Fornitura BSZ096N10LS5 Transistor a canale N, Fornitura GaN IC, chip IoT, chip WIFI 6, chip per automobili
Transistor a canale N di alimentazione
BSZ096N10LS5 - Transistori a canale n 100V 40A (Tc) 69W (Tc) Supposizione di superficie PG-TSDSON-8-FL
Numero della parte | BSZ096N10LS5 |
Tipo di FET
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Canale N
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Tecnologia
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MOSFET (ossido metallico)
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Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss)
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100 V
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Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C
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40A (Tc)
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Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On)
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4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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9.6mOhm @ 20A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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2.3V @ 36μA
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Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs
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22 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
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± 20V
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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
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2100 pF @ 50 V
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Caratteristica FET
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Norme
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Dissipazione di potenza (Max)
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69W (Tc)
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Temperatura di funzionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo di montaggio
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Montaggio superficiale
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Confezione del dispositivo del fornitore
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PG-TSDSON-8-FL
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Confezione / Cassa
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8-PowerTDFN
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Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
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