Blog dell'azienda Fornitura DI Prodotti al Carburo di Silicio: Diodi SiC, MOSFET SiC, JFET SiC

Fornitura di prodotti al carburo di silicio: diodi SiC, MOSFET SiC, JFET SiC

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,in qualità di distributore globale leader di componenti elettronici, sfrutta la sua solida rete di supply chain, servizi professionali, prezzi competitivi e un approccio affidabile per fornire ai clienti soluzioni complete per componenti elettronici.

I prodotti principali includono:chip 5G, IC per nuove energie, IC IoT, IC Bluetooth, IC per la rete veicolare, IC per uso automobilistico, IC per comunicazioni, IC per intelligenza artificiale, ecc. Inoltre, l'azienda fornisce IC di memoria, IC di sensori, IC di microcontroller, IC transceiver, IC Ethernet, chip WiFi, moduli di comunicazione wireless, connettori e altri componenti elettronici.

Vantaggi di fornitura:

1. Prodotti originali del produttore:

Tutti i prodotti provengono da produttori originali o canali autorizzati.

Viene fornito l'imballaggio originale completo per eliminare il rischio di prodotti ricondizionati o contraffatti.

2. Soluzioni di approvvigionamento flessibili:

Sono disponibili ordini di esempio a partire da 1 pezzo per soddisfare i requisiti della fase di ricerca e sviluppo.

Gli ordini all'ingrosso godono di sconti sui prezzi a livelli.

3. Sistema logistico efficiente:

Il magazzino centrale di Shenzhen mantiene l'inventario a stock, con il 98% degli ordini spediti entro 48 ore

Il magazzino doganale di Hong Kong supporta i servizi logistici globali DDP porta a porta

Gli ordini urgenti possono utilizzare linee dedicate per il trasporto aereo per garantire la fornitura di materiali critici

Diodi al carburo di silicio (SiC)

I diodi al carburo di silicio utilizzano una tecnologia completamente nuova che offre prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio.

Rispetto ai diodi al silicio, i diodi al carburo di silicio sono più efficienti e resistenti alle alte temperature. Funzionano ad alte frequenze e tensioni più elevate. Poiché i diodi SiC hanno tempi di recupero più rapidi rispetto ai diodi al silicio, sono ideali per qualsiasi tipo di corrente che richiede una rapida transizione dalle fasi di blocco a quelle di conduzione. Inoltre, non si scaldano come il silicio, consentendo loro di essere utilizzati in applicazioni a temperature più elevate con maggiore efficienza.

MOSFET al carburo di silicio (SiC)

I MOSFET SiC sono progettati per essere veloci e robusti e includono vantaggi di sistema che vanno dall'alta efficienza alla riduzione delle dimensioni e dei costi del sistema. I MOSFET sono transistor a effetto di campo a semiconduttore metallo-ossido con gate isolati. Questi MOSFET al carburo di silicio hanno una tensione di blocco più elevata e una maggiore conducibilità termica rispetto ai MOSFET al silicio, pur avendo elementi di design simili. I dispositivi di potenza SiC hanno anche una resistenza allo stato inferiore e una resistenza alla rottura 10 volte superiore rispetto al silicio normale. In generale, i sistemi con MOSFET SiC hanno prestazioni migliori e maggiore efficienza rispetto ai MOSFET realizzati con materiale al silicio.

JFET al carburo di silicio (SiC)

I JFET SiC sono transistor JFET normalmente attivi ad alte prestazioni con VDS-max compreso tra 650 V e 1700 V. Forniscono un'elevata frequenza di commutazione e offrono una resistenza on-state ultra-bassa (RDS (on)) a partire da soli 4 mohm, utilizzando meno della metà delle dimensioni del die rispetto a qualsiasi altra tecnologia. Inoltre, la bassa carica di gate (Qg) consente ulteriori riduzioni sia delle perdite di conduzione che di commutazione. I JFET SiC sono ottimizzati per uno degli usi nelle unità di alimentazione (PSU) e nella conversione DC-DC ad alta tensione a valle per gestire gli enormi requisiti di potenza dei futuri rack di data center AI. Inoltre, migliorano l'efficienza e la sicurezza sostituendo più componenti con un interruttore a stato solido basato su JFET SiC nelle unità di disconnessione della batteria EV. Inoltre, abilitano alcune topologie di accumulo di energia e interruttori automatici a stato solido (SSCB).