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Blog dell'azienda Fornitura [Infineon] IGT60R190D1SATMA1 Transistori MOSFET a canale N, diodi di alimentazione, tiristori, transistori, moduli driver di potenza

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

—— Richardg Dalla Germania

Prezzi competitivi: i prezzi offerti da è molto competitivo, rendendolo una scelta eccellente per le nostre esigenze di approvvigionamento.

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Il servizio clienti è eccellente, sempre disponibile e disponibile, garantendo che le nostre esigenze siano soddisfatte prontamente.

—— Vincent dalla Russia

Grandi prezzi, consegna veloce e servizio clienti di prim'ordine.

—— Nishikawa dal Giappone

Componenti affidabili, spedizione veloce e supporto eccellente.

—— Sam dagli Stati Uniti

Ricomando vivamente ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd per qualsiasi progetto di elettronica!

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Fornitura [Infineon] IGT60R190D1SATMA1 Transistori MOSFET a canale N, diodi di alimentazione, tiristori, transistori, moduli driver di potenza
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Fornitura [Infineon] IGT60R190D1SATMA1 Transistori MOSFET a canale N, diodi di alimentazione, tiristori, transistori, moduli driver di potenza

 

Transistori MOSFET di alimentazione

IGT60R190D1SATMA1 - Transistor di potenza in modalità di potenziamento CoolGaNTM da 600V

Tipo di FET
Canale N
Tecnologia
GaNFET (nitrito di gallio)
Voltaggio di scarico alla sorgente (Vdss)
600 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C
12.5A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 960μA
Vgs (Max)
-10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
157 pF @ 400 V
Dissipazione di potenza (Max)
55.5W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Confezione del dispositivo del fornitore
PG-HSOF-8-3
Confezione / Cassa
8-PowerSFN
Numero del prodotto di base
IGT60R190

 

Caratteristiche
Transistor in modalità di potenziamento
Scambio ultra veloce
Nessuna tassa di recupero inverso
di cilindrata inferiore o uguale a 1000 cm3
Basso carico di porta, basso carico di uscita
Superiore robustezza della commutazione

 

Benefici
Migliora l'efficienza del sistema
Migliora la densità di potenza
Consente una frequenza di funzionamento più elevata
Risparmio di riduzione dei costi del sistema
Riduce l' IME

 

Domande frequenti
D. I vostri prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati ha?
R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
D:Puoi supportare ordini o campioni in piccole quantità?Il campione è gratuito?
A: Sì, sosteniamo l'ordine di campione e piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.
D: Come spedisco il mio ordine?
R: Usiamo l'espresso per spedire, come DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito.I prodotti saranno in buona imballaggio e garantire la sicurezza e siamo responsabili per i danni prodotti al vostro ordine.
D: Che mi dici del tempo di consegna?
R: Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza magazzino, confermeremo il tempo di consegna in base alla quantità dell'ordine.

Tempo del pub : 2024-03-02 11:16:33 >> lista di notizie
Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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