Blog dell'azienda MOSFET di alimentazione IGLD60R190D1AUMA1_IGLD60R070D1AUMA3 Transistor di potenza potenziata 600V

Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.Supply MOSFET IGLD60R190D1AUMA1_IGLD60R070D1AUMA3 600V CoolGaNTM Enhanced Power Transistor

Descrizione del prodotto

1、IGLD60R190D1AUMA1 Montatura di superficie N-canale 600 V 10A(Tc) 62.5W(Tc) PG-LSON-8-1

Serie: CoolGaNTM FET Tipo: canale N

Tipo di FET: canale N

Tecnologia: GaNFET (nitrito di gallio)

Tensione della fonte di scarico (Vdss): 600 V

Corrente a 25°C - scarico continuo (Id): 10A (Tc)

Vgs ((th) a Id (max) diversi: 1,6V @ 960μA

Vgs ((th) (max): 1,6V @ 960μA a differenti Id

Capacità di ingresso (Ciss) (max) a Vds diversi: 157 pF @ 400 V

Dissipazione di potenza (massimo): 62,5 W (Tc)

Temperatura di funzionamento: -55 °C ~ 150 °C (TJ)

Tipo di montaggio: montaggio superficiale

Confezione del dispositivo del fornitore: PG-LSON-8-1

Imballaggio/conchiglia: 8-LDFN Exposed Pad

Numero del prodotto di base: IGLD60

2, IGLD60R070D1AUMA3 Montatura superficiale N-canale 600 V 15A (Tc) 114W (Tc) PG-LSON-8-1

Serie CoolGaNTM

FET: tipo canale N

Tecnologia: GaNFET (nitrito di gallio)

Tensione della fonte di scarico (Vdss): 600 V

Corrente a 25°C - scarico continuo (Id): 15A (Tc)

Vgs(th) a Id (max) diversi: 1,6V @ 2,6mA

Vgs ((max): -10V

Capacità di ingresso (Ciss) a Vds diversi (massimo): 380 pF @ 400 V

Dissipazione di potenza (massimo): 114 W (Tc)

Temperatura di funzionamento: -55 °C ~ 150 °C (TJ)

Tipo di montaggio: montaggio superficiale

Confezione del dispositivo del fornitore: PG-LSON-8-1

Imballaggio/conchiglia: 8-LDFN Exposed Pad

Introduzione

I transistor di potenza di amplificazione CoolGaNTM600V forniscono velocità di commutazione veloci e perdite di commutazione minime in una semplice topologia a mezzo ponte per una massima efficienza.

La famiglia CoolGaNTM 600V soddisfa approvazioni specifiche per il GaN che vanno ben oltre gli standard esistenti.caricatori, ricarica wireless e altre applicazioni che richiedono la massima efficienza o densità di potenza.

Per ulteriori informazioni, si prega di contattare il signor Chen per telefono:

Tel: +86 13410018555

Email: sales@hkmjd.com

Casa della Compagnia:http://www.hkmjd.com/