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Blog dell'azienda Vishay SIR680 N-channel 80V MOSFET serie in grande magazzino Mingjiada Electronics

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La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Vishay SIR680 N-channel 80V MOSFET serie in grande magazzino Mingjiada Electronics
ultime notizie sull'azienda Vishay SIR680 N-channel 80V MOSFET serie in grande magazzino   Mingjiada Electronics

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. mantiene uno stock a lungo termine e di grandi volumi di MOSFET N-channel Vishay SIR680 serie 80V (D-S), incluso il modello SIR680ADP. Con la garanzia di prodotti originali, un ampio stock e prezzi altamente competitivi, forniamo servizi di fornitura di dispositivi di potenza efficienti e affidabili ai clienti di tutto il mondo.

 

I. SIR680 Panoramica del prodotto

I MOSFET della serie Vishay SIR680 è una nuova generazione di MOSFET di potenza a canale N che utilizza la tecnologia TrenchFET® Gen IV, caratterizzata da una tensione drain-source (Vds) di 80V e una capacità di corrente drain continua fino a 100A–130A. Questi dispositivi sono alloggiati in package per montaggio superficiale PowerPAK® SO-8, offrendo una densità di potenza e prestazioni termiche leader del settore all'interno di un ingombro compatto di 6,15 mm × 5,15 mm.

SIR680ADP.png

Progettata specificamente per applicazioni ad alta densità di potenza, la serie SIR680 offre un'eccellente combinazione di resistenza allo stato (RDS(on)) ultra-bassa e carica di gate (Qg) estremamente bassa, consentendo miglioramenti significativi nell'efficienza di conversione di potenza e riduzioni nel consumo di potenza del sistema.

 

II. Caratteristiche principali e vantaggi tecnici

1. Resistenza allo stato (RDS(on)) ultra-bassa

I MOSFET della serie SIR680 presentano una resistenza allo stato estremamente bassa, riducendo efficacemente le perdite di conduzione:

SIR680ADP: 2,35 mΩ (tipico) @ 10 V 125 A

2. Figura di merito (FOM) leader del settore

Il SIR680ADP raggiunge una Figura di Merito (FOM) del prodotto di resistenza allo stato e carica di gate (RDS × Qg) di 129 mΩ·nC, che è il migliore della sua categoria tra i prodotti MOSFET da 80V e superiore del 13% rispetto al concorrente più vicino. Questa metrica chiave determina direttamente l'efficienza di commutazione nelle applicazioni di conversione di potenza: minore è il valore FOM, minori sono le perdite di commutazione.

3. Tecnologia TrenchFET® Gen IV

Come prodotto di punta della tecnologia TrenchFET di quarta generazione, la serie SIR680 è stata completamente ottimizzata nelle seguenti aree:

Figura di merito RDS-Qg estremamente bassa

Specificamente ottimizzata per la figura di merito RDS-Qoss più bassa

Test al 100% per Rg e UIS (unclamped inductor switching) per garantire l'affidabilità del dispositivo

4. Prestazioni termiche eccezionali

Dissipazione di potenza massima (Pd): 104 W

Intervallo di temperatura operativa: –55 °C a +150 °C

Il package PowerPAK® SO-8 fornisce un eccellente percorso termico

5. Bassa carica di gate, supporta commutazione ad alta frequenza

Carica di gate tipica Qg: 40,5 nC a 69,5 nC (a seconda del modello)

Bassa capacità di ingresso (Ciss), supporta frequenze di commutazione più elevate

 

III. Aree di applicazione tipiche

I MOSFET della serie Vishay SIR680 sono ampiamente utilizzati in varie applicazioni di conversione di potenza a media e bassa tensione e ad alta densità di potenza:

Conversione di potenza

Rettifica sincrona

Commutazione sul lato primario

Convertitori DC/DC (topologie buck, boost e buck-boost)

Conversione di potenza AC/DC

Convertitori a commutazione risonante

Server e apparecchiature di telecomunicazione

Unità di alimentazione per server (PSU)

Sistemi di alimentazione bus a 48V per data center

Alimentatori per infrastrutture di telecomunicazione

Circuiti funzionali OR-ing

Controllo industriale e motori

Azionamenti per motori industriali e sistemi di controllo servo

Convertitori di frequenza

Azionamenti per motori di utensili elettrici

Nuova energia e accumulo di energia

Micro-inverter solari

Commutazione della batteria nei sistemi di gestione della batteria (BMS)

Interruttori di carico

 

Conclusione

La serie Vishay SIR680 di MOSFET a canale N da 80V, con le eccezionali prestazioni della tecnologia TrenchFET Gen IV—resistenza allo stato ultra-bassa, valori FOM leader del settore e capacità di corrente fino a 130A—sono diventati la scelta ideale di dispositivi di commutazione per applicazioni ad alta densità di potenza come alimentatori per server, conversione DC/DC e azionamenti per motori.

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. mantiene un ampio stock di MOSFET della serie Vishay SIR680 (SIR680ADP) e accoglie le richieste di informazioni da parte di clienti nuovi ed esistenti per preventivi e acquisti di campioni.

 

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Contatto: Sig. Chen

Tel: +86 13410018555

Email: sales@hkmjd.com

Indirizzo: Stanze 1239–1241, Edificio Guoli, Zhenzhong Road, Distretto di Futian, Shenzhen

Tag: SIR680ADP, SIR680AD, SIR680A, SIR680

Tempo del pub : 2026-08-22 10:46:02 >> lista di notizie
Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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