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IMBG120R140M1H Circuito integrato Chip 1200V SiC Transistor MOSFET Pacchetto TO-263-7

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
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—— Nishikawa dal Giappone

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IMBG120R140M1H Circuito integrato Chip 1200V SiC Transistor MOSFET Pacchetto TO-263-7

IMBG120R140M1H Circuito integrato Chip 1200V SiC Transistor MOSFET Pacchetto TO-263-7
IMBG120R140M1H Circuito integrato Chip 1200V SiC Transistor MOSFET Pacchetto TO-263-7 IMBG120R140M1H Circuito integrato Chip 1200V SiC Transistor MOSFET Pacchetto TO-263-7

Grande immagine :  IMBG120R140M1H Circuito integrato Chip 1200V SiC Transistor MOSFET Pacchetto TO-263-7

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IMBG120R140M1H
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: PG-TO263-7-12
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

IMBG120R140M1H Circuito integrato Chip 1200V SiC Transistor MOSFET Pacchetto TO-263-7

Descrizione
Numero parte: IMBG120R140M1H Tipo FET: Canale N
Tecnologia: Carburo di silicio Pacchetto: PG-TO263-7-12
Tipo di montaggio: Montaggio superficiale Funzionalità FET: Standard
Evidenziare:

Chip di circuito integrato IMBG120R140M1H

,

chip di circuito integrato MOSFET SiC

,

transistor MOSFET SiC 1200V

Chip a circuito integrato IMBG120R140M1H 1200 V Transistor MOSFET Trench SiC in pacchetto TO-263-7


Specifica diIMBG120R140M1H

Stato del prodotto

Attivo

Tipo FET

Canale N

Tecnologia

SiCFET (carburo di silicio)

Tensione drain-source (Vdss)

1200 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

18A (TC)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

189mOhm @ 6A, 18V

Vgs(th) (Max) @ Id

5,7 V a 2,5 mA

Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs

13,4 nC @ 18 V

Vgs (massimo)

+18V, -15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

491 pF a 800 V

Funzionalità FET

Standard

Dissipazione di potenza (massima)

107W (TC)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

 

Caratteristiche di IMBG120R140M1H
Perdite di commutazione molto basse
Tempo di tenuta al corto circuito 3 µs
dV/dt completamente controllabili
Tensione di soglia del gate di riferimento, VGS(th) = 4,5 V
Robusto contro l'accensione parassita, è possibile applicare una tensione di gate di spegnimento di 0 V
Body diode robusto per commutazione difficile
Tecnologia di interconnessione XT per le migliori prestazioni termiche della categoria
Dispersione del pacco e distanza di sicurezza > 6,1 mm
Pin di rilevamento per prestazioni di commutazione ottimizzate

 

Vantaggi di IMBG120R140M1H
Miglioramento dell'efficienza
Abilitazione di una frequenza più alta
Maggiore densità di potenza
Riduzione dello sforzo di raffreddamento
Riduzione della complessità e dei costi del sistema

 

Potenziali applicazioni di IMBG120R140M1H
Unità
Infrastruttura – Caricabatterie
Generazione di energia - Solar string inverter e ottimizzatore solare
Alimentatori industriali - UPS industriali

 

FAQ
D. I tuoi prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, la nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati hai?
R: Siamo un'azienda certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione di piccola quantità? Il campione è gratuito?
A: Sì, supportiamo l'ordine del campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso in base al tuo ordine o progetto.
D: Come spedire il mio ordine?È sicuro?
A: Usiamo espresso per spedire, come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche usare il tuo spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in un buon imballaggio e garantiranno la sicurezza e siamo responsabili per danni al prodotto al tuo ordine.
D: E il tempo di consegna?
A: Possiamo spedire parti di magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza stock, confermeremo i tempi di consegna per te in base alla quantità dell'ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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