Fornitura ST Low Side Switch IC, Alimentazione VND5N07TR OMNIFET II Serie MOSFET di potenza completamente autoprottetto
VND5N07TR OMNIFET II: Soluzione MOSFET di potenza a bassa tensione con protezione completamente automatica
VND5N07TR Panoramica del prodotto e caratteristiche principali:
Il VND5N07TR è un interruttore di alimentazione intelligente a canale singolo basato sulla tecnologia VIPower M0-3 di STMicroelectronics, confezionato in un package DPAK (TO-252-3) a montaggio superficiale. Il VND5N07TR integra un MOSFET di potenza a canale N, la logica di pilotaggio e moduli di funzionalità di protezione completi, consentendo la sostituzione diretta delle soluzioni MOSFET tradizionali.
La caratteristica innovativa del VND5N07TR risiede nella sua architettura di 'autoprotezione', che consente la protezione da guasti multipli senza la necessità di circuiti di monitoraggio esterni, semplificando notevolmente la progettazione del sistema.
Il dispositivo VND5N07TR opera entro un intervallo di temperatura da -40°C a +150°C ed è conforme allo standard di certificazione di grado automobilistico AEC-Q101, garantendo un funzionamento stabile in ambienti difficili.
Il design del package del VND5N07TR ottimizza le prestazioni termiche, con una capacità di dissipazione di potenza di 60W, consentendogli di gestire carichi di corrente ad alto impatto. Il prodotto VND5N07TR è confezionato in formato nastro e bobina (TR), rendendolo adatto alle linee di produzione SMT automatizzate e migliorando l'efficienza della produzione su larga scala.
VND5N07TR Specifiche tecniche dettagliate
Il VND5N07TR raggiunge un equilibrio preciso nelle prestazioni elettriche, soddisfacendo i requisiti di gestione dell'alta potenza mantenendo al contempo basse caratteristiche di perdita. Di seguito sono riportati i parametri tecnici principali del VND5N07TR:
Caratteristiche di tensione
Tensione di carico: 55V
Tensione di rottura Drain-Source: 70V
Caratteristiche di corrente
Corrente di uscita continua: 3,5A
Corrente di uscita di picco: 5,0A
Soglia di limitazione della corrente: 5,0A
Caratteristiche di conduzione
Resistenza di conduzione: 200mΩ
Carica di gate: 18nC
Caratteristiche di commutazione
Tempo di ritardo tipico di attivazione: 50-150ns
Tempo di ritardo tipico di disattivazione: 150-3900ns
Prestazioni termiche
Dissipazione di potenza: 60W
Temperatura di giunzione operativa: -40~+150°C
La resistenza on-resistance tipica del VND5N07TR è di soli 200 mΩ (massimo), con conseguente dissipazione di potenza on-resistance di soli 5 W in condizioni di carico di 5 A, riducendo significativamente la complessità della gestione termica del sistema. La temporizzazione di commutazione del dispositivo VND5N07TR è stata ottimizzata, con un tempo di salita di 60–400 ns e un tempo di discesa di 40–1100 ns, bilanciando le perdite di commutazione con le prestazioni EMI.
In particolare, il prodotto VND5N07TR utilizza una logica di ingresso non invertente (attivazione ad alto livello), supportando l'azionamento diretto a livelli CMOS/TTL da 3V a 5V senza richiedere circuiti di conversione di livello aggiuntivi. La sua corrente statica è estremamente bassa, rendendolo particolarmente adatto per applicazioni alimentate a batteria
Diagramma a blocchi VND5N07TR:
VND5N07TR è un dispositivo monolitico progettato utilizzando la tecnologia STMicroelectronics®VIPower®M0, destinato alla sostituzione dei MOSFET di potenza standard da applicazioni DC a 50 KHz. VND5N07TR Lo spegnimento termico integrato, la limitazione di corrente lineare e il clamp di sovratensione proteggono il chip in ambienti difficili. Il feedback di guasto VND5N07TR può essere rilevato monitorando la tensione sul pin di ingresso.
【Mingjiada Electronics】fornisce da molto tempo MOSFET di potenza a protezione automatica completa della serie ST (VND5N07TR) OMNIFET II™. Per ulteriori informazioni sul prodotto VND5N07TR o richieste di prezzo, visitare il sito Web ufficiale di Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) per i dettagli.
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