Blog dell'azienda Transistor di potenza ST: IGBT, Bipolari di potenza, MOSFET di potenza, GaN, MOSFET SiC

Transistor di potenza ST: IGBT, Bipolari di potenza, MOSFET di potenza, GaN, MOSFET SiC

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., un distributore indipendente autorizzato di componenti elettronici riconosciuto a livello mondiale, rimane fermo nel suo impegno a fornire soluzioni di prodotto premium ai clienti di tutto il mondo.

Il nostro portafoglio prodotti principale comprende: Chip 5G, IC per nuove energie, IC IoT, IC Bluetooth, IC telematici, IC per uso automobilistico, IC per comunicazioni, IC AI, IC di memoria, IC sensori, IC microcontroller, IC transceiver, IC Ethernet, chip WiFi, moduli di comunicazione wireless, connettori e altri componenti elettronici.

Campi di applicazione: I nostri prodotti sono ampiamente utilizzati in numerosi settori tra cui automotive, apparecchiature di comunicazione, informatica, elettronica di consumo, strumenti medicali, apparecchiature audio, strumenti di visualizzazione video, sistemi di comunicazione e alimentatori per autoveicoli.

Filosofia del servizio: Sostenendo il principio di ‘servire i clienti e fornire valore,’ forniamo ai clienti componenti elettronici diversi e di alta qualità.

【IGBT】

Tensioni di rottura da 300 a 1700 V. Basso VCE(SAT) per ridurre le perdite di conduzione. Migliore diffusione dell'energia di spegnimento rispetto all'aumento della temperatura.

Tipi di prodotto

ST offre una vasta gamma di IGBT di potenza per qualsiasi intervallo di tensione in applicazioni industriali e automobilistiche.

IGBT STPOWER 300-400 V (bloccati)

Utilizzati come driver di bobine per sistemi di accensione per auto ad alte prestazioni, questi IGBT sono disponibili in diverse tensioni di blocco (con valori tipici compresi tra 350 e 410 V) e livelli di corrente (da 10 a 30 A).

IGBT STPOWER 600-750 V

Gli IGBT ST da 600, 650 e 750 V forniscono un intervallo di corrente di collettore massimo fino a 320 A per applicazioni con una frequenza operativa fino a 100 kHz.

IGBT STPOWER 1200-1350 V

IGBT ST con una tensione nominale maggiore o uguale a 1200 V, per una corrente massima compresa tra 3 e 75 A in diversi package discreti per applicazioni con una frequenza operativa fino a 100 kHz.

Die nudi IGBT STPOWER fino a 1700 V

I die nudi IGBT sono disponibili in diversi compromessi, con una tensione massima di 1700 V e una corrente di collettore fino a 200 A, per una vasta gamma di applicazioni come controllo motore, servocomandi, saldatura, solare e inverter di trazione per applicazioni industriali e automobilistiche.

【Bipolari di potenza】

Una vasta gamma che include transistor Darlington e BJT con un VCES da 15 a 1700 V.

Caratteristiche principali dei transistor NPN / PNP bipolari di ST

Tempi di commutazione rapidi e tensione di saturazione molto bassa con conseguente riduzione delle perdite di commutazione e conduzione

Versioni a diodo integrato per ridurre il numero di componenti

Parametro hFE ben controllato per una maggiore affidabilità

Miglior rapporto costo-prestazioni

【MOSFET di potenza】

Ampia gamma di tensioni di rottura da -100 a 1700 V, con bassa carica di gate e bassa resistenza on-state, combinata con un packaging all'avanguardia.

Tipi di prodotto

ST offre una gamma impressionante di MOSFET di potenza per qualsiasi intervallo di tensione in applicazioni industriali e automobilistiche, come alimentatori a commutazione (SMPS), illuminazione, controllo motore, generazione di energia ed elettro mobilità, telaio e sicurezza e comfort.

MOSFET a bassa tensione da 20V-30V

Scopri i nostri MOSFET di potenza a bassa tensione STripFET, con bassa carica di gate e bassa resistenza on-state, combinati con una soluzione di package appropriata.

MOSFET a canale N STPOWER > 30V a 200V

Scopri il nostro portafoglio di MOSFET di potenza a canale N STripFET a media tensione, disponibile in una vasta gamma di package miniaturizzati e ad alta potenza.

MOSFET a canale N STPOWER > 200V a 700V

L'ultima tecnologia super-junction di ST, progettata per topologie sia a commutazione dura che risonanti, adatta per applicazioni ad alta potenza.

> MOSFET HV e VHV da 700V-1700V

Scopri i nostri MOSFET di potenza MDmesh ad alta tensione e altissima tensione, con una maggiore capacità di gestione della potenza, con conseguenti soluzioni ad alta efficienza.

MOSFET a canale P

Scopri i nostri MOSFET a canale P STripFET, disponibili in package con fattore di forma molto piccolo e recentemente ampliati con nuovi dispositivi trench-gate.

【Transistor GaN】

La tecnologia GaN eccelle nelle applicazioni ad alta frequenza, offrendo efficienza superiore, alta densità di potenza e commutazione estremamente rapida.

【MOSFET SiC】

Da 650 a 2200 V, i MOSFET SiC migliorano l'efficienza energetica, consentono sistemi più compatti e leggeri e sono ideali per applicazioni ad alta tensione e alte prestazioni.

Le caratteristiche principali dei nostri MOSFET SiC includono:

Dispositivi qualificati per uso automobilistico (AG)

Capacità di gestione della temperatura molto elevata (max. TJ = 200 °C)

Funzionamento a frequenza di commutazione molto elevata e perdite di commutazione molto basse

Bassa resistenza on-state

Gate drive compatibile con gli IC esistenti

Diodo intrinseco del corpo molto veloce e robusto