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Moduli IGBT automobilistici A2U12M12W2-F2 Modulo di potenza MOSFET di alimentazione SiC a 3 livelli di topologia 1200V

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
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—— Nishikawa dal Giappone

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Moduli IGBT automobilistici A2U12M12W2-F2 Modulo di potenza MOSFET di alimentazione SiC a 3 livelli di topologia 1200V

Moduli IGBT automobilistici A2U12M12W2-F2 Modulo di potenza MOSFET di alimentazione SiC a 3 livelli di topologia 1200V
Moduli IGBT automobilistici A2U12M12W2-F2 Modulo di potenza MOSFET di alimentazione SiC a 3 livelli di topologia 1200V Moduli IGBT automobilistici A2U12M12W2-F2 Modulo di potenza MOSFET di alimentazione SiC a 3 livelli di topologia 1200V

Grande immagine :  Moduli IGBT automobilistici A2U12M12W2-F2 Modulo di potenza MOSFET di alimentazione SiC a 3 livelli di topologia 1200V

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: A2U12M12W2-F2
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: Modulo
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Moduli IGBT automobilistici A2U12M12W2-F2 Modulo di potenza MOSFET di alimentazione SiC a 3 livelli di topologia 1200V

Descrizione
Numero parte: A2U12M12W2-F2 Pacchetto: Modulo
Capacità introdotta (Cies) @ Vce: 7 nF a 800 V temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Supporto del telaio Configurazione: Inverter a tre livelli

Moduli IGBT automobilistici A2U12M12W2-F2 Modulo di potenza MOSFET di alimentazione SiC a 3 livelli di topologia 1200V

 

Descrizione di A2U12M12W2-F2

A2U12M12W2-F2 è il modulo di potenza che rappresenta una gamba di una topologia di inverter a 3 livelli di tipo T che integra l'avanzata tecnologia Power MOSFET al carburo di silicio.Questo modulo A2U12M12W2-F2 sfrutta le proprietà innovative del materiale SiC ad ampia banda proibita e un substrato ad alte prestazioni termiche.Il risultato è una resistenza in conduzione eccezionalmente bassa per unità di area e prestazioni di commutazione eccellenti praticamente indipendenti dalla temperatura.

 

Caratteristiche del prodotto di A2U12M12W2-F2

Moduli IGBT in carburo di silicio

Ponte pieno

SiC

1200 V

da -10 V a 22 V

Premi Adatta

- 40 C

+ 150 C

 

Tutte le caratteristiche di A2U12M12W2-F2
Topologia a 3 livelli
Modulo di potenza ACEPACK 2
13 mΩ di RDS(on) tipico per ogni interruttore
Tensione di isolamento certificata UL di 2,5 kVrms
Sensore di temperatura NTC integrato
A base di DBC Cu-Al2O3-Cu
Perni di contatto a pressione

 

Topologia elettrica e descrizione dei pin di A2U12M12W2-F2

Moduli IGBT automobilistici A2U12M12W2-F2 Modulo di potenza MOSFET di alimentazione SiC a 3 livelli di topologia 1200V 0

 

FAQ

D. I tuoi prodotti sono originali?

A: Sì, tutti i prodotti sono originali, la nuova importazione originale è il nostro scopo.

D: Quali certificati hai?

R: Siamo un'azienda certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.

Q: Potete sostenere l'ordine o il campione di piccola quantità? Il campione è gratuito?

A: Sì, supportiamo l'ordine del campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso in base al tuo ordine o progetto.

D: Come spedire il mio ordine?È sicuro?

A: Usiamo espresso per spedire, come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche usare il tuo spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in un buon imballaggio e garantiranno la sicurezza e siamo responsabili per danni al prodotto al tuo ordine.

D: E il tempo di consegna?

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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