Blog dell'azienda Fornitura di MOSFET N-Channel Infineon originali in magazzino (OptiMOSTM, CoolMOSTM e StrongIRFETTM)

Con il rapido progresso della progettazione dell'elettronica di potenza oggi, i MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) servono come componenti chiave nella gestione dell'energia e nella conversione di energia,e le loro prestazioni influenzano direttamente l'efficienza e l'affidabilità dell'intero sistemaShenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. mantiene una scorta a lungo termine della gamma completa di MOSFET di potenza N-channel Infineon, che copre le tre serie principali: OptiMOSTM, CoolMOSTM e StrongIRFETTM.Con una selezione completa di modelli, prodotti genuini, e prezzi competitivi, forniamo ai clienti una soluzione di approvvigionamento di semiconduttori di potenza.

I. Visualizzazione della tecnologia MOSFET a canale N di Infineon

I MOSFET di potenza a canale N di Infineon formano canali di corrente attraverso gli elettroni.rendendo i dispositivi a canale N la scelta preferita per le applicazioni ad alta correnteInfineon offre un portafoglio completo di MOSFET di potenza N-channel.mentre la serie CoolMOSTM è dedicata alle applicazioni ad alta tensione da 500V a 950V.

II. Mingjiada Electronics Lista dei modelli in stock

(1) Serie OptiMOSTM Low-to-medium voltage, high-frequency optimized N-channel MOSFETs

La serie OptiMOSTM è progettata per applicazioni ad alte prestazioni e ottimizzata per alte frequenze di commutazione, con una bassa resistenza e un fattore di forma (FoM) leader del settore.La serie copre tensioni da 15V a 250V, con una resistenza di accensione inferiore a 0,29mΩ + e supporta opzioni di imballaggio innovative come raffreddamento a doppio lato e configurazioni a fonte scesa.

Mingjiada Electronics ha attualmente in magazzino i seguenti modelli della serie OptiMOSTM:

IPD90N04S4A 40V MOSFET a canale N a bassa tensione progettato appositamente per sistemi automobilistici mild-hybrid a 48V,mentre è anche adatto per applicazioni industriali di azionamento a bassa tensione e soddisfa i requisiti di affidabilità di livello automobilistico

Modello IPP090N06S5A da 60 V a media-bassa tensione con velocità di commutazione elevata e bassa resistenza, adatto a convertitori DC-DC ad alta frequenza

Modello a bassa tensione da 30 V, adatto a una vasta gamma di applicazioni, tra cui elettronica di consumo e controllo industriale

IPT004N03LATMA1 MOSFET a canale N 30V, con una corrente di scarico continua massima di 300A e una resistenza di accensione inferiore a 500μΩ, dotato di un pacchetto HSOF e certificato AEC-Q101

BSC005N03LS5IATMA1 MOSFET a canale N 30V, corrente massima 433A, pacchetto TDSON-8, parametro di riferimento di alta corrente nella serie OptiMOS

BSC016N06NSATMA1 MOSFET a canale N 60V, con resistenza attiva 1,6 mΩ, corrente di scarico continua 225 A, parte della serie OptiMOSTM5, ottimizzata per la rettifica sincrona

IPT007N06NATMA1?? 60V MOSFET a canale N, resistenza di accensione inferiore a 0,75 mΩ, corrente massima di 486 A, pacchetto TOLL, RDS più basso del settore

IQE013N04LM6 MOSFET a canale N 40V, resistenza 1,35 mΩ, corrente massima 205 A, in un pacchetto PQFN a fonte 3,3x3,3 mm, leader del settore

IAUCN04S7N005 MOSFET a canale N di 40 V per l'automotive, con resistenza di 0,55 mΩ, tecnologia OptiMOSTM7, certificato AEC-Q101

IAUCN04S7N030 MOSFET a canale N da 40 V per autoveicoli, con resistenza di accensione di 3,02 mΩ, adatto a sistemi di servosterzo elettrici, freni, ecc.

ISC019N08NM7, ISC024N08NM7, ISC034N08NM7 MOSFET a canale N della serie 80V

ISC040N10NM7 MOSFET a canale n 100V

ISC007N06NM6, ISC009N06NM6 MOSFET a canale N della serie 60V

MOSFET a canale N della serie 60V

IPB65R110CFD 650V modello a media-alta tensione, prodotto ottimizzato per alte frequenze della serie OptiMOSTM, adatto a inverter industriali e microinverter fotovoltaici

(2) MOSFET a canale N ad alta tensione a super giunzione

La serie CoolMOSTM è la linea di prodotti di punta di Infineon per i MOSFET ad alta tensione a canale N. In qualità di pioniere nella tecnologia di super giunzione (SJ), copre gli intervalli di tensione da 500V a 950V,offre un'eccellente robustezza di commutazioneQuesta serie offre una gamma diversificata di prodotti, tra cui P7, C7/G7, S7/S7T, CFD7 e PFD7,con un'ampia gamma di applicazioni, da basse a alte potenze.

Mingjiada Electronics ha attualmente in magazzino i seguenti modelli della serie CoolMOSTM:

MOSFET a canale N ad alta tensione IPW65R019C7A 650V appartenente alla serie CoolMOSTM C7 (serie MOSFET a super giunzione più efficiente di Infineon),con una resistenza di accensione inferiore a 19 mΩ e basse perdite di commutazioneÈ adatto per inverter fotovoltaici e alimentatori industriali ad alta tensione, rendendolo un modello fondamentale nel nuovo settore energetico.

MOSFET a canale N ad alta tensione IPW60R070P7?? 600V in un pacchetto TO-247, con elevata densità di potenza ed eccellenti prestazioni termiche, adatto ai caricabatterie dei veicoli e ai convertitori DC-DC ad alta tensione

MOSFET a canale N ad alta tensione IPP80R1200P7?? 800V, appartenente alla serie CoolMOSTM P7, con eccezionale resistenza alla tensione, adatto ad illuminazione ad alta potenza, elettronica di consumo,e SMPS industriali

IPT60R035CFD7XTMA1?? 600V MOSFET a canale N con una resistenza di accensione di 35 mΩ e una corrente di scarico continua di 67 A; parte della serie CoolMOS CFD7,ottimizzato per applicazioni di soft-switching come LLC e ZVS

MOSFET a canale N IPD60R600C6 ∼650V, corrente di scarico continua 7.3A, resistenza attiva 600mΩ, in un pacchetto TO-252

MOSFET a canale N SPW20N60C3?? 650V, corrente di scarico continua 20,7A, resistenza su 0,19Ω, pacchetto TO-247, serie CoolMOSTM C3

SPP06N60C3 MOSFET a canale N 600V, corrente di scarico continua 6.2A, resistenza 750mΩ, pacchetto TO-220

SPW35N60C3FKSA1 MOSFET a canale N 650V, corrente di scarico continua 34,6A, pacchetto TO-247-3

IPD70R360P7 MOSFET a canale n 700V

IPDQ60R055CM8 MOSFET a canale n 600V

IPLT60R024CM8 MOSFET a canale n 600V

(3) StrongIRFETTM Series Low-frequency, high-robustness N-channel MOSFET

La serie StrongIRFETTM (compresa la StrongIRFETTM 2) si concentra sulla gamma di tensione 20V/150V ed è specificamente progettata per applicazioni a bassa frequenza.eccellente rapporto costi/prestazioni, e durabilità, con resistenza di accensione inferiore a 0,45 mΩ+. Utilizzando pacchetti standard industriali come TOLL, è adatto a scenari a bassa frequenza con elevati requisiti di affidabilità del dispositivo.

Mingjiada Electronics ha attualmente in magazzino i seguenti modelli popolari della serie StrongIRFETTM:

IRFP140NPBF 100V MOSFET a canale N di media-bassa tensione in un pacchetto TO-247, con corrente di scarico continua di 33A e resistenza di accensione di 0,044Ω,adatti per alimentatori industriali e inverter a motore

IRF3205PBF 55V MOSFET a basso voltaggio a canale N con bassa resistenza e elevata capacità di gestione della corrente, adatto all'elettronica automobilistica e ai motori DC

IRF740PBF 400V MOSFET a canale N di media-alta tensione con eccellente resistenza alla tensione, adatto a circuiti di commutazione ad alta tensione, driver LED e apparecchiature di controllo industriali

IPP019N08NF2SAKMA1 MOSFET a canale N 80V, con resistenza attiva 1,9 mΩ, corrente di scarico continua 191 A, serie StrongIRFETTM 2

IRFB4321PBF 150V MOSFET N-channel, su resistenza 15 mΩ, corrente di scarico continua 85 A, pacchetto TO-220, serie StrongIRFETTM

IPA082N10NF2SXKSA1?? 100V MOSFET a canale N, su resistenza 8,2 mΩ, corrente di scarico continua 46 A, pacchetto TO-220FP, StrongIRFETTM Serie 2

IRFB7434PBF 40V MOSFET a canale N, corrente di scarico continua 195A, resistenza attiva 1,6mΩ, pacchetto TO-220AB

Modello a bassa tensione della serie StrongIRFETTM, corrente di scarico continua 56A

(4) Altri modelli di MOSFET a canale N di Infineon in stock

Mingjiada Electronics possiede anche i seguenti modelli Infineon MOSFET a canale N (elenco parziale):

Serie a bassa/media tensione:

L'indice di emissione è calcolato in base al calcolo delle emissioni di CO2 e delle emissioni di CO2.

Serie di media-alta tensione:

ISZ028N03LF2S, IQE031N08LM6CGSC, IQE031N08LM6CG, IQE036N08NM6CGSC, IQE018N06NM6, IQE018N06NM6CG, IQE018N06NM6SC

Serie ad alta tensione/di categoria automobilistica:

L'indice di emissione è basato su una serie di dati di cui all'allegato I, parte B, del regolamento (CE) n. 1907/2006 del Parlamento europeo e del Consiglio, del 26 giugno 2006, relativo all'indice di emissione di carbonio e di carbonio (GU L 347 del 30.12.2006, pag.IQEH46NE2LM7UCGSC

L'elenco di cui sopra include solo una selezione di modelli in stock. Se avete bisogno di altri modelli Infineon MOSFET a canale N, non esitate a contattarci.

III. Mingjiada Electronics Vantaggi di fornitura

Mingjiada Electronics è profondamente coinvolta nel settore della distribuzione di componenti elettronici da quasi trent'anni e ha ottenuto la certificazione del sistema di gestione della qualità ISO 9001.Attraverso una stretta collaborazione con i fornitori e una gestione efficiente della catena di approvvigionamento, la società offre ai clienti i seguenti vantaggi essenziali in materia di approvvigionamento:

1- Prodotti originali garantiti

Tutti i prodotti sono acquistati attraverso canali ufficiali direttamente dai produttori, garantendo una qualità affidabile ed eliminando il rischio di contraffazioni.Forniamo prodotti MOSFET di una vasta gamma di marchi e modelli, tra cui marchi di fama mondiale come Renesas, Infineon, STMicroelectronics, Toshiba e Texas Instruments (TI).

2. Ampio inventario delle scorte

Con due magazzini a Shenzhen e Hong Kong, manteniamo uno stock di oltre un milione di modelli popolari, supportando un modello di consegna efficiente di ordini dello stesso giorno e spedizione il giorno successivo.Gli ordini urgenti vengono spediti entro 4 ore., e gli ordini standard vengono consegnati entro 48 ore.

3Soluzioni di approvvigionamento flessibili

Supportiamo sia gli acquisti di campioni di piccoli lotti che gli ordini di grandi volumi a prezzi di mercato competitivi.Forniamo soluzioni di approvvigionamento flessibili ed efficienti.

4- Copertura completa delle applicazioni

I prodotti Infineon MOSFET a canale N forniti da Mingjiada Electronics sono ampiamente utilizzati nei seguenti settori:

Controllo industriale: motori, inverter, saldatori, alimentatori industriali (SMPS) e alimentatori ininterrotti (UPS)

Automotive Electronics: MOSFET di livello automobilistico conformi alle norme AEC-Q101, utilizzati nei sistemi di propulsione elettrica, nei caricabatterie di bordo (OBC), nei sistemi di gestione delle batterie (BMS),di cilindrata inferiore o uguale a 50 cm3

Energia rinnovabile: inverter solari, sistemi di conversione dell'energia eolica, sistemi di accumulo di energia (ESS)

Elettronica di consumo: elettrodomestici, driver a LED, adattatori di alimentazione, vari alimentatori a ricarica rapida

Infrastrutture per server e comunicazioni: alimentatori per server, alimentatori per apparecchiature di comunicazione, soluzioni di conversione di energia per data center

5Servizi di riciclaggio parallelo

Pur fornendo prodotti di alta qualità, Mingjiada Electronics gestisce simultaneamente un'attività di riciclaggio di MOSFET Infineon in eccesso, sigillati in fabbrica,assistere i clienti nella risoluzione dei problemi di inventario e nella rivitalizzazione degli asset.

IV. Contattaci

Per ulteriori informazioni sulle specifiche e i parametri dei prodotti MOSFET a canale N Infineon o per richieste di acquisto, contattare Mingjiada Electronics tramite i seguenti metodi:

Persona di contatto: il signor Chen

Telefono: +86 13410018555 (anche su WeChat)

Email: sales@hkmjd.com

Indirizzo della società: 1239-1241, New Asia Guoli Building, Zhenzhong Road, distretto di Futian, Shenzhen, provincia del Guangdong

Che si tratti di acquisti di campioni o di ordini di massa, Mingjiada Electronics sostiene sempre l'integrità come nostra base.Ci impegniamo a fornire ai clienti servizi di fornitura di semiconduttori di potenza Infineon di altissima qualità e più affidabili, lavorando insieme per guidare il continuo progresso dei dispositivi elettronici verso una maggiore efficienza, miniaturizzazione e intelligenza!