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Moduli IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

Name: Moduli IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: FS03MR12A6MA1BBPSA1
Availability: InStock

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Certificazione

La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni

Rassegne del cliente

È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

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Moduli IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

Grande immagine : Moduli IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

Dettagli:

Luogo di origine:	CN
Marca:	Original Factory
Certificazione:	Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello:	FS03MR12A6MA1BBPSA1
Documento:	FS03MR12A6MA1BBPSA1.pdf

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	10
Prezzo:	Contact for Sample
Imballaggi particolari:	Modulo
Tempi di consegna:	5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento:	T/T, L/C, Western Union

Contatto

Moduli IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

Descrizione

Numero della parte:	FS03MR12A6MA1BBPSA1	Caratteristica del FET:	Carburo di silicio (SiC)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):	1200 V (1,2 kV)	Potenza - Max:	20mW
Temperatura di funzionamento:	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo di montaggio:	Montaggio del telaio
Evidenziare:	Il motore guida sic il Mosfet IGBT , Sic Manica del Mosfet IGBT 6N , Manica dei moduli 6N di IGBT 400A 1200V

Moduli IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Canale 3 Ponte di fase

Descrizione dettagliata di FS03MR12A6MA1BBPSA1

FS03MR12A6MA1BBPSA1 è un modulo molto compatto a sei pacchetti (1200V/400A) ottimizzato per veicoli ibridi ed elettrici. Il modulo di alimentazione implementa il nuovo CoolSiCTM Automotive MOSFET 1200V,ottimizzato per applicazioni di trasmissione elettrica.

Attributi del prodotto di FS03MR12A6MA1BBPSA1

Numero della parte:	FS03MR12A6MA1BBPSA1	Tipo di FET:	6 canale N (ponte a tre fasi)
Tipo di montaggio:	Montaggio del telaio	Potenza - Max:	20 mW
Temperatura di funzionamento ((min):	-40°C (TJ)	Temperatura di funzionamento ((Max):	150°C (TJ)

Caratteristiche del FS03MR12A6MA1BBPSA1

Caratteristiche elettriche
VDSS = 1200 V
ID nom = 400 A
Nuovo materiale per semiconduttori - Carburo di silicio
Basso RDSon
Basse perdite di cambio
Basso Qg e Crss
Progettazione a bassa induttività < 10nH
Tvj op = 150 °C
Caratteristiche meccaniche
4.2 kV DC 1 sec Isolamento
Distanze di sollevamento e di liberazione elevate
Progettazione compatta
Alta densità di potenza
Piastra di base PinFin raffreddata direttamente
Ceramica Si3N4 ad alte prestazioni
Elementi di guida per PCB e impianti di raffreddamento
Sensore di temperatura NTC integrato
Tecnologia di contatto PressFIT
RoHS conforme
L'interfaccia del modulo UL 94 V0
Applicazioni potenziali

Applicazioni automobilistiche di FS03MR12A6MA1BBPSA1

Veicoli elettrici ibridi (H) EV
Motori motori
Veicoli agricoli commerciali

Descrizione di FS03MR12A6MA1BBPSA1

Moduli IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge 0

Domande frequenti
D. I vostri prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati ha?
R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
D: Puoi supportare ordini o campioni in piccole quantità?Il campione è gratuito?
R: Sì, sosteniamo l'ordine di campione e piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.
D: Come spedisco il mio ordine?
R: Usiamo l'espresso per spedire, come DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito.I prodotti saranno in buona confezione e garantire la sicurezza e siamo responsabili per i danni prodotti al vostro ordine.
D: Che mi dici del tempo di consegna?
R: Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza magazzino, confermeremo il tempo di consegna in base alla quantità dell'ordine.

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Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Vuoti a tensione di fonte (Vdss): 1200V (1.2kV)

Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C: 400A

RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: 5.55V @ 240mA

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Numero della parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo IGBT: Fossa

Status del prodotto: Attivo

Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max): 950 V

Fermata di campo della fossa del modulo 950V 310A di F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): 950 V

Corrente - collettore (CI) (massimo): 310 A

Massimo elettrico: 20 Mw

Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI: 2.25V @ 15V, 400A

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Caratteristica del FET: Carburo di silicio (SiC)

Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: 200A

Tipo di montaggio: Montaggio del telaio

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Numero della parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max): 750 V

Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200 A

Potenza - Max: 20 mW

Moduli IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

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