Blog dell'azienda Memoria di alimentazione IC, Memoria di alimentazione NAND Flash di Mingjiada, Memoria di accesso casuale dinamica DRAM

Memoria di alimentazione IC, Memoria di alimentazione NAND Flash di Mingjiada, Memoria di accesso casuale dinamica DRAM

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.- un fornitore a lungo termine di circuiti integrati di memoria, compresa la memoria flash NAND, la memoria DRAM a accesso casuale dinamico e altri prodotti.Mingjiada Electronics ha ampi canali di approvvigionamento e ricca esperienza di fornitura, non solo fornendo ai clienti prodotti originali stabili e affidabili, ma anche garantendo un'ampia scorta, prezzi competitivi e consegna tempestiva.Siamo impegnati a fornire servizi di fornitura di componenti elettronici di alta qualità a una vasta gamma di utenti finali e distributori.

Le seguenti sono le categorie, i marchi e i modelli di prodotti di memoria forniti principalmente da Mingjiada Electronics:
1. NAND Flash (memoria flash)
Funzione: Non volatile per la memorizzazione dei dati a lungo termine e la conservazione dei programmi; i dati non vengono persi in caso di perdita di potenza.
Principali tipi:
Per struttura: SLC (Single-Level Cell, high durability), MLC (Multi-Level Cell), TLC (Triple-Level Cell, mainstream), QLC (Quad-Level Cell, high capacity)
SSD (Solid-State Drive): SATA, PCIe NVMe (M.2U.U.2, Add-in Card)
eMMC (Embedded MultiMediaCard): comunemente utilizzato nei dispositivi mobili e nei sistemi di controllo industriale
UFS (Universal Flash Storage): standard per dispositivi mobili ad alte prestazioni
schede SD/microSD: ampliamento dello spazio di archiviazione dei dispositivi portatili
Dischi flash USB: memoria portatile
Modelli e modelli di prodotti comuni:
SSD (SATA): Samsung 870 EVO 1TB (MZ-77E1T0B), WD Blue SA510 500GB (WDS500G3B0A)
SSD (NVMe M.2): Samsung 980 PRO 1TB (MZ-V8P1T0BW), Crucial P5 Plus 2TB (CT2000P5PSSD8), Kioxia Exceria Pro 1TB (EXCERIA PRO SSD)
eMMC: KLMCG8JETD-B041 (Samsung 128GB eMMC 5.1), THGBMNG5D1LBAIL (Kioxia 32GB eMMC 5.1)
UFS: KLUDG8UHDB-C2D1 (Samsung 256GB UFS 3.1)

2. DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Funzione: memoria runtime del sistema utilizzata per la memorizzazione temporanea di programmi e dati che vengono elaborati dal processore; i dati vengono persi in caso di perdita di potenza.
Principali tipi:
DDR SDRAM: DDR3, DDR4, DDR5 (mainstream)
SDRAM LPDDR: LPDDR4, LPDDR4X, LPDDR5, LPDDR5X (basso consumo, dispositivi mobili/integrati)
Modelli e modelli di prodotti comuni:
Moduli (DIMM/SODIMM):
DDR4 UDIMM: KVR26N19S8/8 (Kingston 8GB DDR4-2666), MTA18ASF4G72HZ-3G2R (Micron 32GB DDR4-3200 ECC RDIMM)
DDR5 SODIMM: KVR48S40BS8-16 (Kingston 16GB DDR5-4800 SODIMM)
LPDDR4X PoP: K4UBE3D4AA-MGCL (Samsung 8GB LPDDR4X)
DDR4: MT40A1G8SA-062E:E (Micron 8Gb DDR4-3200), H5AN8G6NAFR-UHC (SK Hynix 8Gb DDR4-2666)
LPDDR5: K3LKBKB0BM-MGCP (Samsung 12Gb LPDDR5)

Per ulteriori informazioni sui prodotti di circuiti integrati di memoria o per chiedere informazioni sui prezzi dei modelli specifici, si prega di visitare il sito ufficiale di Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) per verificare i dettagli dell'approvvigionamento.