Blog dell'azienda Prodotto MOSFET a microchip: MOSFET SiC, MOSFET RF, MOSFET di potenza

Prodotto MOSFET a microchip: MOSFET SiC, MOSFET RF, MOSFET di potenza

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,come fornitore leader a livello mondiale di componenti elettronici, sfrutta la sua vasta esperienza nel settore e la sua rete globale di catena di approvvigionamento per aderire alla filosofia aziendale della “qualità prima”,prezzi ragionevoli, consegna rapida e servizio centrato sul cliente.L'azienda ottimizza continuamente la gestione della catena di approvvigionamento per fornire ai clienti servizi di approvvigionamento unici per vari componenti elettronici.

I principali prodotti sono:I chip 5G, gli IC di nuova energia, gli IC IoT, gli IC Bluetooth, gli IC di rete dei veicoli, gli IC di livello automobilistico, gli IC di comunicazione, gli IC di intelligenza artificiale, ecc. Inoltre, la società fornisce gli IC di memoria,circuiti integrati di sensori, microcontrollori IC, transceiver IC, Ethernet IC, chip WiFi, moduli di comunicazione wireless, connettori e altri componenti elettronici.

Principali vantaggi competitivi:

Rete globale di approvvigionamento: la società ha filiali e centri di stoccaggio in regioni come Shenzhen e Hong Kong, stabilendo una rete globale di approvvigionamento e distribuzione.Questa struttura strategica garantisce la stabilità delle catene di approvvigionamento e riduce notevolmente i tempi di consegna, con alcuni ordini urgenti che possono essere spediti entro 24 ore a livello nazionale.

Sistema di inventario esteso: la società mantiene un inventario di oltre 2 milioni di modelli di prodotti, garantendo un'ampia scorta per vari tipi di prodotti e supportando anche gli ordini futures.

Assicurazione della qualità: tutti i prodotti forniti sono acquistati attraverso canali autorizzati, garantendo l'originalità del 100% e fornendo numeri di lotto originali completi e documenti di conformità,eliminare fondamentalmente il rischio di prodotti contraffatti o non di qualità.

Prodotti MOSFET a carburo di silicio e vantaggi tecnici

Come prodotto rappresentativo di materiali semiconduttori di terza generazione, i MOSFET a carburo di silicio (SiC) stanno rivoluzionando il panorama del design nel campo dell'elettronica di potenza.La serie SiC MOSFET del microchip, con i suoi eccezionali parametri di prestazione e affidabilità, è diventata la soluzione preferita per applicazioni di fascia alta come i veicoli a nuova energia, la generazione di energia fotovoltaica,e alimentatori industriali.

In termini di copertura della tensione, i MOSFET SiC di Microchip coprono l'intero intervallo di tensione di 650V, 1200V e 1700V, soddisfacendo i requisiti di tensione di blocco di vari scenari di applicazione.La serie 650V è particolarmente adatta per applicazioni a media-alta tensione come alimentatori per server e caricabatterie di bordo per veicoli elettrici (OBC)La serie 1200V è ideale per inverter fotovoltaici e motori industriali;mentre la serie 1700V è rivolta principalmente alle applicazioni ad altissima tensione come il trasporto ferroviario e le reti intelligenti.

Parametri tecnici chiave: i microchip SiC MOSFET presentano una resistenza di accensione estremamente bassa (RDS(on)) e eccellenti caratteristiche di commutazione.la sua resistenza di accensione può essere inferiore a 80mΩ, riducendo significativamente le perdite di conduzione; contemporaneamente, la sua velocità di commutazione è diverse volte più veloce rispetto ai tradizionali MOSFET a base di silicio, riducendo notevolmente le perdite di commutazione.Queste caratteristiche consentono un miglioramento del 3%-5% dell'efficienza complessiva del sistema, offrendo un valore economico significativo per applicazioni energetiche.

Opzioni di imballaggio diverse: i microchip SiC MOSFET offrono più opzioni di imballaggio, tra cui TO-247, D2PAK e DFN, per soddisfare diverse esigenze di gestione termica e di spazio.i suoi prodotti per moduli di potenza SiC integrano più MOSFET e diodi SiC in un unico pacchetto, formando topologie a mezzo ponte o a ponte completo, semplificando significativamente i processi di progettazione e assemblaggio dei clienti.

Le prestazioni termiche sono un altro vantaggio importante dei dispositivi SiC: il carburo di silicio ha una conducibilità termica fino a 4,9 W/cm·K, più di tre volte quella del silicio,che consente ai MOSFET SiC di funzionare in modo stabile a temperature di giunzione più elevate (in genere fino a 175°C o anche 200°C), riducendo così la complessità di progettazione e il costo dei sistemi di gestione termica.

Per quanto riguarda la certificazione di affidabilità, la serie di prodotti SiC MOSFET di Microchip ha superato la rigorosa certificazione AEC-Q101 di livello automobilistico,e alcuni modelli sono anche conformi agli standard JEDEC di livello industriale, garantendo un funzionamento stabile a lungo termine in ambienti difficili.

Serie di prodotti RF MOSFET e scenari di applicazione

Nel campo della comunicazione wireless e delle applicazioni RF, la linea di prodotti RF MOSFET di Microchip, con le sue eccezionali prestazioni ad alta frequenza e le sue caratteristiche di potenza stabile,è una scelta ideale per applicazioni di fascia alta come le apparecchiature della stazione baseQuesti dispositivi sono specificamente ottimizzati per l'amplificazione del segnale ad alta frequenza,fornendo un'eccellente efficienza di potenza aggiunta (PAE) mantenendo una elevata linearità.

I MOSFET RF del microchip sono principalmente divisi in due categorie tecniche:

Transistor di potenza RF LDMOS: utilizzando la tecnologia LDMOS (lateral diffusion metal-oxide-semiconductor), questi dispositivi operano a frequenze comprese tra 30 MHz e 3,5 GHz,che li rende particolarmente adatti per applicazioni di amplificatori di potenza della stazione baseI prodotti tipici includono la serie MRF di Microchip, che fornisce 120W di potenza di uscita satura a 2,6 GHz con un guadagno di potenza di 17 dB,rendendolo un componente centrale per gli amplificatori di potenza delle macrostale 4G/5G.

MOSFET RF VHF/UHF: specificamente progettati per le bande di frequenza molto alta (VHF) e ultraalta (UHF), con un intervallo di frequenza compreso tra 30 MHz e 1 GHz,Questi dispositivi sono ampiamente utilizzati nelle comunicazioni militariQuesti dispositivi possono fornire 50W di potenza di uscita nella banda di frequenza di 400MHz,con un punto di intercettazione di terzo ordine (OIP3) fino a 50 dBm, garantendo una trasmissione del segnale ad alta fedeltà.

In termini di imballaggio, i MOSFET RF di Microchip utilizzano principalmente imballaggi in ceramica (come SOT-89, SOT-539) e imballaggi in plastica (come TO-220, TO-270),bilanciamento dei requisiti di prestazione ad alta frequenza con le esigenze di gestione termica e le considerazioni di costo.

Le applicazioni delle stazioni base 5G rappresentano un'area di crescita chiave per i MOSFET RF.sono poste maggiori esigenze sulla linearità e sull'efficienza dei dispositivi di potenzaIl nuovo MOSFET RF di Microchip raggiunge un'efficienza di potenza aggiunta del 45% nella banda di frequenza di 3,5 GHz grazie a un miglior abbinamento del carico e a un packaging termicamente migliorato.che rappresenta un miglioramento di circa l'8% rispetto alla generazione precedente, riducendo significativamente i costi energetici per le operazioni della stazione base.

In termini di design affidabile, il MOSFET RF di Microchip incorpora diverse tecnologie innovative:

L'impostazione ottimizzata del legame con il piombo della fonte riduce l'induttanza parassitaria

Struttura migliorata dello strato di passivazione migliora la stabilità in ambienti umidi

Il miglioramento del materiale di interfaccia termica riduce del 15% la resistenza termica (RthJC) tra giunzione e cassa

Questi miglioramenti consentono al dispositivo di funzionare in modo stabile in condizioni di rapporto di onda stazionaria ad alta tensione (VSWR), adattandosi al complesso ambiente di impedenza all'estremità dell'antenna della stazione base.

Linea di prodotti Power MOSFET e caratteristiche tecniche

Come dispositivo di commutazione centrale nei sistemi di alimentazione elettronica, le prestazioni dei MOSFET di potenza hanno un impatto diretto sull'efficienza e l'affidabilità dell'intero sistema di alimentazione.La linea di prodotti MOSFET di potenza di Microchip copre una gamma completa di soluzioni da bassa a alta tensione, e da quelli standard a quelli automobilistici, soddisfacendo le diverse esigenze di applicazione di alimentatori industriali, motori, elettronica di consumo e altro ancora.

La copertura di tensione completa è una caratteristica chiave dei MOSFET di potenza di Microchip, che possono essere classificati in tre tipi principali:

MOSFET a bassa tensione (30V100V): utilizzando la tecnologia avanzata di trench gate, la resistenza di accensione (RDS(on)) può essere inferiore a 1mΩ,che li rende particolarmente adatti per le applicazioni di rettifica sincrona e di conversione DC-DCI modelli tipici includono la serie MCP di Microchip, che raggiunge una resistenza di accensione di soli 0,77mΩ a 40V/100A, riducendo significativamente le perdite di conduzione.

MOSFET da media a alta tensione (150V 800V): basati sulla tecnologia Super Junction, questi dispositivi raggiungono un'eccellente cifra di merito (FOM = RDS(on) × Qg),prestazioni eccezionalmente buone per la commutazione di alimentatori e di inverter fotovoltaiciAd esempio, i dispositivi della serie MCH 600V di Microchip utilizzano una struttura innovativa di bilanciamento della carica, riducendo le perdite di commutazione di circa il 30% rispetto ai MOSFET tradizionali.

MOSFET di livello automobilistico: certificati secondo gli standard AEC-Q101, questi dispositivi offrono una maggiore capacità di resistenza alle valanghe e un'affidabilità del ciclo di temperatura,rendendoli adatti a applicazioni critiche come i sistemi di propulsione elettrica e i caricabatterie di bordo (OBC) nei veicoli a nuova energia.

Le diverse opzioni di imballaggio soddisfano le diverse esigenze di applicazione.da TO-220 e TO-247 tradizionali a PQFN e DirectFET avanzatiTra questi, la tecnologia di imballaggio a clip di rame (come TOLL-8) sostituisce il legame tradizionale del filo con interconnessioni di piastre di rame.riduzione della resistenza dell'imballaggio del 50% e della resistenza termica del 30%, migliorando significativamente le prestazioni nelle applicazioni ad alta corrente.

In termini di caratteristiche di commutazione, i MOSFET a potenza di microchip raggiungono quanto segue attraverso una struttura ottimizzata del gate e un layout del chip:

Capacità di accumulo di calore

Carica di recupero inverso ottimizzata (Qrr), particolarmente adatta per applicazioni di commutazione ad alta frequenza

Tempo di commutazione inferiore a 1nS, migliorando la precisione del controllo PWM

Queste caratteristiche danno ai MOSFET a potenza di microchip un chiaro vantaggio in applicazioni ad alta frequenza e alta efficienza come alimentatori per server e inverter industriali.