Blog dell'azienda Transistor di potenza ST: IGBT, Bipolari di potenza, MOSFET di potenza, PowerGaN, MOSFET SiC

Transistor di alimentazione ST:IGBT,Power Bipolar,Power MOSFET,PowerGaN,SiC MOSFET

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.è un distributore professionale di componenti elettronici, a lungo termine stock un gran numero di inventario spot, principalmente impegnati in: IC IC, chip 5G, nuova energia IC, chip Internet of Things, chip Bluetooth,chip per l'automotive, IC di intelligenza artificiale, Ethernet IC, chip di memoria, sensori, moduli IGBT e una serie di prodotti, fornitura sufficiente, basso prezzo, consegna rapida,la dedizione alla maggior parte dei clienti finali e dei distributori e commercianti per fornire servizi di fornitura di componenti elettronici di qualità.

Vantaggi dell'offerta:

1Prodotti autentici garantiti dai produttori originali

Tutti i prodotti sono acquistati direttamente dai produttori originali o dai distributori autorizzati, garantendo che ogni chip sia autentico.La società fornisce servizi di tracciabilità di qualità completi e rispetta rigorosamente gli standard di gestione della catena di approvvigionamento per eliminare il rischio di prodotti rinnovati o contraffatti.

2Ampie riserve di scorte

La società mantiene attualmente un inventario di oltre 2 milioni di SKU, che consente di rispondere rapidamente alle esigenze dei clienti ed evitare ritardi di consegna causati da fluttuazioni della catena di fornitura.È stata creata una rete nazionale di magazzini per supportare la consegna ultra rapida di ordini urgenti entro 48 ore.

3- politiche di appalto flessibili

Vendite a singola unità: soddisfare i requisiti di campionamento dei clienti e le esigenze di produzione sperimentale a piccoli lotti

Sconti per gli acquisti in volume: fornire soluzioni di prezzo competitivi per i progetti di produzione su larga scala

Supporto logistico globale: rete logistica internazionale efficiente a sostegno della distribuzione globale

¢ Transistor di potenza ¢

La famiglia STPOWER dispone di tecnologie di potenza avanzate progettate per soddisfare le esigenze di applicazioni ad alta e bassa tensione.Queste soluzioni sono offerte in una gamma versatile di pacchetti discreti e modulari, nonché tecnologie innovative di legame a stampo.

Con le caratteristiche di protezione integrate, i prodotti STPOWER consentono ai progettisti di sviluppare applicazioni ad alta efficienza e personalizzate con una durata di vita prolungata.

STPOWER offre prestazioni, durata e affidabilità per applicazioni industriali, automobilistiche e di consumo.

“Tippi di prodotto”

IGBT

Voltaggi di rottura da 300 a 1700 V. Basso VCE ((SAT) per ridurre le perdite di conduzione. Miglioramento della diffusione dell'energia di spegnimento rispetto all'aumento della temperatura.

Bipolare di potenza

Una vasta gamma che comprende transistor Darlington e BJT con VCES da 15 a 1700 V.

MOSFET di potenza

Ampia gamma di tensioni di rottura da -100 a 1700 V, con una bassa carica del cancello e una bassa resistenza, combinate con un packaging all'avanguardia.

Transistori GaN

La tecnologia GaN eccelle nelle applicazioni ad alta frequenza, offrendo efficienza superiore, elevata densità di potenza e commutazione estremamente veloce.

MOSFET SiC

Da 650 a 2200 V, i MOSFET SiC migliorano l'efficienza energetica, consentono sistemi più compatti e leggeri e sono ideali per applicazioni ad alta tensione e alte prestazioni.