Blog dell'azienda Alimentazione/Riciclo AOS AON6407 30V 85A MOSFET P-Channel a bassa resistenza On

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. fornisce MOSFET di potenza a canale P nuovi di zecca e originali Alpha & Omega Semiconductor (AOS) AON6407 e offre servizi di riacquisto ad alto valore per unità usate. Questo prodotto combina la tecnologia MOSFET trench avanzata con un package DFN a bassa resistenza per ottenere una resistenza di accensione estremamente bassa, rendendolo adatto per applicazioni ad alta corrente come lo switching di carico e la protezione della batteria.

AON6407 Specifiche del prodotto:

Tipo di prodotto: MOSFET di potenza a canale P

Produttore: Alpha & Omega Semiconductor (AOS/Bandai USA)

Piattaforma tecnologica: Tecnologia MOSFET Trench Avanzata

Tensione nominale (VDS): -30V

Corrente di drain continua (ID): -32A (Ta=25°C) / -85A (Tc=25°C)

Corrente di drain pulsata: -200A

Resistenza di accensione (RDS(on)): <4.5mΩ a VGS=-10V, ID=-20A

<6.0mΩ a VGS=-6V, ID=-20A

Tensione Gate-Source (VGS): ±25V

Tensione di soglia (VGS(th)): -1.6V ~ -2.6V (Tipico: -2.1V)

Dissipazione di potenza (Ptot): 7.3W (Ta=25°C) / 83W (Tc=25°C)

Capacità di ingresso (Ciss): 3505pF a VDS=-15V

Capacità di uscita (Coss): 900 pF

Capacità di accoppiamento incrociato (Crss): 650 pF

Carica totale del gate (Qg): 75 nC a 105 nC a VGS = -10 V

Tempo di commutazione: Ritardo di accensione 14 ns / Ritardo di spegnimento 94 ns

Tempo di recupero inverso del diodo di corpo (Trr): 35 ns

Energia di valanga (EAS): 101 mJ

Intervallo di temperatura operativa: -55°C a +150°C (TJ)

Tipo di package: DFN5×6-8L (8 pin, 5×6 mm)

Tipo di montaggio: Montaggio superficiale (SMD)

AON6407 Caratteristiche del prodotto:

Resistenza di accensione ultra-bassa: RDS(on) < 4.5 mΩ a VGS = -10 V e < 6.0 mΩ a VGS = -6 V, riducendo significativamente la dissipazione di potenza in stato ON

Elevata capacità di corrente: Corrente di drain continua fino a 85 A (temperatura del case 25°C) e corrente pulsata fino a 200 A, soddisfacendo le esigenze delle applicazioni ad alta corrente

Package compatto: Il package a montaggio superficiale DFN5×6-8L consente di risparmiare spazio sul PCB ed è adatto per design ad alta densità

Caratteristiche di commutazione rapida: Ritardo di accensione di soli 14 ns e ritardo di spegnimento di 94 ns, supportando applicazioni di commutazione ad alta frequenza

Eccellenti prestazioni termiche: Resistenza termica giunzione-case fino a 1.1°C/W, supportando una dissipazione di potenza di 83W

Elevata affidabilità: Certificato di grado industriale, con un ampio intervallo di temperatura operativa da -55°C a +150°C

AON6407 Aree di applicazione:

Switching di carico

Circuiti di protezione della batteria

Convertitori DC-DC

Raddrizzatori sincroni

Controllo di azionamento motori

Sistemi di gestione dell'alimentazione

Elettronica automobilistica (unità di gestione della batteria, regolazione dell'alimentazione)

In qualità di fornitore professionale di componenti elettronici, Mingjiada Electronics offre una fornitura a lungo termine e stabile di MOSFET a canale P AOS AON6407 originali e fornisce servizi di riacquisto ad alto valore. Diamo il benvenuto alle richieste relative ad accordi di approvvigionamento o riacquisto!