Mingjiada Electronics offre il C3M0120065L a magazzino. Questo MOSFET in carburo di silicio (SiC) da 650 V di Wolfspeed utilizza un avanzato package TOLL, presenta la certificazione di grado industriale e opera in un ampio intervallo di temperature da -40°C a +175°C.
Come esempio principale della tecnologia MOSFET SiC di terza generazione di Wolfspeed, il C3M0120065L raggiunge un'ottimizzazione significativa nelle perdite di conduzione, nelle prestazioni di commutazione e nella densità di potenza.
C3M0120065L Caratteristiche principali
Il C3M0120065L raggiunge una resistenza on ultra-bassa all'interno della piattaforma di tensione a 650 V, con un valore tipico di soli 12 mΩ (a V_GS=18V, I_D=20A), supportando correnti di drain continue fino a 118A (a 25°C, T_C=100°C).
Bassa resistenza on: 157 mΩ (massima) @ 6,76A, 15V
Alta tensione di rottura: 650V
Prestazioni di commutazione rapide: carica di gate (Qg) solo 26nC @ 15V
Capacità ad alta temperatura: intervallo di temperatura di giunzione da -40°C a +175°C
Tensione di pilotaggio di grado industriale: +15V/-5V (raccomandato), massimo ±19V/-8V
Il C3M0120065L nel package TOLL (TO-263-7) non solo offre una bassa resistenza termica e una bassa induttanza dei terminali, ma incorpora anche un design di connessione Kelvin source, riducendo significativamente le perdite di commutazione e sopprimendo il ringing del gate.
C3M0120065L Vantaggi tecnici
Sviluppato sulla piattaforma tecnologica MOSFET SiC di terza generazione di Wolfspeed, il C3M0120065L offre un'eccezionale efficienza complessiva del sistema e capacità di funzionamento ad alta frequenza.
Il suo robusto diodo body presenta una carica di recupero inversa estremamente bassa (tipicamente 66nC), riducendo sostanzialmente le perdite di commutazione e migliorando l'affidabilità del sistema.
Rispetto ai MOSFET tradizionali a base di silicio, il C3M0120065L mostra caratteristiche di resistenza on più stabili e una bassa capacità parassita sull'intero intervallo di temperature, facilitando progetti ad alta densità di potenza.
C3M0120065L Attributi del prodotto
Produttore: Wolfspeed
Tipo di prodotto: MOSFET in carburo di silicio
Stile di montaggio: SMD/SMT
Package / Case: TOLL
Polarità del transistor: N-Channel
Numero di canali: 1 canale
Vds - Tensione di rottura drain-source: 650 V
Id - Corrente di drain continua: 21 A
Rds On - Resistenza on drain: 157 mOhms
Vgs - Tensione gate-source: -8 V, +19 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 3,6 V
Qg - Carica di gate: 26 nC
Temperatura minima di esercizio: -40°C
Temperatura massima di esercizio: +175°C
Pd - Dissipazione di potenza: 86 W
Modalità canale: Enhancement
Aree di applicazione
Il C3M0120065L è ideale per le seguenti applicazioni:
Alimentatori per server e telecomunicazioni
Sistemi di ricarica per veicoli elettrici (caricabatterie di bordo (OBC), convertitori DC-DC ad alta tensione)
Sistemi di accumulo di energia (UPS, sistemi di gestione della batteria)
Inverter solari
Alimentatori industriali
Informazioni sull'approvvigionamento
Mingjiada Electronics garantisce che il C3M0120065L è nuovo di zecca e originale, con un ampio stock disponibile per la spedizione in giornata.
Il C3M0120065L è confezionato in formati tape-and-reel (TR) e cut-to-length (CT), con quantità minime d'ordine flessibili e campioni disponibili.
Contattaci
Per l'acquisto del C3M0120065L o per la documentazione dettagliata del prodotto, si prega di contattare la Divisione Dispositivi di Potenza di Mingjiada Electronics:
Contatto: Sig. Chen
Tel: +86 13410018555
Email: sales@hkmjd.com
Sito web: www.integrated-ic.com
Indirizzo aziendale: Rooms 1239-1241, New Asia Guoli Building, Zhenzhong Road, Futian District, Shenzhen
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