezione Zener per un'eccezionale tolleranza dv/dt.
Queste caratteristiche rendono i prodotti della serie DM6 come l'STL26N60DM6 ideali per topologie a ponte e convertitori a sfasamento ZVS.
【STL26N60DM6 Panoramica del prodotto】
L'STL26N60DM6 è un MOSFET di potenza a canale N alloggiato in un package PowerFlat™ (8x8) HV a montaggio superficiale.
Con una tensione drain-source nominale di 600V e in grado di gestire una corrente di drain continua di 15A, offre una dissipazione di potenza massima di 110W a 25°C.
L'STL26N60DM6 presenta una resistenza on massima di soli 215 milliohm (a una corrente di 7,5A e una tensione di gate di 10V).
Questa bassa resistenza on si traduce direttamente in una maggiore efficienza energetica e in una ridotta emissione termica, consentendo un funzionamento stabile in applicazioni ad alta potenza.
Il MOSFET presenta una tensione di soglia di gate massima di 4,75V (in condizioni di test a 250μA) e un intervallo di tensione di funzionamento del gate di ±25V.
L'STL26N60DM6 presenta una carica di gate (Qg) di 24 nC (a una tensione di gate di 10 V) e una capacità di ingresso massima (Ciss) di 940 pF (a una tensione drain-source di 100 V).
Questi parametri assicurano che l'STL26N60DM6 raggiunga una commutazione rapida facilitando al contempo la progettazione del circuito driver.
L'STL26N60DM6 funziona su un ampio intervallo di temperature di giunzione da -55°C a 150°C, consentendo l'adattamento a diverse condizioni ambientali esigenti.
【Vantaggi tecnici e caratteristiche di STL26N60DM6】
Uno dei vantaggi più notevoli dell'STL26N60DM6 sono le sue caratteristiche del diodo del corpo a recupero rapido.
Rispetto alle generazioni precedenti, la tecnologia DM6 raggiunge una significativa riduzione della resistenza on per unità di area mantenendo al contempo perdite di commutazione estremamente basse.
Il dispositivo presenta anche un'eccezionale robustezza dv/dt, con una pendenza di tensione di recupero del diodo di picco di 100V/ns e una resistenza dv/dt del MOSFET che raggiunge ugualmente i 100V/ns.
L'STL26N60DM6 è sottoposto a test di valanga al 100% per garantire l'affidabilità in condizioni operative estreme.
Una struttura di protezione Zener fornisce un'ulteriore barriera di sicurezza, mentre un pin di sorgente di pilotaggio extra ottimizza le prestazioni di commutazione.
Queste caratteristiche rendono collettivamente l'STL26N60DM6 una scelta ideale per le applicazioni ad alta efficienza più esigenti, in particolare quelle che richiedono la gestione di un dv/dt dinamico elevato in applicazioni e topologie.
【STL26N60DM6 Aree di applicazione】
L'STL26N60DM6 è adatto per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione di potenza, in particolare dove l'alta efficienza e la commutazione rapida sono fondamentali.
Nelle stazioni di ricarica per veicoli elettrici, la capacità ad alta tensione e le caratteristiche di commutazione rapida dell'STL26N60DM6 lo rendono una scelta ideale per la sezione di conversione di potenza.
Per le apparecchiature di telecomunicazione o i convertitori di potenza dei data center, l'alta efficienza e la robustezza dell'STL26N60DM6 garantiscono un funzionamento stabile del sistema.
Nelle applicazioni di inverter solari, le caratteristiche del diodo a recupero rapido dell'STL26N60DM6 contribuiscono a una maggiore efficienza di conversione energetica.
L'STL26N60DM6 è particolarmente adatto per topologie che richiedono una gestione stabile e affidabile del diodo del dv/dt dinamico, come configurazioni a ponte completo e a semiponte, nonché convertitori a sfasamento a commutazione a tensione zero (ZVS).
Inoltre, l'STL26N60DM6 può essere impiegato in vari progetti di alimentatori a commutazione ad alta efficienza, offrendo agli ingegneri una soluzione che soddisfa i rigorosi standard di efficienza energetica mantenendo al contempo l'affidabilità del sistema.
Il tuo messaggio deve contenere da 20 a 3000 caratteri!
Italian
