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Blog dell'azienda Fornitura [Infineon] IGBT Transistor IKW40N65H5: 650V, 40A TranchStop® IGBT5 Transistor ad alta velocità

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La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Fornitura [Infineon] IGBT Transistor IKW40N65H5: 650V, 40A TranchStop® IGBT5 Transistor ad alta velocità
ultime notizie sull'azienda Fornitura [Infineon] IGBT Transistor IKW40N65H5: 650V, 40A TranchStop® IGBT5 Transistor ad alta velocità

Fornitura [Infineon] Transistor IGBTIKW40N65H5: 650V, 40A Transistor a alta velocità a commutazione dura TrenchStop® IGBT5

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.L'offerta [Infineon]IKW40N65H5: Transistor IGBT 650V con diodo anti-parallelo in confezione TO-247.

 

Numero della parte:IKW40N65H5
Pacchetto: TO-247-3
Tipo: transistor IGBT

 

Visualizzazione del prodottoIKW40N65H5

IKW40N65H5è un transistor IGBT5 TRENCHSTOPTM a alta velocità 650V, 40A a commutazione dura con un diodo antiparallele rapido e morbido RAPID 1 in un pacchetto TO-247, definito come IGBT "miglior della sua categoria".

 

IKW40N65H5è un IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor) a canale N con tecnologia TrenchStop® di Infineon, progettato per applicazioni di commutazione ad alte prestazioni.

 

IKW40N65H5Le sue caratteristiche di alta tensione, corrente elevata e basse perdite la rendono un'ottima soluzione in settori quali gli azionamenti industriali, le energie rinnovabili e gli elettrodomestici.

 

IKW40N65H5Parametri delle specifiche

Parametri IKW40N65H5
ESmettila.(Cambiamento difficile) 0.12 mJ
Esu 0.39 mJ
Io...C(@ 25°)massimo 74 A
Io...C(@ 100°)massimo 46 A
Io...Cpuls massimo 120 A
Io...F massimo 36 A
Io...Fpuls massimo 120 A
Io...rm 12.5 A
Pdi massimo 255 W
Pacco TO-247-3
Q.Porta 95 n.C.
Q.rr 450 d.C.
RG 15 Ω
Frequenza di cambiomin massimo 30 kHz 100 kHz
Frequenza di cambio TRENCHSTOPTM5 30-100 kHz
Tecnologia IGBT TRENCHSTOPTM 5
V.CE (sat) 1.65 V
V.CE massimo 650 V
V.F 1.45 V
td(off) 165 ns
td ((on) 22 ns
tf 13 ns
tr 12 ns

 

Caratteristiche chiave diIKW40N65H5
Tensione nominale: 650V
Corrente nominale: 40A
Basse perdite di conduzione: ridotta perdita di conduzione con la tecnologia TrenchStop®
Commutazione rapida: alta frequenza di commutazione per una maggiore efficienza
Alta affidabilità: progettazione robusta per ambienti difficili

 

Caratteristiche elettriche diIKW40N65H5
Tensione tra collettore ed emittente: 650V
Corrente del collettore: 40A
Consumo massimo di energia: 300 W
Dispendio di tensione in stato attivo: 1,7 V (tipico)

 

Aree di applicazioneIKW40N65H5
Azionamenti industriali: controllo motore, inverter
Energia rinnovabile: inverter solari, produzione di energia eolica
Apparecchiature di saldatura: alimentatori di saldatura ad alta efficienza
Apparecchi domestici: condizionatori inverter, lavatrici

 

IKW40N65H5è un transistor IGBT con tecnologia TrenchStop® per applicazioni di commutazione ad alta efficienza in una vasta gamma di applicazioni come azionamenti industriali, inverter solari e apparecchiature di saldatura.

 

IKW40N65H5è un transistor IGBT ad alte prestazioni che combina la tecnologia TrenchStop® e un pacchetto TO-247 per applicazioni di commutazione ad alta efficienza e alta affidabilità.

 

IKW40N65H5- con le sue caratteristiche di bassa perdita, di commutazione rapida e di elevata densità di potenza - offre una vasta gamma di applicazioni in settori quali l'industria, le energie rinnovabili e gli elettrodomestici.

 

Attributi del prodottoIKW40N65H5

Serie: TrenchStop®
Voltaggio - Disgregazione dell'emettitore del collettore (massimo): 650 V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 74 A
Corrente - collettore pulsato (Icm): 120 A
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Potenza massima: 255 W
Energia di commutazione: 390 μJ (accesi), 120 μJ (spenti)
Tipo di input: standard
Carica di accesso: 95 nC
Td (acceso/spento) @ 25°C: 22ns/165ns
Condizione di prova: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): 62 ns
Temperatura di funzionamento: -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: attraverso buco
Pacchetto / Caso: TO-247-3
Pacchetto del fornitore: PG-TO247-3

 

IKW40N65H5“Riepilogo delle caratteristiche

tensione di rottura di 650 V
Rispetto alla migliore famiglia HighSpeed 3 della sua categoria
Fattore 2,5 Qg inferiore
Fattore 2 riduzione delle perdite di cambio
Riduzione del VCEsat di 200 mV
Co-confezionato con tecnologia a diodo Si rapido
Basso COES/EOSS
Coefficiente di temperatura positiva lieve VCEsat
Stabilità a temperatura di Vf

 

Circuito di applicazione tipicoIKW40N65H5
IlIKW40N65H5è comunemente usato in topologie a mezzo ponte o a ponte pieno, ad esempio:
- Invertitori a mezzo ponte: utilizzati nei motori o negli inverter solari.
- Rettificatori a ponte completo: per alimentatori a commutazione ad alta frequenza.

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.L'approvvigionamento a lungo termine [Infineon]IKW40N65H5IGBT Transistor, la nostra azienda ha solidi e affidabili canali di approvvigionamento per garantire la stabilità e l'affidabilità dell'approvvigionamento dei prodotti.

 

Con le sue caratteristiche di elevata tensione, corrente elevata e bassa perdita, ilIKW40N65H5è ideale per applicazioni di commutazione ad alte prestazioni in una vasta gamma di

la gamma di applicazioni dell'elettronica industriale e di consumo.

 

Per ulteriori informazioni, consultare il sito web di Minjata Electronics (https://www.integrated-ic.com/)).

Tempo del pub : 2025-02-28 13:27:03 >> lista di notizie
Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

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