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Blog dell'azienda IC di memoria di alimentazione (4Gb) IS43LD32128B-18BLI, IS43LD32128B-18BPLI Memoria di accesso casuale dinamica

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

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Prezzi competitivi: i prezzi offerti da è molto competitivo, rendendolo una scelta eccellente per le nostre esigenze di approvvigionamento.

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IC di memoria di alimentazione (4Gb) IS43LD32128B-18BLI, IS43LD32128B-18BPLI Memoria di accesso casuale dinamica
ultime notizie sull'azienda IC di memoria di alimentazione (4Gb) IS43LD32128B-18BLI, IS43LD32128B-18BPLI Memoria di accesso casuale dinamica

Fornitura e acquisizione di Mingjiada Corporation Memoria IC IS43LD32128B-18BLI, IS43LD32128B-18BPLI Memoria di accesso casuale dinamica 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz

 

Modello di offerta e domanda: IS43LD32128B-18BLI, IS43LD32128B-18BPLI

Lotto: Nuovo

Pacchetto: 134-TFBGA, 168-VFBGA

 

Riciclaggio a lungo termine di componenti elettronici a prezzi elevati in contanti personale e di fabbrica, riciclaggio solo di fonti di canale formale, come agenti, commercianti, fabbriche di terminali.

 

Descrizione del prodotto

IS43LD32128B-18BLI, IS43LD32128B-18BPLI sono 4Gbit CMOS LPDDR2 DRAM. Il dispositivo è costituito da otto gruppi di parole da 32 bit a 16 megabyte.Questo prodotto utilizza un'architettura a doppia velocità di trasmissione per ottenere un funzionamento ad alta velocitàL'architettura dual data rate è essenzialmente un'architettura di prefetch 4N con un'interfaccia progettata per trasferire due parole di dati per ciclo di orologeria sui pin I/O.Fornisce un funzionamento completamente sincronizzato con i bordi ascendenti e discendenti dell'orologioIl percorso dei dati è internamente pipelineato e pre-rilevato in 4n-bit per ottenere una larghezza di banda molto elevata.

 

Attributi del prodotto

Tipo di memoria: volatile

Formato della memoria: DRAM

Tecnologia: SDRAM - LPDDR2-S4 mobile

Capacità di memoria: 4 GB

Organizzazione della memoria: 128M x 32

Interfaccia di memoria: HSUL_12

Frequenza di orologeria: 533 MHz

Tempo di scrittura del ciclo - parola, pagina: 15ns

Tempo di accesso: 5,5 ns

Tensione - Fornitura: 1,14V ~ 1,3V, 1,7V ~ 1,95V

Temperatura di funzionamento: -40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio: montaggio superficiale

 

Qualsiasi scorta in eccesso da eliminare, si prega di contattare il signor Chen per telefono:

Tel: +86 13410018555

Email: sales@hkmjd.com

Home URL:www.hkmjd.com

Tempo del pub : 2023-12-07 09:56:14 >> lista di notizie
Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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