Blog dell'azienda Wolfspeed Discrete Silicon Carbide MOSFET C3M0075120K 1200 V / 75 mΩ, modalità di potenziamento N-canale

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. — Fornitura di stock di fabbrica originale di MOSFET in carburo di silicio (SiC) discreti WolfspeedC3M0075120K 1200 V / 75 mΩ, modalità di potenziamento a canale N

C3M0075120K Panoramica del prodotto
Il C3M0075120K è un MOSFET di potenza in carburo di silicio (SiC) a modalità di potenziamento a canale N da 1200 V, 75 mΩ sviluppato da Wolfspeed. Impiega la tecnologia MOSFET SiC di terza generazione con un design di confezionamento ottimizzato con un pin di sorgente di pilotaggio indipendente. Questo design consente al C3M0075120K di funzionare eccezionalmente bene in applicazioni ad alta tensione, offrendo al contempo bassa resistenza di conduzione, prestazioni di commutazione ad alta velocità e bassa capacità.

C3M0075120K Caratteristiche
Tensione di blocco elevata e bassa resistenza di conduzione: Il C3M0075120K ha una tensione drain-source di 1200 V e una resistenza di conduzione di soli 75 mΩ, consentendogli di mantenere un'elevata efficienza in applicazioni ad alta tensione.
Prestazioni di commutazione ad alta velocità: Il C3M0075120K ha capacità di commutazione ad alta velocità e le sue caratteristiche di bassa capacità gli consentono di funzionare eccezionalmente bene in applicazioni ad alta frequenza.
Diodo del corpo veloce: Il suo diodo del corpo veloce ha una bassa carica di recupero inverso (Qrr), riducendo le perdite di commutazione.
Elevata affidabilità: Il C3M0075120K è conforme agli standard RoHS, è privo di alogeni ed è progettato per un'elevata affidabilità e durata.
Vantaggi del package: Il C3M0075120K utilizza un package TO-247-4 con una distanza di creepage di 8 mm tra il drain e la sorgente. Questo design del package migliora la sicurezza elettrica e le prestazioni termiche del prodotto.

C3M0075120K Specifiche
Tensione drain-source (VDS): 1200 V (Tc=25°C)
Tensione gate-source massima (VGS): da -8 V a +19 V (transitoria)
Tensione gate-source operativa (VGS): -4 V/15 V (statica)
Corrente di drain continua DC (ID): 31 A (VGS=15 V, Tc=25°C, Tj≤150°C)
Corrente di drain a impulsi (IDM): 123 A (VGS=15 V, Tc=25°C)
Dissipazione di potenza (PD): 114 W (Tc=25°C, Tj=150°C)
Temperatura di giunzione operativa e temperatura di stoccaggio (Tj/Tstg): da -55°C a +150°C
Temperatura di saldatura (Tj): 260°C (conforme a JEDEC J-STD-020)
Coppia di installazione (M5): da 1,8 a 2,5 N-m (utilizzando viti M3 o 6-32)
Resistenza di conduzione drain-source (RDS(on)): da 75 mΩ a 90 mΩ (VGS = 15 V, ID = 20 A, Tj = 25°C/150°C)
Tensione di soglia del gate (VGS(th)): da 1,8 V a 3,6 V (VS = VDS = 100 V, T = 25°C/150°C)

Applicazioni
C3M0075120K è adatto a varie applicazioni ad alta tensione e alta potenza, inclusi, ma non limitati ai seguenti campi:
Energia rinnovabile: come inverter solari e sistemi di accumulo di energia, che possono migliorare l'efficienza di conversione del sistema e la densità di potenza.
Caricabatterie per veicoli elettrici: utilizzati nei caricabatterie di bordo e nei sistemi di ricarica rapida, le sue prestazioni di commutazione rapida aiutano a ottenere una ricarica efficiente.
Convertitori DC/DC ad alta tensione: nelle applicazioni di conversione DC ad alta tensione, il C3M0075120K può ridurre le perdite di commutazione e migliorare l'efficienza di conversione.
Alimentatori switching: Adatto a vari alimentatori switching, migliorando l'efficienza dell'alimentazione e la densità di potenza.
Riscaldamento e raffreddamento industriale: Nei sistemi di riscaldamento e raffreddamento industriali, il C3M0075120K migliora l'efficienza e l'affidabilità del sistema.
Controllo e azionamento motori: Utilizzato nei sistemi di azionamento motori, migliora le prestazioni dinamiche e l'efficienza del sistema.
Saldatura e riscaldamento a induzione: Nelle applicazioni di saldatura e riscaldamento a induzione, il C3M0075120K fornisce un'elevata potenza in uscita.
Alimentazione ausiliaria: Nelle applicazioni di alimentazione ausiliaria come i sistemi di raffreddamento dei data center, il C3M0075120K riduce significativamente le perdite del sistema.

Con le sue prestazioni eccezionali e l'ampia applicabilità, il C3M0075120K è diventato una scelta ideale per numerose applicazioni ad alta tensione e alta potenza.

Come acquistare?
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Sito web: www.integrated-ic.com
Indirizzo: Stanza 1239-1241, Edificio Xinyazhou Guoli, Zhenzhong Road, Distretto di Futian, Città di Shenzhen

Mingjiada Electronics, in qualità di distributore professionale di componenti elettronici, garantisce l'autenticità del C3M0075120K, supporta campioni in piccoli lotti e ordini di grandi volumi e accoglie le richieste!