Fornitura di prodotti GaN Infineon:GaN Bi-directional Switch,GaN Controller,GaN Smart,GaN Transistor
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,come fornitore leader di componenti elettronici in Cina,sfrutta la sua solida rete di catena di approvvigionamento e le capacità di servizio professionale del settore per fornire ai clienti prodotti originali stabili e affidabili.
I principali prodotti sono:chip 5G, circuiti integrati di nuova energia, circuiti integrati IoT, circuiti integrati Bluetooth, circuiti integrati di rete per veicoli, circuiti integrati di livello automobilistico, circuiti integrati di comunicazione, circuiti integrati di intelligenza artificiale, circuiti integrati di memoria, circuiti integrati di sensori, circuiti integrati di microcontrollori,circuiti integrati trasmettitori-ricevitori, IC Ethernet, chip WiFi, moduli di comunicazione wireless, connettori e altri componenti elettronici.
L'azienda ha i seguenti vantaggi essenziali nell'offerta:
Fornitura diretta dai produttori originali e garanzia della qualità: tutti i prodotti sono acquistati attraverso canali autorizzati per garantire il 100% di prodotti originali,con numero di lotto originale completo del fabbricante.
Acquisti scalabili e ottimizzazione dei costi: attraverso una profonda cooperazione con diversi marchi noti e il vantaggio degli appalti su larga scala,la società può ridurre significativamente il costo complessivo dei componenti elettronici, offrendo ai clienti prezzi altamente competitivi.
Capacità di consegna flessibile e rapida: il magazzino centrale di Shenzhen e il magazzino doganale di Hong Kong operano in tandem, supportando la consegna espressa di 48 ore,con ordini urgenti in grado di essere spediti all'interno del paese entro 24 ore.
Nitruro di gallio (GaN)
CoolGaNTM Discreti dispositivi e soluzioni integrate che offrono la massima efficienza e densità di potenza per applicazioni elettroniche di consumo, industriali e automobilistiche.
Prodotti e applicazioni di Infineon GaN Bidirectional Switch
Gli interruttori bidirezionali (BDS) della serie CoolGaNTM di Infineon rappresentano un'importante direzione di innovazione per la tecnologia GaN nelle applicazioni di conversione di potenza.I dispositivi di commutazione bidirezionale a 40 V di Infineon sono fabbricati utilizzando una tecnologia avanzata di processo GaN-on-Si, integrando due GaN HEMT ad alte prestazioni (transistor ad alta mobilità elettronica) per consentire il controllo bidirezionale della corrente all'interno di un unico pacchetto,semplificazione significativa della progettazione dei circuiti e miglioramento dell'affidabilità del sistemaQuesti dispositivi presentano una resistenza di accensione estremamente bassa (valori tipici da 1,1 a 2,3 mΩ) e velocità di commutazione ultra veloci.supportando frequenze di funzionamento fino a 2MHz5 a 10 volte le prestazioni dei tradizionali MOSFET a base di silicio, rendendoli particolarmente adatti alle applicazioni che richiedono alte frequenze, un'operazione ad alta efficienza.
Il vantaggio tecnologico principale degli interruttori bidirezionali GaN risiede nella loro assenza di caratteristiche di recupero inverso del diodo del corpo.I dispositivi GaN non generano corrente di recupero inversa durante la conduzione inversa, eliminando fondamentalmente le perdite di commutazione e i problemi di EMI causati dal recupero inverso del diodo del corpo nei MOSFET tradizionali. Infineon's CoolGaN™ bidirectional switches also employ innovative gate drive technology to ensure device stability and reliability under high-frequency switching conditions while simplifying drive circuit designQueste caratteristiche consentono agli interruttori bidirezionali GaN di avere prestazioni eccezionali in applicazioni che richiedono un flusso di energia bidirezionale, come la rettifica sincrona, i ponti H del motore,e ricarica wireless.
Controller GaN e soluzioni per dispositivi intelligenti Infineon
La linea di prodotti GaN controller di Infineon comprende driver di gate standalone e moduli di potenza intelligenti altamente integrati (IPM),che sono ottimizzati per le caratteristiche uniche dei dispositivi di alimentazione GaN per sfruttare appieno l'alta frequenzaIn particolare, gli IC di potenza intelligenti come NV6133A, che integrano interruttori e driver GaN,utilizzare la tecnologia GaNSenseTM per consentire il rilevamento della corrente senza perdite e le funzioni di protezione complete, semplificando significativamente la progettazione del sistema e migliorando l'affidabilità.
Il circuito integrato di alimentazione GaNFastTM è la serie di punta della linea di prodotti di regolatori GaN di Infineon.offre un'attivazione programmabile dV/dt, e fornisce immunità 200V/ns dV/dt. Il dispositivo è dotato di una tensione nominale transitorio 800V e una tensione nominale continua 700V,con una resistenza di accensione di soli 330mΩ e supporto per frequenze operative fino a 2MHzLa sua tecnologia GaNSenseTM integrata fornisce funzionalità intelligenti quali protezione da cortocircuito, protezione da sovra-temperatura e modalità autonoma di standby a bassa corrente.eliminare le perdite di potenza da parte delle resistenze di campionamento nei progetti tradizionali e migliorare ulteriormente l'efficienza e l'affidabilità del sistema.
Serie di transistor Infineon GaN
La linea di prodotti di transistor GaN di Infineon copre una vasta gamma di esigenze applicative da media a alta tensione, compresa la serie completa di transistor GaN come CoolGaNTM G3 (tensione media),CoolGaNTM G5 (alta tensione), e la serie IGT industriale. Questi dispositivi sono fabbricati utilizzando processi avanzati di wafer da 8 pollici, migliorando significativamente la densità di potenza, la frequenza di commutazione e le prestazioni di gestione termica,che li rende adatti per applicazioni all'avanguardia, dall'elettronica di consumo alle alimentatrici industriali.
La serie CoolGaNTM G3 è ottimizzata per applicazioni a media tensione, con una gamma di tensione da 40V a 120V. Utilizza pacchetti standardizzati RQFN 5x6 e 3.3x3.che sono compatibili con i tradizionali perni MOSFET a base di silicio, facilitando la migrazione del progetto per i clienti. Questi dispositivi presentano una resistenza di accensione estremamente bassa (1,1mΩ a 2,3mΩ) e un'eccellente stabilità del ciclo termico,che li rende particolarmente adatti per applicazioni di commutazione ad alta frequenzaI transistor GaN della serie G3 raggiungono un'efficienza superiore al 95%, riducendo la dimensione dell'alimentazione di oltre il 50%.le loro caratteristiche ad alta frequenza aiutano a ridurre le dimensioni dei componenti del filtro e aumentano la larghezza di banda di controllo.
La serie CoolGaNTM G5 è il prodotto di punta di Infineon per applicazioni ad alta tensione, operante a tensioni fino a 650V.ottenere un miglioramento dell'efficienza del 3% al 5% rispetto alle generazioni precedentiI transistor GaN della serie G5 presentano perdite di commutazione estremamente basse, supportando frequenze operative da centinaia di kHz a MHz,offrendo un'eccellente immunità dv/dt e capacità di resistere a cortocircuitiNelle applicazioni di inverter fotovoltaici, i dispositivi G5 raggiungono efficienze di conversione superiori al 99%, migliorando significativamente la produzione di energia dei sistemi di generazione di energia.In alimentatori per server e caricabatterie di bordo per veicoli elettrici (OBC), la loro elevata densità di potenza consente di progettare sistemi più compatti.
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