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AIMBG120R010M1 MOSFET Transistor 1200V SiC Mosfet per automotive

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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AIMBG120R010M1 MOSFET Transistor 1200V SiC Mosfet per automotive

AIMBG120R010M1 MOSFET Transistor 1200V SiC Mosfet per automotive
AIMBG120R010M1 MOSFET Transistors 1200V SiC Mosfet For Automotive
AIMBG120R010M1 MOSFET Transistor 1200V SiC Mosfet per automotive AIMBG120R010M1 MOSFET Transistor 1200V SiC Mosfet per automotive

Grande immagine :  AIMBG120R010M1 MOSFET Transistor 1200V SiC Mosfet per automotive

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: AIMBG120R010M1
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO263-7
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

AIMBG120R010M1 MOSFET Transistor 1200V SiC Mosfet per automotive

Descrizione
Numero parte: AIMBG120R010M1 Stato del prodotto: Attivo
Tipologia di prodotto: Transistor RDS (acceso) (@ Tj = 25°C): 9 MΩ
Ptot (@ TA=25°C) max: 714 w temperatura di esercizio: -55 °C - 175 °C
Evidenziare:

AIMBG120R010M1 Transistor MOSFET

,

Transistor MOSFET automobilistico

,

Mosfet SiC 1200V

AIMBG120R010M1 Transistor MOSFET singolo trench 187A N automobilistico

 

Descrizione di AIMBG120R010M1

L'AIMBG120R010M1 è una famiglia di Mosfet SiC da 1200 V per il settore automobilistico, sviluppata per le attuali e future applicazioni di caricabatterie di bordo e CC-CC in veicoli ibridi ed elettrici. Basata sulla tecnologia di trincea SiC all'avanguardia, viene utilizzata per soddisfare le elevate esigenze di affidabilità, qualità e prestazioni dell'industria automobilistica. L'alloggiamento SMD compatto D²PAK (PG-TO263-7) consente un elevato grado di automazione presso l'impianto di produzione del cliente e riduce ulteriormente i costi a livello di sistema.

 

Attributi del prodotto di AIMBG120R010M1

Numero parte:

AIMBG120R010M1

Stato del prodotto:

Attivo

Tipologia di prodotto:

Transistor

RDS (on) (@ Tj = 25°C):

9 MΩ

Ptot (@ TA=25°C) Max:

714 w

Temperatura di esercizio:

-55 °C - 175 °C

 

Caratteristiche di AIMBG120R010M1
Perdite di commutazione molto basse
Senza soglia sulla caratteristica di stato
Tensione di gate di spegnimento 0V
Tensione di soglia del gate di riferimento, VGS(th)=4,5V
Dv/dt completamente controllabili
Body diode robusto a commutazione, pronto per il raddrizzamento sincrono
Perdite per commutazione allo spegnimento indipendenti dalla temperatura
Pin di rilevamento per prestazioni di commutazione ottimizzate
Adatto per i requisiti di dispersione HV

 

Potenziali applicazioni di AIMBG120R010M1

  • Caricabatterie di bordo
  • Convertitore CC-CC

 

FAQ
D. I tuoi prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, la nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati hai?
R: Siamo un'azienda certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione di piccola quantità? Il campione è gratuito?
A: Sì, supportiamo l'ordine del campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso in base al tuo ordine o progetto.
D: Come spedire il mio ordine?È sicuro?
A: Usiamo espresso per spedire, come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche usare il tuo spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in un buon imballaggio e garantiranno la sicurezza e siamo responsabili per danni al prodotto al tuo ordine.
D: E il tempo di consegna?
A: Possiamo spedire parti di magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza stock, confermeremo i tempi di consegna per te in base alla quantità dell'ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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