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Blog dell'azienda Fornitura NOR Flash S70GL02GS11FHI010 FLASH - NOR Memoria IC 2Gb parallelo 110 ns 64-FBGA

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

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Fornitura NOR Flash S70GL02GS11FHI010 FLASH - NOR Memoria IC 2Gb parallelo 110 ns 64-FBGA
ultime notizie sull'azienda Fornitura NOR Flash S70GL02GS11FHI010 FLASH - NOR Memoria IC 2Gb parallelo 110 ns 64-FBGA

Mingjiada Electronics Nuova e originale fornitura NOR Flash S70GL02GS11FHI010 FLASH - NOR memoria IC 2Gb parallelo 110 ns 64-FBGA

 

Il dispositivo di memoria flash S70GL02GS da 2 GB MIRRORBITTM è fabbricato utilizzando la tecnologia di processo MIRRORBITTM a 65 nm.Il dispositivo ha un tempo di accesso veloce alla pagina di 25 ns e un corrispondente tempo di accesso casuale di 110 ns. Ha un buffer di scrittura che consente di programmare fino a 256 parole/512 byte in una singola operazione.

 

Parametri: S70GL02GS11FHI010

Densità: 2048 MBit

Serie: GL-S

Tempo di accesso iniziale: 110 ns

Frequenza di interfaccia (SDR/DDR) (MHz): NA

Interfaccia: parallela

Finitura a sfera di piombo: stagno/argento/rame

Temperatura minima e massima di funzionamento: -40 °C 85 °C

Tensione di funzionamento minima e massima: 3 V 2,7 V 3,6 V

Tempo di accesso alla pagina: 20 ns

Temperatura massima di reflusso: 260 °C

Certificazioni: di grado industriale

 

Caratteristiche che lo distinguono:

  • 3.0 V core CMOS con I/OTM multifunzionale
  • Due megabit da 1024 in un singolo pacchetto BGA rinforzato a 64 sfere (S29GL01GS)
  • Tecnologia di processo MIRRORBITTM a 65 nm
  • Fornitore unico (VCC) per lettura/programmazione/cancellazione (2,7 V a 3,6 V)
  • Capacità di I/O multifunzione
  • Voltaggio di ingresso/uscita ampio (VIO): 1,65 V a VCC
  • ×16 bus dati
  • Buffer di lettura di pagina da 16 parole/32 byte
  • Buffer di programmazione da 512 byte
  • Programmazione in multipli di pagina fino a 512 byte
  • Cancellare il settore
  • Settori uniformi da 128 KB
  • S70GL02GS: 248 settori
  • Comandi di pausa e di ripresa per le operazioni di programmazione e cancellazione
  • Registro di stato, sondaggio dei dati e metodi di pin pronto/occupato per determinare lo stato del dispositivo
  • Protezione avanzata del settore (ASP)
  • Metodi di protezione volatili e non volatili per settore
  • Arrays di programmazione a tempo unico (OTP) indipendenti a 1024 bit con due regioni bloccabili
  • Ogni dispositivo ha il supporto di Common Flash Interface (CFI)
  • Input WP#
  • Protegge il primo o l'ultimo settore di ciascun dispositivo o il primo e l'ultimo settore, indipendentemente dalle impostazioni di protezione del settore
  • Intervallo di temperatura
  • Intervallo di temperatura industriale (da -40°C a +85°C)
  • 100 000 cancellazioni tipiche per settore
  • Periodo tipico di conservazione dei dati di 20 anni
  • Opzioni del pacchetto
  • BGA rinforzato con LSH a 64 sfere, 13 mm ️ 11 mm

 

Informazioni di contatto

Telefono: +86 13410018555

Email: sales@hkmjd.com

Homepage dell'azienda:www.hkmjd.com

Tempo del pub : 2024-05-13 10:03:58 >> lista di notizie
Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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