Blog dell'azienda Transistor di alimentazione, Mingjiada Supply Infineon Power Transistor MOSFET, Transistor IGBT, Transistor al carburo di silicio

Transistor di alimentazione, Mingjiada Supply Infineon Power Transistor MOSFET, Transistor IGBT, Transistor al carburo di silicio

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. fornitore a lungo termine di transistor [Infineon], compresi, a titolo esemplificativo, transistor MOSFET di potenza, transistor IGBT, dispositivi a carburo di silicio (SiC) e altri prodotti.Mingjiada Electronics fornisce transistor Infineon che coprono sia la tecnologia a base di silicio (Si) che quella a base di carburo di silicio (SiC), soddisfacendo le esigenze di tutti gli scenari, dall'elettronica di consumo alle applicazioni per l'automotive.

Transistor Infineon Power MOSFET
1. MOSFET ad alta tensione di grado industriale
IRFP4110PBF: pacchetto TO-247, specifica 100V/180A, resistenza di accensione inferiore a 3,7mΩ, adatto a sistemi UPS e alimentatori di commutazione ad alta corrente.
IRFB3306PBF: pacchetto TO-220, 60V/160A, carica del cancello di soli 85nC, ottimizzata per circuiti di rettifica sincronizzati nelle sorgenti di alimentazione dei server.
2Dispositivi di tecnologia OptiMOSTM di nuova generazione
BSZ440N10NS3G: 100V/70A, pacchetto TO-263, ultra-bassa resistenza di accensione (4.4mΩ), ottimizzato per convertitori CC-CC e utensili elettrici.
BSC052N08NS5: pacchetto SuperSO8, 80V/100A, densità di potenza aumentata del 30%, per i moduli OBC dei veicoli a nuova energia.

Infineon IGBT transistor
1. IGBT di tipo automobilistico: conformi agli standard AEC-Q101, supportano intervalli di tensione da 650V a 1200V per sistemi di propulsione dei veicoli elettrici e stazioni di ricarica.
2Moduli industriali: diodi integrati a rotazione libera, adatti agli inverter fotovoltaici e ai convertitori di frequenza industriali, con elevata capacità di sovraccarico e stabilità termica.

Dispositivi a carburo di silicio (SiC)
1. CoolSiCTM MOSFET: la serie 1200V supporta il funzionamento ad alta temperatura a 200°C, riducendo le perdite di commutazione del 60%, per inverter solari e alimentatori di data center.
2. Diodi di barriera SiC Schottky: 650V serie Rapid raggiunge caratteristiche di recupero morbido, riducendo significativamente le radiazioni EMI, adatte per applicazioni ad alta frequenza 40-100kHz.

Assicurazione della qualità: Mingjiada Electronics mantiene canali di approvvigionamento robusti e affidabili con una rigorosa gestione della catena di approvvigionamento, garantendo la stabilità e l'affidabilità del prodotto.
Disponibilità di scorte sufficienti: Mingjiada Electronics detiene un'inventario consistente di transistor [Infineon], in grado di soddisfare sia le richieste di campioni di piccoli lotti che le esigenze di approvvigionamento di grandi volumi.
Consegna rapida: sfruttando un sistema logistico efficiente, Mingjiada Electronics garantisce la consegna rapida dei prodotti ai clienti.

Inoltre, Mingjiada Electronics mantiene una fornitura a lungo termine di altre serie di chip elettronici, tra cui: chip 5G, IC di nuova energia, IC IoT, IC Bluetooth, IC telematici, IC per l'automotive,circuiti integrati di comunicazione, IC di intelligenza artificiale, IC di memoria, IC di sensore, IC di microcontrollore, IC di ricevitore, IC di Ethernet, chip WiFi e connettori.

Per ulteriori informazioni sui prodotti a transistor Infineon o per chiedere informazioni sui prezzi specifici dei modelli, si prega di visitare il sito ufficiale di Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) per esplorare le informazioni sull'offerta.