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Blog dell'azienda Fornitura NXP PMDXB600UNE Transistor MOSFET a doppio canale N

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La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Fornitura NXP PMDXB600UNE Transistor MOSFET a doppio canale N
ultime notizie sull'azienda Fornitura NXP PMDXB600UNE Transistor MOSFET a doppio canale N

Fornitura NXP PMDXB600UNE Transistor MOSFET a doppio canale N

 

Descrizione del prodotto

PMDXB600UNE è un transistor a effetto campo a doppio canale con modalità di potenziamento N in un pacchetto di plastica SOT1216 Superficie-Mounted Device senza piombo, utilizzando la tecnologia Trench MOSFET.

 

Caratteristiche

Tecnologia MOSFET a trincea

Imballaggio in plastica SMD ultrapiccolo e ultrasottile senza piombo: 1,1 × 1,0 × 0,37 mm

Pad di scarico esposto per un'ottima conduzione termica

Protezione da scarica elettrostatica > 1 kV HBM

Resistenza in stato di funzionamento della sorgente di drenaggio RDSon = 470 mΩ

 

Applicazioni

Conduttore del relè

Autista di una linea ad alta velocità

Interruttore di carico laterale basso

Circuiti di commutazione

 

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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