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Singoli transistor di IGBTs del rifornimento
IKW50N65EH5 - fossa 650 V 80 A 275 W di IGBT attraverso il foro PG-TO247-3
Numero del pezzo | IKW50N65EH5 |
Tipo di IGBT
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Fossa
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Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima)
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650 V
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Corrente - collettore (CI) (massimo)
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80 A
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Corrente - collettore pulsato (Icm)
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200 A
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Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI
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2.1V @ 15V, 50A
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Massimo elettrico
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275 W
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Energia di commutazione
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1.5mJ (sopra), 500µJ (fuori)
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Tipo introdotto
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Norma
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Tassa del portone
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120 nC
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Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C
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25ns/172ns
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Condizione di prova
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400V, 50A, 12Ohm, 15V
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Tempo di recupero inverso (trr)
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81 NS
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Temperatura di funzionamento
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-40°C ~ 175°C (TJ)
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Montaggio del tipo
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Attraverso il foro
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Pacchetto/caso
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TO-247-3
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Pacchetto del dispositivo del fornitore
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PG-TO247-3
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