Blog dell'azienda [Fornitura] MOSFET al carburo di silicio Infineon_IMZA120R014M1H_CoolSiC™ 1200 V, 14 mΩ SiC Trench MOSFET

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. offre disponibilità immediata del MOSFET SiC trench CoolSiC™ 1200 V, 14 mΩ di Infineon, l'IMZA120R014M1H, in un package TO247-4.

IMZA120R014M1H Descrizione del prodotto
L'IMZA120R014M1H è un MOSFET SiC CoolSiC™ 1200 V di Infineon Technologies che utilizza un'avanzata tecnologia a semiconduttore trench, offrendo un equilibrio ottimale tra prestazioni e affidabilità. Alloggiato in un package TO247-4, questo MOSFET SiC IMZA120R014M1H incorpora considerazioni progettuali per minimizzare gli effetti dell'induttanza parassita della sorgente, consentendo così velocità di commutazione più elevate e una maggiore efficienza del sistema.

Rispetto ai dispositivi di commutazione convenzionali basati sul silicio come IGBT e MOSFET, il MOSFET CoolSiC™ IMZA120R014M1H offre una serie di vantaggi significativi: possiede i livelli più bassi di carica di gate e capacità del dispositivo tra i dispositivi di commutazione a 1200 V, presenta un diodo a corpo con perdita di recupero inverso pari a zero, mostra perdite di commutazione che sono virtualmente inalterate dalla temperatura e offre caratteristiche di accensione senza una tensione di ginocchio. Queste caratteristiche rendono l'IMZA120R014M1H altamente adatto per topologie di commutazione dura e commutazione risonante.

L'IMZA120R014M1H incorpora la tecnologia di collegamento a diffusione XT per prestazioni termiche superiori, mentre il suo diodo a corpo robusto e a basse perdite è particolarmente adatto per applicazioni di commutazione dura esigenti.

Specifiche
I parametri tecnici chiave per l'IMZA120R014M1H sono i seguenti:
Tipo FET: N-channel
Tecnologia: SiC FET (Carburo di silicio)
Tensione Drain-Source (Vdss): 1200 V
Corrente di Drain continua (Id): 127 A (Tc)
Tensione di pilotaggio: 15 V, 18 V (Rds On massimo, Rds On minimo)
Resistenza di accensione (Massima): 18,4 mΩ @ 54,3 A, 18 V
Tensione di soglia del gate (Vgs(th)): 5,2 V @ 23,4 mA
Carica di gate (Qg): 145 nC @ 18 V
Tensione di gate (Vgs): +20 V, -5 V
Capacità di ingresso (Ciss): 4580 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (Max): 455 W (Tc)
Temperatura di esercizio: da -55°C a 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through-Hole
Package/Custodia: PG-TO247-4-8

Questi parametri eccezionali dimostrano che l'IMZA120R014M1H offre prestazioni e stabilità eccezionali in diverse applicazioni ad alta tensione e alta potenza.

Caratteristiche di IMZA120R014M1H
VDSS = 1200 V a Tvj = 25°C
IDDC = 127 A a TC = 25°C
RDS(on) = 14 mΩ a VGS = 18 V, Tvj = 25°C
Perdite di commutazione estremamente basse
Tempo di tenuta al cortocircuito: 3 µs
Tensione di soglia del gate di riferimento, VGS(th) = 4,2 V
Resistente alla conduzione parassita, che consente lo spegnimento a 0 V della tensione di gate
Diodo a corpo robusto adatto per la commutazione dura
La tecnologia di interconnessione Infineon XT offre prestazioni termiche leader del settore

Applicazioni tipiche
L'IMZA120R014M1H CoolSiC™ MOSFET è ideale per diverse applicazioni di elettronica di potenza ad alte prestazioni, tra cui, ma non solo:
Stazioni di ricarica per veicoli elettrici: Fornire una conversione di potenza efficiente e rapida
UPS industriali/UPS online: Garantire un'alimentazione continua e stabile
Ottimizzatori solari e driver universali: Migliorare l'efficienza del sistema di generazione di energia solare
Circuiti di correzione del fattore di potenza (PFC): Migliorare la qualità della rete
Topologie bidirezionali e convertitori DC-DC: Consentire il flusso di energia bidirezionale e la conversione della tensione DC
Inverter DC-AC: Convertire la corrente continua in corrente alternata

L'IMZA120R014M1H eccelle in queste applicazioni principalmente grazie alle sue eccezionali caratteristiche di commutazione e alle basse perdite di conduzione. Migliora significativamente l'efficienza del sistema e la densità di potenza, riducendo al contempo la complessità del sistema e i requisiti di raffreddamento.

Informazioni di contatto
Se sei interessato al MOSFET SiC trench CoolSiC™ 1200 V di Infineon IMZA120R014M1H, non esitare a contattare Mingjiada Electronics.

Contatto: Sig. Chen
Telefono: +86 13410018555
Email: sales@hkmjd.com
Sito web: www.integrated-ic.com