Blog dell'azienda Fornitura GTVA262701FA-V2-R2 270W RF GaN ad alta potenza su transistor HEMT SiC

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd Fornitura GTVA262701FA-V2-R2 270W Alta potenza RF GaN su transistor HEMT SiC

Transistori JFET a corrente RF

GTVA262701FA-V2-R2 - 270W, 48V, 2620MHz a 2690MHz GaN RF ad alta potenza termicamente potenziata su transistor SiC HEMT.

Caratteristiche

• GaN sulla tecnologia SiC HEMT
• Input abbinati
• Tipico rendimento CW pulsato: larghezza dell'impulso di 10 μs, 10% del ciclo di lavoro, 2690 MHz, 48 V
- Potenza di uscita a P3dB = 270 W
- Efficienza = 66%
- Guadagno = 18,1 dB
• Modello del corpo umano classe 1B (secondo ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
• Capace di gestire potenza di uscita 10: 1 VSWR @ 48 V, 60 W (WCDMA)
• Esclusi dal Pb e conformi alla RoHS

Altri componenti elettronici in magazzino
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Domande frequenti
D. I vostri prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati ha?
R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
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D: Come spedisco il mio ordine?
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