Blog dell'azienda Fornitura Infineon IPD90P03P4L-04 -30V, canale P, massimo 4,5 mΩ, MOSFET automobilistico, DPAK, OptiMOSTM-P2

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.[Storie originali] fornisce ilIPD90P03P4L-04, un MOSFET di potenza ad alte prestazioni a canale P per l'automotive sviluppato da Infineon.Questo MOSFET è ampiamente preferito nell'elettronica automobilistica e nelle applicazioni industriali a causa delle sue prestazioni e affidabilità eccezionali.

Visualizzazione del prodotto

IlIPD90P03P4L-04è un MOSFET di potenza in modalità di potenziamento del canale P progettato per la commutazione a lato alto in applicazioni automobilistiche e industriali.l'IPD90P03P4L-04 utilizza una tecnologia avanzata di processo dei semiconduttori per ottenere una resistenza estremamente bassa e prestazioni di commutazione superiori.

IlIPD90P03P4L-04ha una tensione nominale della fonte di scarico di -30V, una corrente di scarico continua fino a -90A e una resistenza massima di accensione di soli 4,5 mΩ (valore tipico 3,0 mΩ @ VGS=10 V).Questi parametri eccezionali rendono l'IPD90P03P4L-04 una scelta ideale per applicazioni ad alta densità di potenzaIn particolare, l'IPD90P03P4L-04 è stato sottoposto a test di valanga al 100%, garantendo l'affidabilità in ambienti operativi difficili.

IlIPD90P03P4L-04è conforme alla norma di certificazione AEC-Q101 per l'automotive, con un ampio intervallo di temperatura di esercizio da -55°C a +175°C,di una lunghezza superiore o uguale a 50 mm. L'IPD90P03P4L-04 utilizza un design di imballaggio rispettoso dell'ambiente, conforme agli standard RoHS e privo di piombo, soddisfacendo i requisiti ambientali dei moderni prodotti elettronici.

Caratteristiche chiave

IlIPD90P03P4L-04vanta diverse caratteristiche eccezionali che lo distinguono dai suoi coetanei:

Resistenza di accensione estremamente bassa: l'IPD90P03P4L-04 ha una tipica RDS ((on) di soli 3,0 mΩ a VGS = 10 V, con un valore massimo non superiore a 4,5 mΩ.Questa caratteristica riduce significativamente le perdite di conduzione e migliora l'efficienza del sistemaLa bassa resistenza di accensione dell'IPD90P03P4L-04 la rende particolarmente adatta per applicazioni ad alta corrente.

Capacità di corrente elevata: l'IPD90P03P4L-04 ha una corrente di scarico continua (Id) fino a 90A e una capacità di corrente di impulso fino a 360A, soddisfacendo i requisiti della maggior parte delle applicazioni ad alta potenza.La capacità di gestione dell'alta corrente dell'IPD90P03P4L-04 garantisce prestazioni stabili in applicazioni ad alta corrente come i motori.

Performance di commutazione rapida: l'IPD90P03P4L-04 presenta velocità di commutazione veloci, con un tempo di risalita di soli 11ns e un tempo di caduta di 40ns,contribuire a ridurre le perdite di cambio e migliorare l'efficienza complessiva del sistemaLa caratteristica di bassa carica del gate (Qg) dell'IPD90P03P4L-04 (valore tipico di 125nC@10V) ottimizza ulteriormente le prestazioni di commutazione.

Nessuna pompa di carica richiesta per l'azionamento a lato alto: come MOSFET a canale P, l'IPD90P03P4L-04 non richiede circuiti di pompa di carica aggiuntivi nelle applicazioni di azionamento a lato alto, semplificando la progettazione del sistema.Questa caratteristica rende l'IPD90P03P4L-04 una scelta ideale per gli interruttori a lato alto nei circuiti ponte.

Migliore affidabilità: l'IPD90P03P4L-04 è stato sottoposto a test in valanghe al 100%, dispone di un'ampia area di funzionamento sicura (SOA),contenente almeno 85% di acido acetilsalico,La robustezza del pacchetto offre ottime prestazioni termiche e protezione meccanica.

Certificazione per l'industria automobilistica: l'IPD90P03P4L-04 è conforme alla norma AEC-Q101, specificamente progettata per applicazioni automobilistiche,che soddisfano gli elevati requisiti di affidabilità dell'elettronica automobilisticaQuesta caratteristica rende l'IPD90P03P4L-04 il dispositivo preferito per la gestione dell'alimentazione automobilistica e i sistemi di propulsione motore.

Specificativi del prodotto

Modello:IPD90P03P4L-04

Tipo di prodotto: MOSFET

Tecnologia: Si

Tipo di montaggio: SMD/SMT

Confezione/caso: DPAK-3 (TO-252-3)

Polarità del transistor: canale P

Numero di canali: 1 canale

Vds - tensione di rottura della fonte di scarico: 30 V

Id - corrente di scarico continua: 90 A

Rds On - Drain-Source On-Resistance: 4,1 mOhms

Vgs - Tensione della sorgente della porta: - 16 V, + 5 V

Vgs th - tensione di soglia della porta-sorgente: 1,5 V

Qg - carica di ingresso: 125 nC

Temperatura minima di funzionamento: - 55 °C

Temperatura massima di funzionamento: +175°C

Pd - dissipazione di potenza: 137 W

Applicazioni

IPD90P03P4L-04viene utilizzato principalmente nel campo dell'elettronica automobilistica, servendo come MOSFET di lato alto nei ponti motori (come mezzo ponte, ponte H, motore trifase, ecc.) per guidare e controllare i motori.In aggiunta, è adatto ai circuiti di protezione inversa della batteria,prevenire efficacemente i danni ai circuiti causati dalla connessione inversa della batteria e garantire il funzionamento sicuro e affidabile dei sistemi elettronici automobilisticiPuò anche essere applicato nei convertitori DC-DC automobilistici, nei caricabatterie di bordo, nei sistemi di gestione dell'energia, ecc., fornendo un'alimentazione e un controllo stabili per vari dispositivi elettrici nei veicoli.

Informazioni di contatto

Persona di contatto: il signor Chen

Telefono: +86 13410018555

Email: sales@hkmjd.com

Sito web:www.integrated-ic.com/