Blog dell'azienda Fornitura su una scheda di valutazione discreta:MOSFET,IGBT,modulo di alimentazione,SiC

Fornitura su una scheda di valutazione discreta:MOSFET,IGBT,modulo di alimentazione,SiC

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,come distributore indipendente autorizzato di componenti elettronici di fama mondiale,sfrutta anni di esperienza nel settore e un sistema stabile della catena di approvvigionamento per fornire ai clienti soluzioni complete di componenti elettronici.

Prodotti principali:chip 5G, circuiti integrati di nuova energia, circuiti integrati IoT, circuiti integrati Bluetooth, circuiti integrati telematici, circuiti integrati automobilistici, circuiti integrati di livello automobilistico, circuiti integrati di comunicazione, circuiti integrati di intelligenza artificiale, circuiti integrati di memoria, circuiti integrati di sensori, circuiti integrati di microcontrollore, circuiti integrati di trasmettitore,IC Ethernet, chip WiFi, moduli di comunicazione wireless, connettori e altri prodotti.

Vantaggi di approvvigionamento

Tutti i prodotti sono prodotti originali OEM, supportati da servizi completi di garanzia della qualità e di tracciabilità.

L'inventario supera i 2 milioni di SKU, coprendo l'intero spettro di componenti elettronici.

Prezzi leader del settore ottenuti attraverso appalti su larga scala e costi operativi semplificati.

Un sistema logistico efficiente garantisce la consegna puntuale.

Il servizio post-vendita completo elimina le preoccupazioni dei clienti.

1- Consigli di valutazione dei dispositivi discreti: flessibilità e analisi approfondita

Rappresentate dal sistema ON Semiconductor EVBUM2897G-EVB, le schede di valutazione dei dispositivi discreti offrono un valore fondamentale grazie alla flessibilità e alle profonde capacità analitiche.Gli ingegneri possono regolare liberamente i parametri come la resistenza del cancello e la tensione di azionamentoQuesto li rende ideali per la ricerca tecnica preliminare e la convalida della selezione dei dispositivi.

La scheda di valutazione EVBUM2897G-EVB, dotata di doppio impulso, è uno strumento versatile per l'analisi comparativa delle prestazioni dei dispositivi nei laboratori.Comparazioni precise delle prestazioni di commutazione dei MOSFET EliteSiC e degli IGBT in vari pacchetti discreti.

Un'eccezionale versatilità: il suo punto di forza principale sta nel supporto di sei pacchetti di alta potenza, tra cui TO247-3L/4L, D2PAK-7L, BPAK7, TOLL e POWER88.Questo consente agli sviluppatori di utilizzare una sola scheda per confrontare come diversi pacchetti influenzano le caratteristiche di commutazione dello stesso chip, o per valutare le prestazioni di chip diversi all'interno dello stesso pacchetto, fornendo un supporto diretto dei dati per la selezione.

Architettura di prova professionale: questa scheda trascende un semplice adattatore, integrando tutti i circuiti critici richiesti per il Dual Pulse Testing (DPT):

Guida singola isolata: fornisce un isolamento elettrico da 2,5 kV, garantendo la sicurezza e l'integrità del segnale durante i test ad alta tensione.

Disposizione dei circuiti PCB a bassa induttanza e componenti integrati: la disposizione del circuito di alimentazione è specificamente ottimizzata per ridurre al minimo l'induttanza parassitaria.Incorpora un induttore a nucleo d'aria a corda di 80 μH e un trasformatore di misurazione della corrente, consentendo una misurazione più accurata delle perdite di sovraccarico di tensione, di suono e di commutazione durante il processo di commutazione.

Supporto ad alta tensione: la progettazione della scheda supporta dispositivi fino a 1200V, con una tensione di bus CC fino a 1100V, che copre scenari di applicazione di alta tensione tradizionali.

2. Pannelli di valutazione dei moduli di alimentazione: applicazioni a livello di sistema

Quando i dispositivi vengono ridimensionati in moduli di potenza ad integrazione più elevata, la valutazione si sposta verso le prestazioni a livello di sistema.Il pannello di valutazione EVBUM2878G-EVB di ON Semiconductor è specificamente progettato per il suo modulo full-bridge MOSFET da 1200V M3S 4-PACK EliteSiC.

Test a livello di sistema: oltre a supportare i test a doppio impulso,sottolinea la sperimentazione della potenza in circuito aperto per valutare le metriche critiche del sistema come l'efficienza di conversione e l'aumento della temperatura durante il funzionamento prolungato.

Azionamento e protezione completi: la scheda integra quattro driver di cancello isolati indipendenti, condensatori di bus DC a film sottile preinstallati,e una progettazione ottimizzata per la gestione termica (utilizzando PCB neri ad alta emissività), che consente di valutare direttamente le prestazioni del modulo in applicazioni pratiche quali inverter solari, sistemi di stoccaggio dell'energia o stazioni di ricarica per veicoli elettrici.

3. Soluzione di valutazione del modulo di potenza intelligente del carburo di silicio: integrazione del sistema plug-and-play

La forma più elevata di integrazione dei semiconduttori di potenza è il modulo di potenza intelligente.circuiti di protezioneLe soluzioni di valutazione per tali moduli sono altamente integrate.

Vantaggi di prestazioni dirompenti: rispetto alle precedenti soluzioni IGBT, questo IPM SiC riduce il consumo di energia fino al 52% sotto carichi tipici,riduzione significativa del consumo e dei costi annuali di energia.

Progettazione semplificata: l'obiettivo della valutazione va oltre il dispositivo stesso per sfruttare rapidamente i suoi vantaggi integrati.e monitoraggio della temperatura, gli ingegneri possono sviluppare rapidamente azionamenti a frequenza variabile efficienti e compatti basati sui progetti di riferimento del produttore.Questi sono adatti ad applicazioni come ventilatori di raffreddamento del data center AI e servo drive industriali.