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Blog dell'azienda Alimentazione MOSFET AUIRF8739L2TR 40V Single N-Channel Chip Cars HEXFET Power

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Alimentazione MOSFET AUIRF8739L2TR 40V Single N-Channel Chip Cars HEXFET Power
ultime notizie sull'azienda Alimentazione MOSFET AUIRF8739L2TR 40V Single N-Channel Chip Cars HEXFET Power

Alimentazione MOSFET AUIRF8739L2TR 40V Single N-Channel Chip Cars HEXFET Power

 

Descrizione
AUIRF8739L2 combina la più recente tecnologia Automotive HEXFET® Power MOSFET Silicon con l'avanzata tecnologia di packaging DirectFET® per ottenere prestazioni eccezionali in un package che ha l'ingombro di un PQFN SO-8 o 5X6 mm e un profilo di soli 0,7 mm.

 

Il pacchetto DirectFET® è compatibile con le geometrie di layout esistenti utilizzate in applicazioni di potenza, apparecchiature di assemblaggio PCB e tecniche di saldatura in fase vapore, infrarossi o convezione, quando viene seguita la nota applicativa AN-1035 per quanto riguarda i metodi e i processi di produzione.

 

AUIRF8739L2 HEXFET® Power MOSFET è progettato per applicazioni in cui l'efficienza e la densità di potenza sono importanti.L'avanzata piattaforma di packaging DirectFET® unita alla più recente tecnologia al silicio consente ad AUIRF8739L2 di offrire sostanziali risparmi a livello di sistema e miglioramenti delle prestazioni, in particolare nelle applicazioni di azionamento di motori, DC-DC e altre applicazioni con carichi pesanti su piattaforme ICE, HEV ed EV.Questo MOSFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza on per area di silicio estremamente bassa.Altre caratteristiche di questo MOSFET sono una temperatura di giunzione operativa di 175°C e un'elevata capacità di corrente di picco ripetitiva.Queste caratteristiche si combinano per rendere questo MOSFET un dispositivo altamente efficiente, robusto e affidabile per applicazioni automobilistiche ad alta corrente.

 

Caratteristiche

  • Tecnologia di processo avanzata

  • Ottimizzato per Motor Drive Automotive, DC-DC e altre applicazioni per carichi pesanti

  • Ingombro eccezionalmente ridotto e basso profilo

  • Alta densità di potenza

  • Bassi parametri parassiti

  • Raffreddamento a doppia faccia

  • Temperatura di esercizio 175°C

  • Valanga ripetitiva Permessa fino a Tjmax

  • Senza piombo, a norma RoHS e senza alogeni

  • Automobilistico Qualificato

 

Parametri

Categoria MOSFET - Singolo
Vgs(th) (Max) @ Id 3,9V @ 250μA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0,6 mOhm a 195 A, 10 V
Dissipazione di potenza (massima) 3,8 W (Ta), 340 W (Tc)

 

FAQ

D. I tuoi prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, la nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati hai?
R: Siamo un'azienda certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione di piccola quantità? Il campione è gratuito?
A: Sì, supportiamo l'ordine del campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso in base al tuo ordine o progetto.
D: Come spedire il mio ordine?È sicuro?
A: Usiamo espresso per spedire, come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche usare il tuo spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in un buon imballaggio e garantiranno la sicurezza e siamo responsabili per danni al prodotto al tuo ordine.
D: E il tempo di consegna?
A: Possiamo spedire parti di magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza stock, confermeremo i tempi di consegna per te in base alla quantità dell'ordine.

Tempo del pub : 2023-07-03 11:33:17 >> lista di notizie
Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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