LMG3425R030RQZR Gan Fet Gate Driver VQFN54 ha integrato il mezzo ponte Gan Driver

FET dei driver LMG3425R030RQZR GaN del portone con il driver integrato ed il modo ideale VQFN54 del diodo

Descrizione

Il FET di LMG342xR030 GaN con il driver integrato e la protezione permette ai progettisti di raggiungere i nuovi livelli di densità di potenza e di efficienza nei sistemi di elettronica di potenza. Il LMG342xR030 integra un driver del silicio che permette alla commutazione si accelera a 150 V/ns. Risultati integrati di polarizzazione del portone della precisione del TI nell'più alta commutazione SOA confrontato ai driver discreti della porta al silicio. Questa integrazione, combinata con il pacchetto dell'basso induttanza del TI, consegna la commutazione pulita e lo squillo minimo nelle topologie dell'alimentazione elettrica di duro commutazione. La forza regolabile dell'azionamento del portone permette il controllo del tasso di pantano da 20 V/ns a 150 V/ns, che possono essere usati attivamente per controllare la EMI ed ottimizzare la prestazione di commutazione. Il LMG3425R030 comprende il modo ideale del diodo, che riduce le perdite del terzo quadrante permettendo al controllo tempo morti adattabile.

Specifiche

Applicazioni

• Alimentazioni elettriche industriali ad alta densità
• Invertitori solari ed azionamenti industriali del motore
• Alimentazioni elettriche ininterrotte
• Gruppo di alimentazione mercantile del server e della rete
• Raddrizzatori mercantili delle Telecomunicazioni

Caratteristiche

protezione di circuito con < 100-ns="" response="">

–

Resiste alla duro commutazione di attimo dell'impulso 720-V

–

Autoprotezione dalla temperatura eccessiva interna

e monitoraggio di UVLO

•

Gestione avanzata di potere

–

La temperatura PWM di Digital ha prodotto

–

Il modo ideale del diodo riduce le perdite del terzo quadrante

in

LMG3425R030

• Qualificato per JEDEC JEP180 per le topologie di duro commutazione
• FET di GaN-su-si 600-V con il driver integrato del portone
• Tensione di polarizzazione integrata del portone di alta precisione
• 200-V/ns CMTI
• frequenza di commutazione 2.2-MHz
• 30-V/ns a 150-V/ns ha ucciso il tasso per l'ottimizzazione di commutazione la prestazione e della diminuzione di EMI
• Funziona a partire da 7.5-V a rifornimento 18-V
• Protezione robusta
• sovracorrente del Ciclo-da-ciclo e protezione chiusa dello shortcircuit con < 100-ns="" response="">
• Resiste alla duro commutazione di attimo dell'impulso 720-V
• Autoprotezione dalla temperatura eccessiva interna e dal monitoraggio di UVLO
• Gestione avanzata di potere
• La temperatura PWM di Digital ha prodotto
• Il modo ideale del diodo riduce le perdite del terzo quadrante in LMG3425R030

 

Misura per determinare i ritardi di propagazione ed i tassi di pantano

 

 

 

Qualificato per JEDEC JEP180 per la duro commutazione

topologie

•

600

- FET di GaN-su-si di V con il driver integrato del portone

–

Tensione di polarizzazione integrata del portone di alta precisione

–

200-V/ns CMTI

–

2,2

- Frequenza di commutazione di megahertz

–

30-V/ns a 150-V/ns ha ucciso il tasso per l'ottimizzazione

della prestazione di commutazione e della diminuzione di EMI

–

Funziona a partire da 7.5-V a rifornimento 18-V

•

Protezione robusta

–

sovracorrente del Ciclo-da-ciclo e breve chiuso

protezione di circuito con < 100-ns="" response="">

–

Resiste alla duro commutazione di attimo dell'impulso 720-V

–

Autoprotezione dalla temperatura eccessiva interna

e monitoraggio di UVLO

•

Gestione avanzata di potere

–

La temperatura PWM di Digital ha prodotto

–

Il modo ideale del diodo riduce le perdite del terzo quadrante

in

LMG3425R030

Qualificato per JEDEC JEP180 per la duro commutazione

topologie

•

600

- FET di GaN-su-si di V con il driver integrato del portone

–

Tensione di polarizzazione integrata del portone di alta precisione

–

200-V/ns CMTI

–

2,2

- Frequenza di commutazione di megahertz

–

30-V/ns a 150-V/ns ha ucciso il tasso per l'ottimizzazione

della prestazione di commutazione e della diminuzione di EMI

–

Funziona a partire da 7.5-V a rifornimento 18-V

•

Protezione robusta

–

sovracorrente del Ciclo-da-ciclo e breve chiuso

protezione di circuito con < 100-ns="" response="">

–

Resiste alla duro commutazione di attimo dell'impulso 720-V

–

Autoprotezione dalla temperatura eccessiva interna

e monitoraggio di UVLO

•

Gestione avanzata di potere

–

La temperatura PWM di Digital ha prodotto

–

Il modo ideale del diodo riduce le perdite del terzo quadrante

in

LMG3425R030

 

FAQ
Q. Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Prodotto Tag:

VQFN54 ha integrato il mezzo ponte Gan Driver,

FET di LMG3422R030RQZR GaN,

Gan Fet Gate Driver VQFN54

Dettagli di contatto

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Applicazioni: Uso generale

RDS sopra: 140mOhm LS 140mOhm HS

Il driver LMG3411R070RWHR Gan Power Ic Power Distribution del FET commuta il Manica 32VQFN di P

Rapporto - Input:Output: 1:1

Interfaccia: Logica, PWM

Voltaggio - alimentazione (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 18V

Corrente - uscita (massima): 12A

Driver P Channel GaN Driver Integrated dell'interruttore di accensione di LMG3410R070RWHR GaN IC

Configurazione di uscita: Alto lato

Tipo di uscita: P-Manica

Tensione - carico: 480V (massimo)

Voltaggio - alimentazione (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 18V

Il FET 600V di LMG3422R030RQZR GaN integrato ha isolato GaN Gate Drivers

corrente di uscita: 1.2 A

Tensione di alimentazione - Min: 7.5 V

Tensione di alimentazione - Max: 18 V

Tempo di aumento: 4 ns

Manica di IC N del commutatore di distribuzione di energia di LMG3411R150RWHR Gan Driver IC 6A VQFN32

Tensione - Carico: 480V (massimo)

Tensione - rifornimento (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 18V

Corrente - uscita (massima): 6A

RDS su (tipo): 150mOhm