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Starpower IGBT Transistor DG75X07T2L 650V 75A Single Phase Half Bridge IGBT Power Transistor
Descrizione del prodotto
DG75X07T2L è IGBT Power Discrete fornisce perdite di conduzione ultra basse così come basse perdite di commutazione.
Caratteristiche
Tecnologia IGBT a basso VCE (sat)
Capacità di cortocircuito di 6 μs
Basse perdite di commutazione
Temperatura massima di giunzione 175oC
Cassa a bassa induttanza
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
FWD di recupero inverso veloce e morbido anti-parallelo
Confezione priva di piombo
Applicazioni tipiche
Invertitori per motori
Amplificatore di servo-azionamento AC e DC
Fornitura di alimentazione ininterrotta