Blog dell'azienda Fornitura/Riciclo PUOLOP PTQ45P02 Transistor MOSFET di potenza a canale P ad alta efficienza 20V 45A

Fornitura/riciclaggio PUOLOPPTQ45P02Transistor MOSFET ad alta efficienza 20V 45A a canale P

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.si è affermata come leader nel riciclo e nella distribuzione di componenti elettronici grazie al suo ampio portafoglio di prodotti, alla sua prospettiva globale e ai suoi servizi professionali.

L'azienda fornisce e ricicla ilPTQ45P02: un MOSFET di potenza a canale P ad alta efficienza progettato per consentire la gestione dell'energia nei dispositivi portatili.

Il...PTQ45P02è un avanzato transistor MOSFET a canale P progettato per affrontare queste sfide.Livelli logici bassi di 8V, è diventato un componente fondamentale negli interruttori di carico di fascia alta, nei sistemi di gestione delle batterie e in applicazioni simili.

I. Caratteristiche fondamentali diPTQ45P02:

Il PTQ45P02 è un avanzato MOSFET di alimentazione a canale P specificamente progettato per applicazioni di commutazione di potenza esigenti.I MOSFET a canale P sono spesso impiegati come interruttori di alto livello nei circuiti di alimentazione (connessione della fonte di alimentazione al carico), una configurazione che semplifica i circuiti del driver e offre vantaggi distinti nei sistemi controllati da logica a bassa tensione.

Il...PTQ45P02Il suo vantaggio competitivo risiede nei suoi parametri elettrici chiave:

Valore nominale di corrente e tensione elevate: supporta una tensione di 20 V (Vdss) e una corrente di scarico continua (Id) fino a 45 A.Questa specifica gli consente di gestire correnti di scarico con facilità in applicazioni ad alta densità di potenza come alimentatori mobili, aeromobili RC e motori ad alta corrente.

Eficienza di commutazione eccezionale: la sua tensione di soglia di porta (Vgs(th)) è bassa fino a 400mV, consentendo una commutazione affidabile con tensioni di controllo estremamente basse (fino a livelli logici di 1,8 V).Questa funzione consente l'interfaccia diretta con i microprocessori moderni, DSP o ASIC a bassa tensione senza ulteriori circuiti di spostamento di livello, risparmiando spazio e riducendo la complessità del sistema.

Performance dinamica ottimizzata: il dispositivo presenta una capacità di ingresso (Ciss) di 3,5 nF e una capacità di trasferimento inverso (Crss) di 445 pF.Questi bassi valori di capacità richiedono meno carica per la guida del cancello durante il commutatore ad alta velocità, riducendo significativamente le perdite di commutazione e migliorando l'efficienza complessiva del sistema.

II.PTQ45P02Specificità:

Tipo di transistor MOSFET

Canale di controllo tipo P-canale

Pd - Dissipazione di potenza massima 35 W

Vds - tensione massima della fonte di scarico 20 V

Vgs - tensione massima della sorgente di porta 12 V

Id - Corrente di scarico massima 45 A

Tj - Temperatura massima di giunzione 150 °C

Vgs ((th) - tensione massima di soglia di ingresso 1 V

Qg - carica totale della porta 55 nC

tr - Tempo di risalita 42 nS

Coss - capacità di uscita 577 pF

III.PTQ45P02Informazioni tecniche:

Compatibilità eccezionale con la guida a livello logico da 1,8 V

Questo rappresenta il vantaggio più significativo del PTQ45P02. I MOSFET tradizionali richiedono in genere tensioni di cancello più elevate (ad esempio, 4,5 V o 10 V) per una piena conduzione,considerando che il PTQ45P02 ottiene un'efficienza di commutazione di appena 1.8V. Ciò consente un'integrazione senza soluzione di continuità con i microprocessori di bassa potenza, i SoC e i chip logici digitali tradizionali senza ulteriori circuiti di spostamento di livello.riduce i costi, e riduce al minimo il numero di componenti e i potenziali punti di guasto.

Imballaggio ottimizzato e gestione efficiente dell'energia

Il suo pacchetto di montaggio in superficie PDFN3333 offre eccellenti prestazioni termiche, facilitando una rapida dissipazione del calore dal chip al PCB e migliorando l'affidabilità del sistema.In combinazione con le sue caratteristiche di bassa resistenza, questo si traduce in una dissipazione di potenza eccezionalmente bassa durante il funzionamento di commutazione, rendendolo ideale per dispositivi portatili di efficienza critica.

IV.PTQ45P02Scenari di applicazione

Le caratteristiche prestazionali del PTQ45P02 consentono prestazioni eccezionali in più campi all'avanguardia:

High-End Load Switching and Power Management: rappresenta la sua applicazione più classica.PTQ45P02Le sue caratteristiche di canale P permettono di collocarlo tra il terminale positivo dell'alimentazione e il carico.Il controllo diretto dell'alimentazione dei singoli moduli è realizzato tramite segnali GPIO a bassa tensione, che consente una precisa gestione dell'energia.

Protezione della batteria e circuiti di commutazione: nei dispositivi alimentati a batteria, quali power bank e utensili elettrici,questo MOSFET è la scelta ideale per la costruzione di interruttori di controllo della scarica all'interno di sistemi di gestione delle batterie (BMS)Le sue basse perdite di conduzione riducono al minimo la dissipazione di energia, prolungando così il tempo di funzionamento del dispositivo.

Motor Drive e ESC per modelli RC: per motori senza spazzole utilizzati negli aeromobili RC e nei piccoli robot,I regolatori elettronici di velocità (ESC) richiedono interruttori di alimentazione in grado di fornire una risposta rapida e un commutazione efficiente. ilPTQ45P02L'elevata capacità di corrente e le caratteristiche di commutazione rapida facilitano un controllo motore più preciso ed efficiente.

VRM della scheda madre e convertitori DC-DC: all'interno delle schede madre o dei server dei computer, alcuni circuiti di generazione di tensione non di base utilizzano anche MOSFET a canale P come interruttori superiori,con una capacità di accensione superiore a 300 W,. ilPTQ45P02fornisce una conversione efficiente della potenza in tali progetti.