Blog dell'azienda Moduli di alimentazione: IGBT, MOSFET, Smart e SiC

Moduli di alimentazione: IGBT, MOSFET, Smart e SiC

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.è un fornitore professionale di componenti elettronici, con l'obiettivo di "servire i clienti, a beneficio dei clienti",attraverso l'ottimizzazione continua della gestione della catena di approvvigionamento e l'espansione delle linee di prodotti, si è sviluppata fino a diventare un'impresa di riferimento mondiale nel settore della distribuzione di componenti elettronici.

Prodotti principalichip 5G, circuiti integrati di nuova energia, circuiti integrati IoT, circuiti integrati Bluetooth, circuiti integrati telematici, circuiti integrati di livello automobilistico, circuiti integrati di comunicazione, circuiti integrati di intelligenza artificiale, circuiti integrati di memoria, circuiti integrati di sensori, circuiti integrati di microcontrollore, circuiti integrati di trasmettitore, circuiti integrati Ethernet,Chip WiFi, moduli di comunicazione wireless, connettori e altri componenti elettronici

Vantaggio dell'offerta

Sistema di inventario enorme: l'azienda ha più di 2 milioni di tipi di modelli vantaggiosi di inventario, che coprono classi militari, industriali,comunicazioni e tutti i tipi di componenti ad alta tecnologia a freddo e caldo, può rispondere rapidamente alle esigenze urgenti dei clienti, accorciare significativamente il ciclo di R & S e di produzione del cliente.

Stretta garanzia della qualità: tutti i componenti forniti provengono da produttori originali o da canali autorizzati, che forniscono una completa tracciabilità dei lotti e servizi di garanzia.L'azienda attua rigorosamente ISO9001:2014 sistema di gestione della qualità per garantire l'affidabilità e la coerenza di ogni prodotto.

Rete logistica efficiente: Con filiali e partner logistici in tutto il mondo, siamo in grado di ottenere una consegna rapida di 1-3 giorni e supportare un modello di approvvigionamento flessibile da 1 pezzo.Questa capacità efficiente della catena di approvvigionamento è particolarmente adatta per esigenze di piccoli lotti nella fase di ricerca e sviluppo e per l'elaborazione di ordini urgenti.

Moduli IGBT: la combinazione perfetta di elevata densità di potenza e affidabilità

I moduli di transistor bipolari a cancello isolato (IGBT), come dispositivi principali dei moderni sistemi elettronici di potenza, dominano il campo delle applicazioni da media a alta potenza.I moduli IGBT di ON sono noti per la loro bassa perdita, alta frequenza di commutazione e robustezza elevata, e sono ampiamente utilizzati in apparecchiature chiave come motori elettrici, inverter fotovoltaici, alimentatori ininterrotti (UPS),con un caricamento di potenza superiore a 50 WQuesti moduli utilizzano l'avanzata tecnologia Trench Field Stop per ottenere un equilibrio ottimale tra perdite di conduzione e di commutazione, migliorando significativamente l'efficienza complessiva del sistema.

I vantaggi tecnici del modulo IGBT ON si riflettono principalmente in tre aspetti: in primo luogo, esso adotta una struttura raffinata di porta trincea,che riduce significativamente la caduta di tensione in stato attivo (VCE ((sat)) e riduce la perdita di potenza nelIn secondo luogo, la progettazione ottimizzata del livello di terminazione del campo consente al modulo di avere una velocità di commutazione più rapida e una perdita di commutazione inferiore, che è adatta per scenari di applicazione ad alta frequenza;e infine:, il modulo integra un sensore di temperatura interno e una funzione di rilevamento della corrente, che facilita l'attuazione dell'efficienza complessiva del sistema.I moduli IGBT sono disponibili in tensioni da 600V a 1700V e in capacità di corrente che vanno da 30A a centinaia di ampere per soddisfare le esigenze di applicazioni a diversi livelli di potenza.

Moduli MOSFET: ideali per la commutazione ad alta velocità e la conversione ad alta efficienza

I moduli MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) dimostrano vantaggi unici nelle applicazioni di commutazione ad alta frequenza.elettronica automobilistica, e sistemi di controllo industriali grazie alle loro eccellenti prestazioni di commutazione e alle loro caratteristiche di bassa resistenza.il pacchetto modulare offre una maggiore densità di potenza, una migliore prestazione termica e una progettazione del sistema semplificata, particolarmente adatta per scenari di applicazione a media e alta potenza.

Le caratteristiche tecniche del modulo ON MOSFET si riflettono principalmente in quattro aspetti:il modulo MOSFET con tecnologia Super Junction (Super Junction) ottiene una resistenza di accensione molto bassa (RDS(on)) nelle applicazioni ad alta tensione, che riduce significativamente le perdite di conduzione; in secondo luogo, la progettazione ottimizzata del cancello consente una commutazione più rapida e riduce le perdite di energia durante il processo di commutazione; e in terzo luogo,il modulo integra più chip MOSFET all'interno, in grado di supportare varie topologie come il ponte completo, il mezzo ponte e i sei gruppi; infine, la tecnologia avanzata di imballaggio garantisce buone prestazioni di conduzione termica,che consente al modulo di funzionare in modo stabile in ambienti ad alta temperatura.Il livello di tensione del modulo MOSFET copre da 40V a 900V, che soddisfa le esigenze diversificate dal convertitore DC-DC a bassa tensione al sistema di alimentazione ad alta tensione.

Moduli di potenza intelligenti (IPM): l'incarnazione perfetta dell'integrazione e dell'alta affidabilità

I moduli di potenza intelligenti (IPM) rappresentano il più alto livello di integrazione dell'elettronica di potenza.e funzioni di protezione in un unico pacchetto, semplificando notevolmente la progettazione del sistema e migliorando l'affidabilità.questi moduli offrono una vasta gamma di potenze da 50W a 10kW, e supportano una varietà di topologie come gli inverter trifase, PFC (Power Factor Correction) e i raddrizzatori di ponte di ingresso.

I principali vantaggi dell'ON IPM si riflettono principalmente in quattro aspetti: in primo luogo la progettazione altamente integrata riduce il numero di componenti esterni e la superficie del PCB, riducendo la complessità del sistema e il costo;in secondo luogo, il circuito integrato del driver ottimizza le caratteristiche di commutazione dei dispositivi di alimentazione riducendo al contempo le interferenze elettromagnetiche (EMI);le funzioni di protezione complete (comprese le funzioni di sovraccarico)La linea di prodotti IPM copre applicazioni a bassa e media tensione fino a 600 V.con capacità di corrente che vanno da pochi amperes a decine di amperes per soddisfare le esigenze di diversi livelli di potenza.

Modulo del carburo di silicio (SiC): un punto di riferimento tecnologico per i dispositivi elettrici di nuova generazione

I moduli di potenza a carburo di silicio (SiC) rappresentano la direzione di sviluppo all'avanguardia della tecnologia dei semiconduttori di potenza.I moduli SiC di ON utilizzano il carburo di silicio (SiC) di terza generazione come dispositivo di base, che presenta vantaggi significativi quali tolleranza ad alte temperature, caratteristiche ad alta frequenza e bassa perdita di conduzione,e sta guidando l'aggiornamento di settori tecnologici come i veicoli elettrici, inverter solari e alimentatori per data center.I moduli SiC possono aumentare l'efficienza del sistema del 3-5% e ridurre il consumo energetico di oltre il 30%, riducendo significativamente le dimensioni e il peso dei sistemi, rendendoli una soluzione ideale per affrontare le sfide dell'efficienza energetica e della densità di potenza.

I vantaggi tecnici dei moduli ON SiC si riflettono principalmente in cinque aspetti:l'elevata resistenza del campo elettrico di rottura critica del materiale SiC consente al dispositivo di funzionare a tensioni più elevate riducendo allo stesso tempo lo spessore della regione di deriva, che abbassa la resistenza di accensione; in secondo luogo, la caratteristica proibita del SiC (3,26 eV) di larghezza di banda consente al dispositivo di funzionare a temperature più elevate (superiori a 200 °C),che riduce la complessità del sistema di dissipazione del caloreIn terzo luogo, i dispositivi SiC non hanno praticamente alcuna corrente di recupero inverso, riducendo notevolmente le perdite di commutazione e consentendo un funzionamento a frequenza più elevata.l'eccellente conduttività termica (circa tre volte quella del silicio) migliora la densità di potenza e consente un sistema più compattoInfine, il miglioramento dell'efficienza complessiva del sistema riduce il consumo di energia e i requisiti di dissipazione del calore, con conseguente ciclo virtuoso. I moduli SiC comprendono due tipi di moduli:moduli SiC puri e moduli ibridi Si/SiC, con livelli di tensione di 1200V e 1200V. I livelli di tensione sono principalmente 1200V e 1700V per soddisfare le esigenze delle applicazioni ad alta tensione.